第一個因素是繼電器的熱開啟問題

 

我們知道繼電器要成功開啟，特別是高溫下是需要一定的電流的，由于高溫的影響，電阻增大，使得需要的啟動電壓也上升了，因此一般可以得到溫度和電壓的圖，如圖所示：

 

 

達(dá)林頓管的飽和電壓要比普通的三極管高一些。

 

 

我們采用這樣的設(shè)計將使得反接保護(hù)二極管的電壓和達(dá)靈頓的飽和電壓一起產(chǎn)生壓降，在高溫下，繼電器可能無法吸合

 

 

因此RELAY供應(yīng)商往往不推薦使用這樣的設(shè)計，如圖所示：

 

 

不覺得上面這個設(shè)計比前面一個設(shè)計好多少，不過如果這樣設(shè)計的話，問題可以解決一部分。

 

驅(qū)動電路的保護(hù)問題

 

感性負(fù)載固有關(guān)斷有瞬態(tài)電壓的問題，這個屢次經(jīng)過計算，加二極管續(xù)流的問題是以繼電器本身的壽命為代價的，這并不合算。如果不加續(xù)流二極管，則需要考慮這部分能量怎么瀉放的問題

 

 

后三種方案可選擇，不過穩(wěn)壓管最便宜，但是速度較慢。

 

三極管為什么會壞？

 

三極管的軟擊穿

 

對于集電極電壓超過V（BR）CEO而引起的擊穿，只要外電路限制擊穿后的電流，管子就不會損壞，待集電極電壓減小到小于V（BR）CEO后，管子也就恢復(fù)到正常工作，因此這種擊穿是可逆的，不是破壞性的。

 

三極管的二次擊穿

 

如果上述擊穿后，電流不加限制，就會出現(xiàn)集電極電壓迅速減小，集電極電流迅速增大的現(xiàn)象，通常將這種現(xiàn)象稱為二次擊穿。發(fā)生二次擊穿的過程是：結(jié)面某些薄弱點(diǎn)上電流密度增大，引起這些局部點(diǎn)的溫度升高，從而使局部點(diǎn)上電流密度更大，溫度更高，如此反復(fù)作用，最后導(dǎo)致過熱點(diǎn)的晶體熔化，相應(yīng)在集射極間形成低阻通道，導(dǎo)致vCE下降，iC劇增，結(jié)果是功率管尚未發(fā)燙就已損壞。因此二次擊穿是不可逆的，是破壞性的?？梢姡螕舸┦窃诟邏旱碗娏鲿r發(fā)生的，相應(yīng)的功率稱為二次擊穿耐量。

 

最后一個問題是反接保護(hù)的問題

 

這是一個討厭的問題，二極管的問題是壓降，如果使用PMOS或者NMOS呢，COIL的反電壓容易對PMOS產(chǎn)生影響，因此請大家慎重選擇反接保護(hù)電路。