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單節(jié)鋰離子電池保護芯片的設(shè)計

發(fā)布時間:2008-10-15 來源:www.dianziw.com

中心論題:

  • 分析鋰離子電池保護電路的基本功能和系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
  • 分析鋰離子電池保護芯片關(guān)鍵電路的實現(xiàn)
  • 模擬驗證鋰離子電池保護芯片性能

解決方案:

  • 引入了濾除干擾電路,采用三級保護機制和帶隙基準源
  • 將模擬電路偏置在弱反型區(qū),引入了待機狀態(tài)電路
  • 巧妙電路結(jié)構(gòu)實現(xiàn)待機狀態(tài)、充電過流檢測和0V電池充電抑制電路

前言
鋰離子電池保護芯片的設(shè)計與其封裝結(jié)構(gòu)密切相關(guān),如圖1所示為封裝在鋰離子電池內(nèi)部的保護電路的基本結(jié)構(gòu)。在正常情況下,充電控制端CO 和放電控制端DO 為高電位,N型放電控制管FET1和充電控制管FET2處于導通狀態(tài),電路的工作方式可以是電池向負載放電,也可以是充電器對電池進行充電;當保護電路檢測到異常現(xiàn)象(過充電、過放電和過電流)時,使CO或DO輸出低電平,從而切斷充電或放電回路,實現(xiàn)保護功能。

為了有效利用放電電流或充電電流,F(xiàn)ET1和FET2采用導通電阻很小的功率管。它們的選擇原則除了導通電阻要小,還要求體積小,并且關(guān)閉時源漏擊穿電壓要能經(jīng)受不匹配充電器的影響。從理論上說,F(xiàn)ET1和FET2可以用N 管也可以用P 管。但由于單節(jié)鋰離子電池保護電路的電源電壓較低,為了減小導通電阻,一般都采用N管。圖1中二極管是FET1和FET2的寄生二極管,它們的存在使系統(tǒng)在過放電狀態(tài)下能對電池充電,在過充電狀態(tài)下能對負載放電。 

 
圖1 3.6V 鋰離子電池保護電路封裝結(jié)構(gòu)

鋰離子電池保護芯片的應(yīng)用場合要求其具有低電流驅(qū)動、高精度檢測的特點,另外由于保護電路的供電電源即為電池電壓,因此在電池電壓的變化范圍內(nèi),保護電路必須正常工作,本文根據(jù)圖1 所示的連接關(guān)系,設(shè)計一種低功耗單節(jié)鋰離子電池保護芯片,其電池電壓可以在1V—5.5V范圍內(nèi)變化。

系統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計
鋰離子電池保護芯片的基本功能是進行過充電保護、過放電保護和過電流保護,其中過電流保護包括充電過流保護和放電過流保護。下面以保護電路的基本功能為出發(fā)點,分析其系統(tǒng)的組成。

檢測異?,F(xiàn)象
鋰離子電池保護電路為了實現(xiàn)其基本功能,首先需要檢測異?,F(xiàn)象。過充電和過放電檢測是將電池電壓進行分壓(采樣)后與基準電壓比較實現(xiàn)的;而對于過流檢測,保護芯片首先將充放電過程中的電流轉(zhuǎn)化為在功率管FET1、FET2上的電壓,然后通過VM與基準電壓比較完成,放電過流檢測的是正電壓,充電過流檢測的是負電壓。

濾除干擾信號
通常在鋰離子電池保護電路的工作過程中會有干擾信號存在,干擾信號的類型主要有兩種:一種為瞬間干擾,它是指在正常的信號上,在極短的時間內(nèi)疊加上一個較大的信號。另一種為波動干擾,它是指信號的起伏波動。如圖2 以充電過程解釋了這兩類干擾,其中VCU 為過充電檢測電壓。
  
為了防止干擾信號的引入使保護電路產(chǎn)生誤動作,可以從系統(tǒng)角度考慮采用適當?shù)拇胧p小它們的影響。

瞬間干擾可以在保護電路內(nèi)部加上延時電路加以濾除,即當保護電路檢測到異常信號后,延時一段時間再關(guān)閉FET1或FET2。根據(jù)過充電、過放電、過電流對鋰電池的危害程度選取不同的延時時間。為了更加合理的保護鋰電池,放電過流可分為三個級別,分別為過流1保護、過流2保護以及負載短路保護,過流1的延時稍長,過流2的延時比過流1的延時短一些,而負載短路不加延時立即保護。波動干擾可以在保護電路內(nèi)部加上遲滯電路加以濾除。

