【導讀】在半導體制造向3D NAND超高層堆疊與先進邏輯GAA架構演進的關鍵階段，高深寬比通道刻蝕與納米級高選擇性蝕刻已成為突破存儲密度極限與構建復雜3D結構的核心工藝瓶頸。泛林半導體（Lam Research）旗下的Prevos與Selis系列刻蝕設備，分別憑借Cryo 3.0低溫蝕刻技術與自由基/熱蝕刻雙重能力，以原子級精度和卓越的輪廓穩(wěn)定性，成為支撐400層以上3D NAND及先進制程芯片量產(chǎn)的基石。然而，隨著產(chǎn)業(yè)對成本控制需求的日益迫切，二手高端設備的合規(guī)流通與復用已成為行業(yè)降本增效的重要路徑。面對這一趨勢，海翔科技依托深厚的運維積淀，嚴格對標SEMI行業(yè)規(guī)范及《進口舊機電產(chǎn)品檢驗監(jiān)督管理辦法》，構建了涵蓋拆機評估、整機檢測到現(xiàn)場驗機的全流程質(zhì)量管控體系。本文旨在系統(tǒng)闡述該體系針對Prevos與Selis系列設備的技術實施規(guī)范，深入解析如何通過標準化的拆解標記、精密的部件損耗分析及多維度的性能驗證，確保二手核心裝備在復用過程中依然具備原廠級的工藝穩(wěn)定性與安全合規(guī)性，為半導體產(chǎn)線的持續(xù)升級提供堅實的技術保障。

1、引言

在半導體高層數(shù)3D NAND存儲器件制造中，高深寬比通道刻蝕是突破存儲密度極限的核心工藝，直接決定器件堆疊層數(shù)與性能上限。泛林半導體（Lam Research）Prevos系列刻蝕設備，作為適配400層及以上3D NAND制造的專用高深寬比刻蝕機型，搭載新一代Cryo 3.0低溫蝕刻技術，憑借原子級精準的等離子體控制能力、卓越的輪廓穩(wěn)定性及高效量產(chǎn)特性，可精準完成深寬比≥90:1、深度達10微米的3D NAND通道刻蝕，深度適配高端3D NAND產(chǎn)線需求。隨著半導體產(chǎn)業(yè)成本控制需求升級，二手Prevos系列設備的市場化流通日益頻繁。海翔科技基于多年半導體設備運維經(jīng)驗，嚴格遵循SEMI行業(yè)規(guī)范及《進口舊機電產(chǎn)品檢驗監(jiān)督管理辦法》，建立了涵蓋拆機評估、整機檢測、現(xiàn)場驗機的全流程質(zhì)量管控體系，為二手Prevos設備的合規(guī)復用提供技術保障。本文將系統(tǒng)闡述該體系的核心技術要點與實施規(guī)范。

在先進3D邏輯與內(nèi)存器件制造中，高選擇性蝕刻是實現(xiàn)納米片/納米線等復雜3D結構的核心工藝，需在0.1nm尺度精度下實現(xiàn)材料的等方性去除，同時避免損傷相鄰關鍵材料層。泛林半導體（Lam Research）Selis系列刻蝕設備作為高選擇性蝕刻解決方案的核心機型，融合自由基與熱蝕刻雙重能力，可精準完成虛擬多晶硅去除、鍺硅（SiGe）去除（GAA結構）、氧化膜凹陷等關鍵工序，深度適配先進制程芯片制造需求。隨著半導體產(chǎn)業(yè)成本控制需求升級，二手Selis系列設備的市場化流通日益頻繁。海翔科技基于多年半導體設備運維經(jīng)驗，嚴格遵循SEMI行業(yè)規(guī)范及《進口舊機電產(chǎn)品檢驗監(jiān)督管理辦法》，建立了涵蓋拆機評估、整機檢測、現(xiàn)場驗機的全流程質(zhì)量管控體系，為二手Selis設備的合規(guī)復用提供技術保障。本文將系統(tǒng)闡述該體系的核心技術要點與實施規(guī)范。

2、Selis系列設備核心技術特性

Selis系列設備的核心競爭力源于其針對先進3D結構優(yōu)化的高選擇性蝕刻工藝體系。該機型獨特集成自由基與熱蝕刻雙功能，實現(xiàn)超高選擇性的同時，可精準控制蝕刻輪廓的上下一致性，避免對晶圓結構造成損傷；憑借0.1nm尺度的原子級精度控制，能在高深寬比結構中實現(xiàn)材料等方性去除，有效滿足3D邏輯與內(nèi)存器件的微納加工需求。設備搭載創(chuàng)新化學體系與靈活溫控技術，支持多工藝快速切換，適配虛擬多晶硅、鍺硅、氧化膜等多種材料的蝕刻場景，同時具備優(yōu)異的量產(chǎn)穩(wěn)定性與維護便捷性。其刻蝕腔室采用專用防污染涂層，可有效抑制蝕刻副產(chǎn)物殘留，保障工藝穩(wěn)定性并延長維護周期。二手設備的評估與檢測需圍繞核心特性，重點驗證蝕刻選擇性、原子級精度控制能力及雙蝕刻系統(tǒng)協(xié)同穩(wěn)定性等關鍵參數(shù)。

