【導讀】米勒振蕩是因為強的負反饋引起的開關振蕩,導致二次導通,對于后級大功率半橋、全橋等H橋拓撲結構應用中,容易導致上下管子瞬間導通從而炸毀管子,這個是開關電源設計中最核心的一環(huán),所以如何避免米勒振蕩可以認為是開關電源設計的核心關鍵。
米勒振蕩是因為強的負反饋引起的開關振蕩,導致二次導通,對于后級大功率半橋、全橋等H橋拓撲結構應用中,容易導致上下管子瞬間導通從而炸毀管子,這個是開關電源設計中最核心的一環(huán),所以如何避免米勒振蕩可以認為是開關電源設計的核心關鍵。
A、減緩驅動強度
1、提高MOS管G極的輸入串聯電阻,一般該電阻阻值在1~100歐姆之間,具體值看MOS管的特性和工作頻率,阻值越大,開關速度越緩。
2、在MOS管GS之間并聯瓷片電容,一般容量在1nF~10nF附近??磳嶋H需求。
調節(jié)電阻電容值,提高電阻和電容,降低充放電時間,減緩開關的邊沿速度,這個方式特別適合于硬開關電路,消除硬開關引起的振蕩。
B、加強關閉能力
1、差異化充放電速度,采用二極管加速放電速度
2、當第一種方案不足時,關閉時直接把GS短路
3、當第二種方案不足時,引入負壓確保關斷。
C、增加DS電容
在ZVS軟開關電路中,比如UC3875移相電路中,MOS管DS之間,往往并聯無感CBB小電容,一般容量在10nF以內,不能太大,有利于米勒振蕩,注意該電容的發(fā)熱量,頻率更高的時候,需要用云母電容
D、提高漏極電感方式
相對應方案C的提高DS電容方式,該方案則采用提高漏極的電感方式
1、在漏極串聯鎳鋅磁珠,提高漏極電感,減緩漏極的電流變化,降低米勒振蕩,這個方案也是改善EMC的方法之一,效果比較明顯,但該方案不適合高頻率強電流的場合,否則該磁珠就發(fā)熱太高而失效。
2、PCB布線時,人為的引入布線電感,增長MOS管漏極、源極的PCB布線長度,比如方案C的圖中,適當提高半橋上下MOS管之間的引線,對改善米勒振蕩有很大的影響,但這個需要自身的技術水平較高,否則容易失敗,此外布線長度提高,需要相應的考慮MOS管的耐壓,嚴重的,需要加MOS管吸收電路。
E、常用的MOS管吸收電路,利于保護MOS管因關閉時產生過高的電壓導致DS擊穿,對米勒振蕩也有幫助,電路形式多樣,以下列舉四種,應用場合不同,采用不同的方式。
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