控制充電控制管有效關(guān)閉
在充電過程中,與FET2源極相連的VM端電位為負值,當過充電保護起作用時,必須在過充電延時信號與CO端之間加上電平轉(zhuǎn)換電路,將控制邏輯電路產(chǎn)生的邏輯信號進行轉(zhuǎn)換,使CO端的電位小于或等于VM端的電位,從而保證FET2有效關(guān)斷。
  
0V電池充電抑制功能
鋰離子電池保護電路可實現(xiàn)對0V電池進行充電,也可實現(xiàn)對0V 電池禁止充電,本文的設(shè)計采用后者,這一功能使保護電路禁止對內(nèi)部短路的電池進行充電。當電池電壓為0V電池充電抑制電壓VOINH(典型值為1V左右)或更低時,F(xiàn)ET2的柵極電位被固定為VM 的電位,從而禁止充電。當電池電壓等于或高于VOINH 時,可以進行充電。

其它功能
1)在過充電狀態(tài)下,保護電路需禁止放電過流保護起作用。因為電池在過充電后接上負載的情況下,在放電初期,系統(tǒng)仍處于過充電狀態(tài),此時放電電流必然很大,引起過流的可能性很大;而過流保護如果起作用,就會關(guān)斷放電回路。這樣,一旦電池過充電,就可能永遠不能使用;
  
2)在過放電保護起作用時,保護電路需禁止充電過流保護起作用。因為當電池過放電后,剛接上充電器充電時,充電電流會很大。此時禁止充電過流保護起作用,可保證電池在過放電后可充電;
  
3)為了減少充電電流流過FET1內(nèi)部寄生二極管的時間,如果在過放電狀態(tài)下連接上充電器并且VM電壓低于充電過流檢測電壓時,解除過放電遲滯。
  
根據(jù)上述分析,本文設(shè)計的鋰離子電池保護電路的系統(tǒng)框圖如圖3所示。系統(tǒng)主要包括控制邏輯電路(CONTROL LOGIC CIRCUIT)、取樣電路(SAMPLE CIRCUIT)、過充電檢測比較器(OVERDIACHARGE COMPARATOR)、過放電檢測比較器(OVERDISCHARGE COMPARATOR)、過流1檢測比較器(OVERCURRENT1 COMPARATOR)、過流2 檢測比較器(OVERCURRENT2 COMPARATOR)、負載短路檢測電路(LOAD SHORT DETECTION CIRCUIT)、充電過流檢測電路(CHARGER DETEDTION CIRCUIT)、電平轉(zhuǎn)換電路(CONVERTOR CIRCUIT)、基準電路(REFERENCE CIRCUIT)以及偏置電路(BIAS CIRCUIT)。其中,偏置電路在圖3 中沒有給出,電平轉(zhuǎn)換電路同時能實現(xiàn)0V 充電抑制功能。

 
圖3 鋰離子電池保護電路系統(tǒng)框圖

  
圖3 中MN 在過電流時導通,它的作用是使過大的電流不經(jīng)過FET1和FET2而通過MN流向地。MP與待機狀態(tài)有關(guān),待機狀態(tài)電路的工作原理是:當保護電路進入過放電狀態(tài)后,產(chǎn)生一個待機狀態(tài)信號,使保護芯片中的大多數(shù)電路停止工作,它是通過控制邏輯電路和負載短路檢測電路的配合完成的。M3的作用是在待機狀態(tài)下,使采樣電路不消耗靜態(tài)電流。M4和M5分別用于實現(xiàn)過放電和過充電檢測遲滯以濾除充放電過程中的波動干擾信號。而瞬時干擾信號的濾除由控制邏輯電路中的延時電路實現(xiàn)。
  
關(guān)鍵電路實現(xiàn)

鋰離子電池保護芯片的性能,不僅與系統(tǒng)結(jié)構(gòu)密切相關(guān),與具體電路的實現(xiàn)也是密不可分的,下面的電路模塊在整個芯片中具有關(guān)鍵的作用,本文從功耗和精度等角度考慮,提出了獨特的設(shè)計方法。
  
