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小小的疏忽毀掉了產品的EMI性能

發(fā)布時間:2022-11-30 責任編輯:lina

【導讀】總之,來自離線開關電源開關節(jié)點的100fF電容會導致超出規(guī)范要求的EMI簽名。這種電容量只需寄生元件便可輕松實現,例如對漏極連接進行路由,使其靠近輸入引線。通??赏ㄟ^改善間距或屏蔽來解決該問題。要想獲得更大衰減,需要增加濾波或減緩電路波形。


在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。您必須明白,只有處理好它們才能獲得符合EMI標準的電源。


從開關節(jié)點到輸入引線的少量寄生電容(100毫微微法拉)會讓您無法滿足電磁干擾(EMI)需求。那100fF電容器是什么樣子的呢?在Digi-Key中,這種電容器不多。即使有,它們也會因寄生問題而提供寬泛的容差。


不過,在您的電源中很容易找到作為寄生元件的100fF電容器。只有處理好它們才能獲得符合EMI標準的電源。


圖1是這些非計劃中電容的一個實例。圖中的右側是一個垂直安裝的FET,所帶的開關節(jié)點與鉗位電路延伸至了圖片的頂部。輸入連接從左側進入,到達距漏極連接1cm以內的位置。這就是故障點,在這里FET的開關電壓波形可以繞過EMI濾波器耦合至輸入。


小小的疏忽毀掉了產品的EMI性能

圖1. 開關節(jié)點與輸入連接臨近,會降低EMI性能


注意,漏極連接與輸入引線之間有一些由輸入電容器提供的屏蔽。該電容器的外殼連接至主接地,可為共模電流提供返回主接地的路徑。如圖2所示,這個微小的電容會導致電源EMI簽名超出規(guī)范要求。


小小的疏忽毀掉了產品的EMI性能

圖2. 寄生漏極電容導致超出規(guī)范要求的EMI性能


這是一條令人關注的曲線,因為它反映出了幾個問題:明顯超出了規(guī)范要求的較低頻率輻射、共模問題通常很明顯的1MHz至2MHz組件,以及較高頻率組件的衰減正弦(x)/x分布。


需要采取措施讓輻射不超出規(guī)范。我們利用通用電容公式將其降低了:


C = ε ˙ A/d


我們無法改變電容率(ε),而且面積(A)也已經是最小的了。不過,我們可以改變間距(d)。如圖3所示,我們將組件與輸入的距離延長了3倍。最后,我們采用較大接地層增加了屏蔽。


小小的疏忽毀掉了產品的EMI性能

圖3. 這個修改后的布局不僅可增加間距,而且還可帶來屏蔽性能


圖4是修改后的效果圖。我們在故障點位置為EMI規(guī)范獲得了大約6dB的裕量。此外,我們還顯著減少了總體EMI簽名。所有這些改善都僅僅是因為布局的調整,并未改變電路。如果您的電路具有高電壓開關并使用了屏蔽距離,您需要非常小心地對其進行控制。


小小的疏忽毀掉了產品的EMI性能

圖4. EMI性能通過屏蔽及增加的間距得到了改善


總之,來自離線開關電源開關節(jié)點的100fF電容會導致超出規(guī)范要求的EMI簽名。這種電容量只需寄生元件便可輕松實現,例如對漏極連接進行路由,使其靠近輸入引線。通??赏ㄟ^改善間距或屏蔽來解決該問題。要想獲得更大衰減,需要增加濾波或減緩電路波形。


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