【導讀】2021年4月9日至11日,第九屆中國電子信息博覽會攜手第97屆中國電子展(CITE2021)在深圳會展中心舉辦。屆時,1500余家知名企業(yè)參展,50余場專業(yè)論壇同期舉辦,超過100,000名專業(yè)觀眾現(xiàn)場參觀。毫無疑問,CITE2021會是一場科技交流的絕佳盛會。
2021年4月9日至11日,第九屆中國電子信息博覽會攜手第97屆中國電子展(CITE2021)在深圳會展中心舉辦。屆時,1500余家知名企業(yè)參展,50余場專業(yè)論壇同期舉辦,超過100,000名專業(yè)觀眾現(xiàn)場參觀。毫無疑問,CITE2021會是一場科技交流的絕佳盛會。
深圳深愛半導體股份有限公司成立于1988年2月,現(xiàn)有一條5英寸雙極功率晶體管芯片生產(chǎn)線,一條FRD&肖特基二極管芯片生產(chǎn)線,一條5英寸MOSFET芯片生產(chǎn)線,一條6英寸MOSFET生產(chǎn)線。深愛目前是深圳唯一一家具有前、后工序生產(chǎn)線的功率半導體器件制造企業(yè),主導產(chǎn)品如雙極功率晶體管、功率MOSFET、功率二極管、LED驅動IC、電源管理IC,等在業(yè)內(nèi)享有較高聲譽并已批量進入國際市場。
深愛半導體專注于功率半導體器件,主要經(jīng)營 IGBT,碳化硅二極管,氮化鎵MOS、高低壓MOS,COOLMOS,BJT,LED驅動IC,ACDC充電器IC。產(chǎn)品主要面向UPS、變頻器、適配器、快充電源、PC電源、小家電及LED照明領域。IGBT是深愛的重點研發(fā)產(chǎn)品,主要應用于電磁加熱和變頻領域,目前深愛重點關注氮化鎵及IGBT功率器件,進工業(yè)及車規(guī)級產(chǎn)品,預計2021年優(yōu)先推動氮化鎵和IGBT器件量產(chǎn)。本次展會中,對高壓MOSFET產(chǎn)品-Planar MOS,高壓MOSFET產(chǎn)品-Super junction,肖特基二極管(SBD),LED驅動IC等芯片產(chǎn)品。
●高壓MOSFET產(chǎn)品-Planar MOS
公司針對不同需求有高性價比、高可靠性、高速三大系列高壓MOSFET產(chǎn)品,反壓覆蓋200-900V,電流覆蓋0.5-24A。產(chǎn)品廣泛用于消費電子、家電、計算機領域的電源系統(tǒng)和LED照明領域。
應用領域
●高壓MOSFET產(chǎn)品-Super junction
公司針對不同需求有高性價比、高可靠性、高速兩大系列高壓Super junction MOSFET產(chǎn)品,反壓覆蓋500-800V,電流覆蓋2-20A。
應用領域
●中低壓MOSFET產(chǎn)品
公司中低壓MOS,反壓覆蓋20-200V,導通電阻2-1300mΩ。產(chǎn)品廣泛用于消費電子、家電、計算機領域的電源系統(tǒng)中的同步整流線路。
應用領域
●大功率雙極晶體管
公司擁有MJE/BUL/BLD 系列功率晶體管廣泛用于充電器、電子鎮(zhèn)流器、電源、節(jié)能燈領域等。
應用領域
●肖特基二極管(SBD)
公司肖特基二極管(Planar SBD)電壓覆蓋20-200V,電流覆蓋1-30A,結溫覆蓋125-175℃,廣泛用于各類電源系統(tǒng)和太陽能領域。
應用領域
●LED驅動IC
公司擁有非隔離、隔離、高PF非隔離、高PF隔離、調(diào)光、調(diào)色溫、去頻閃、DC-DC、線性九大系列108款LED驅動IC,廣泛用于各式LED照明,現(xiàn)已成為LED照明領域主流供應商。
應用領域
●IGBT產(chǎn)品
公司1200V/7-25A NPT型IGBT。主要應用于電磁加熱和變頻領域;
應用領域
●PD (Photo Diode)產(chǎn)品
用途:高速光的檢測、光通信、光纖、遙控、光電三極管、寫字筆、傳真、照度計、彩色傳感器、光電三極管、線性圖像傳感器、分光光度計、照相機曝光計。
●FRD產(chǎn)品
公司FRD電壓覆蓋200-1200V,電流覆蓋6-60A,廣泛用于UPS電源和PFC電路,電焊機等領域。
與眾多同行相比,深愛有較完備的管理體系和技術實力,先后通過了ISO9001、ISO14001、QC080000、SO50001等多個體系認證,是深圳市市級“企業(yè)技術中心”單位、國家級“高新技術企業(yè)”、“國家高新技術產(chǎn)業(yè)化示范工程單位”,2019被授予“廣東省功率半導體工程技術研究中心“稱號,設有功率半導體器件工程實驗室。公司不僅有完善的半導體芯片工藝生產(chǎn)及封裝線,扎根半導體行業(yè)30多年,還擁有成熟的設計及生產(chǎn)體系。針對目前消費市場及工業(yè)需求,深愛做出了長遠的計劃安排,未來將著重于氮化鎵及IGBT產(chǎn)品的系列開發(fā),逐漸完善產(chǎn)品線,為國產(chǎn)半導體取代進口器件做技術儲備。
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