待機狀態(tài)電路
保護電路進入待機狀態(tài)有賴于過放電狀態(tài)的檢測,進入待機狀態(tài)后,為了減小功耗應(yīng)使盡可能多的電路模塊停止工作,但如果所有的檢測電路都不工作,待機狀態(tài)將無法退出,為此在設(shè)計負載短路檢測電路時不引入待機狀態(tài)控制信號,其目的即為在電池電壓升高后使保護電路能及時退出待機狀態(tài)。圖4 給出了待機狀態(tài)信號產(chǎn)生和撤銷的原理圖。


圖4 待機狀態(tài)實現(xiàn)電路

圖4 中SOD為過放電檢測信號,系統(tǒng)處于正常狀態(tài)時,SOD為高電平,VM為低電平,因此待機狀態(tài)控制信號POWERD輸出高電平、POWERDB輸出低電平。當系統(tǒng)進入過放電狀態(tài)時,SOD(延時后的信號)變?yōu)榈碗娖?,MP導通使VM變?yōu)楦唠娖?,最終使POWERD變?yōu)榈碗娖?、POWERDB變?yōu)楦唠娖剑鼈兛刂票Wo電路相應(yīng)模塊停止工作,系統(tǒng)進入待機狀態(tài)。當對電池進行充電時,由圖1可知VM被強制拉到低電平,使負載短路檢測電路的輸出信號OUT_LSB變?yōu)楦唠娖?;此時,不論SOD為何值或非門都將輸出低電平,POWERD由此變?yōu)楦唠娖剑@樣,就可實現(xiàn)待機狀態(tài)的退出。
  
基準電壓電路
為了檢測過充電、過放電和放電過流情況,檢測比較器需要與基準電壓進行比較。由于過充電檢測和過放電檢測電路之前有采樣電路,它們可用相同的基準電壓,而過流1 和過流2 需采用不同的基準電壓。為了提高芯片的檢測精度,電壓基準采用受電源、溫度和工藝影響較小的帶隙基準源,如圖5 所示為具體結(jié)構(gòu)圖,其中M1~M5 工作于弱反型區(qū),因此該電路具有功耗較小的特點。
  
電路的工作原理為:由M1—M4和R5組成的自偏置電路產(chǎn)生具有正溫度系數(shù)的電流,它在電阻R0所產(chǎn)生的壓降和具有負溫度系數(shù)的PN 結(jié)壓降(D0上的壓降)相加,從而輸出零溫度系數(shù)的基準電壓VBD;為滿足同一電路中輸出不同的基準電壓源,利用電阻分壓將VBD 分成了VBI1及VBI2輸出;C0和R6組成啟動電路。

由圖5 可知, VGSM2-VGSM1=IM2*R5。M3 和M4 組成電流鏡,取相同的寬長比,則IM1=IM2。因為M1和M2工作于弱反型區(qū),所以: 

 
式(1)中n為亞閾值因子,UT為熱電勢。M3和M5組成電流鏡,則: 

 
設(shè)R=(R1+R2)//(R3+R4),二極管的正向壓降為VD,可以推導輸出電壓為:

 

由(3)—(5)式可知,基準電壓的精度與電阻R0—R4 的精度直接相關(guān),為此這些電阻需要采用調(diào)整(trimming)技術(shù)。

 
圖5 電壓基準電路

充電過流檢測電路
充電過流的檢測歸結(jié)為檢測VM電壓,其臨界值為VCH(約為-1.3V)。如果所用工藝的MOS管閾值電壓可以調(diào)節(jié),負電壓檢測電路可用差分結(jié)構(gòu)的比較器實現(xiàn),其中比較器的一個輸入端接地,并且兩個差分對管的閾值電壓需要調(diào)整。為了使該電路能用常規(guī)的CMOS 工藝實現(xiàn),本文在過零比較器的基礎(chǔ)上引入升壓電路,如圖6(a)所示當VM》VCHA時,升壓電路使VN>0 。升壓部分具體實現(xiàn)如圖6(b)所示。