3、拆機評估規(guī)范

拆機過程需嚴格遵循SEMI規(guī)范與Prevos原廠技術手冊，組建機械與電氣工程師聯(lián)合團隊，執(zhí)行“先標記后拆解”的標準化流程。核心要求包括：一是基準標記，用激光打標機在核心部件與主體連接處做三維定位標記，重點記錄Cryo 3.0低溫控制系統(tǒng)、脈沖等離子反應器等關鍵部件的裝配間隙數(shù)據(jù)并拍照存檔，為后續(xù)回裝提供精準參照；二是專用工具適配，采用扭矩扳手按標準力矩松開螺栓，對過盈配合部件使用液壓拉拔器輔助拆卸，嚴禁暴力敲擊；三是部件防護，拆下的核心部件按順序擺放并采用專用防護袋包裹，尤其注重低溫模塊的密封防潮防護，腔室組件拆卸后立即用堵頭密封接口，防止粉塵污染。評估重點為關鍵部件完整性與損耗狀態(tài)，通過輝光放電光譜儀分析腔室防沉積涂層厚度，白光干涉儀檢測腔體內(nèi)壁表面粗糙度（Ra≤0.015μm），確保符合Prevos原廠標準。

拆機過程需嚴格遵循SEMI規(guī)范與Selis原廠技術手冊，組建機械與電氣工程師聯(lián)合團隊，執(zhí)行“先標記后拆解”的標準化流程。核心要求包括：一是基準標記，用激光打標機在核心部件與主體連接處做三維定位標記，重點記錄自由基發(fā)生模塊、熱蝕刻系統(tǒng)等關鍵部件的裝配間隙數(shù)據(jù)并拍照存檔，為后續(xù)回裝提供精準參照；二是專用工具適配，采用扭矩扳手按標準力矩松開螺栓，對過盈配合部件使用液壓拉拔器輔助拆卸，嚴禁暴力敲擊；三是部件防護，拆下的核心部件按順序擺放并采用專用防護袋包裹，尤其注重精密化學管路與溫控模塊的密封防護，腔室組件拆卸后立即用堵頭密封接口，防止粉塵污染。評估重點為關鍵部件完整性與損耗狀態(tài)，通過輝光放電光譜儀分析腔室防污染涂層厚度，白光干涉儀檢測腔體內(nèi)壁表面粗糙度（Ra≤0.015μm），確保符合Selis原廠標準。

整機狀態(tài)評估需構建“部件-系統(tǒng)-性能”三級檢測體系。部件層面，重點核查Cryo 3.0低溫等離子體系統(tǒng)、真空系統(tǒng)等核心模塊的原廠匹配性，檢測電氣系統(tǒng)絕緣電阻（動力回路不低于0.5MΩ，控制回路不低于1MΩ）與接地連續(xù)性，確保符合SEMI安全規(guī)范；系統(tǒng)層面，通過設備主控系統(tǒng)調(diào)取歷史運行數(shù)據(jù)，分析故障報警記錄與維護日志，重點評估低溫控制精度、脈沖等離子穩(wěn)定性等關鍵參數(shù)；性能層面，模擬量產(chǎn)工況進行3-5個完整循環(huán)的空載與負載測試，用掃描電子顯微鏡觀察高深寬比刻蝕側(cè)壁輪廓，驗證刻蝕深度均勻性與關鍵尺寸偏差是否達標。同時，核查設備技術文件完整性，包括原廠合格證、維護記錄等，確保Prevos設備合規(guī)性。

海翔科技 —— 深耕二手半導體設備領域的專業(yè)領航者，憑借深厚行業(yè)積累，為客戶打造一站式設備及配件供應解決方案。

在半導體前段制程領域，我們擁有海量優(yōu)質(zhì)二手設備資源，精準匹配芯片制造的關鍵環(huán)節(jié)需求；后道封裝設備板塊，豐富的設備品類覆蓋封裝全流程，助力客戶降本增效。

我們還提供齊全的二手半導體專用配件，從核心部件到精密耗材，為設備穩(wěn)定運行保駕護航。海翔科技，以多元產(chǎn)品矩陣與專業(yè)服務，為半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入強勁動力。

總結

Prevos與Selis系列設備作為先進半導體制造的核心引擎，其二手價值的最大化釋放高度依賴于科學嚴謹?shù)娜芷谫|(zhì)量管控。海翔科技所建立的“拆機 - 檢測 - 驗機”閉環(huán)體系，不僅通過激光三維標記、微觀表面粗糙度檢測（Ra≤0.015μm）及電氣絕緣測試等量化手段，精準還原了設備在Cryo 3.0低溫控制、高選擇性蝕刻等關鍵工藝上的原始性能指標，更從制度層面確保了設備流轉(zhuǎn)符合SEMI規(guī)范與國家進口舊機電監(jiān)管要求。實踐證明，唯有堅持“部件完整性、系統(tǒng)穩(wěn)定性、性能達標性”的三級評估標準，才能有效規(guī)避二手設備復用中的技術風險，實現(xiàn)從“可用”到“好用”的跨越。未來，海翔科技將繼續(xù)深耕二手半導體設備領域，以多元化的產(chǎn)品矩陣和專業(yè)化的技術服務，助力客戶在芯片制造的前道刻蝕與后道封裝環(huán)節(jié)實現(xiàn)顯著的降本增效，為推動半導體產(chǎn)業(yè)鏈的可持續(xù)發(fā)展注入強勁動力。