 
(a)采用升壓實現(xiàn)      (b)升壓部分具體實現(xiàn)
圖6 負壓檢測原理

 
PMOS管M1和NMOS管M2的柵極都接地。當M1的柵源電壓小于它的閾值電壓時,M2截止,而M1始終導通,A1比較器的反相輸入信號VN電位因為大于同相輸入端的電位,而使輸出OUT_CDCB為低電平。隨著輸入信號VM電位向負方向的增大,M2逐漸導通,最后使得VN 端電位變負,OUT_CDCB由此變?yōu)楦唠娖?。圖6中VN=0時的輸入電壓即為檢測電壓VCHA,此時M1和M2處于飽和狀態(tài)且下列關(guān)系式成立:
 

(6)式中, un和up分別為N管和P管的遷移率,VTHN和VTHP分別為N管和P管的閾值電壓,COX為氧化層電容。(6)式經(jīng)整理得:

 
由(7)式可知,本電路中檢測電壓|VCHA|的取值只能大于M2的閾值電壓,改變M1和M2的寬長比可改變檢測電壓VCHA。當M2未導通時,電路消耗的電流較??;當M2導通時,就會有電源到地的通路,為了減小消耗的電流,一般取M1的寬長比小于1。
  
電平轉(zhuǎn)換電路及0V 電池充電抑制電路
由于電平轉(zhuǎn)換電路和0V電池充電抑制電路的目的都是為了控制CO端,這兩個功能可用一個電路完成,如圖7 所示給出了具體實現(xiàn)電路。

 
圖7 電平轉(zhuǎn)換電路及0V電池充電抑制電路

電平轉(zhuǎn)換功能主要由M1—M4、R1和R2組成的電路完成;0V電池充電抑制功能主要由M5、M6和R3完成;M7—M10和R4組成的與非門在電平轉(zhuǎn)換功能和0V 電池充電抑制功能之間進行選擇。電阻起限流作用。下面是這兩個功能的具體實現(xiàn)過程。
  
電平轉(zhuǎn)換實現(xiàn)過程
在正常的放電過程中,VM端電位大于零而接近于零,可近似為VSS。此時,該電路的輸入信號IN_LCB=‘0’,IN_LC=‘1’,顯然,CO輸出為高電平(VDD)。
  
在正常的充電過程中,VM端電位小于零而接近于零,仍可近似為VSS。當出現(xiàn)過充電或充電過流時,IN_LC=‘0’,IN_LCB=‘1’,VA為VM端電位,VB為VDD電位,VC輸出VDD電位,因此CO與VM等電位。

0V 電池充電抑制實現(xiàn)過程
0V 電池充電抑制功能發(fā)生在充電過程中,此時,IN_LCB=‘0’,IN_LC=‘1’,VA 為高電平。當電池電壓VDD小于或等于1V時,M5關(guān)閉,另外,較小的電池電壓使其內(nèi)阻變小,接近內(nèi)部短路。在這種情況下充電,充電電流一定很大,導致VM的電位下降很大,使M6 導通,VB由低電平轉(zhuǎn)化為高電平,CO端輸出電位接近VM電位。

模擬結(jié)果
芯片的所有功能和主要參數(shù)均用HSPICE 進行了模擬驗證。圖8 給出了過充電保護檢測和釋放波形圖,圖9 給出了過放電保護檢測和釋放波形圖,其中COMP_OC 為過充電比較器的輸出信號,COMP_OD 為過放電比較器的輸出信號;芯片的過充電和過放電檢測精度約為30mV,在正常工作時消耗的電流為3.23uA,在待機狀態(tài)時消耗的電流為0.15uA。

 
圖8 過充電保護檢測和釋放波形圖
 
圖9  過放電保護檢測和釋放波形圖

總結(jié)
本文設(shè)計了一種單節(jié)鋰離子電池保護芯片,它可用常規(guī)的P 阱或雙阱CMOS工藝實現(xiàn)。為了提高檢測異常情況的精度,芯片中引入了濾除干擾電路,放電過流采用三級保護機制,電壓基準采用帶隙基準源;為了降低功耗,采用了如下措施:將模擬電路偏置在弱反型區(qū),引入了待機狀態(tài)電路;另外,本文用巧妙的電路結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了待機狀態(tài)電路、充電過流檢測電路以及0V電池充電抑制電路。經(jīng)過模擬驗證,本文設(shè)計的芯片能有效防止鋰離子電池在應(yīng)用中所發(fā)生的過充電、過放電和過電流現(xiàn)象,并且具有良好的性能。

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