【導讀】2015年5月15日，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）通過其全資子公司Silicon Storage Technology（SST）與GLOBALFOUNDRIES共同宣布，其共同推出的SST 55nm嵌入式SuperFlash® 非易失性存儲器（NVM）產品已通過全面認證并開始向市場供貨，該產品基于GLOBALFOUNDRIES 55nm低功耗強化型（LPx）/RF平臺。
根據全球知名信息咨詢公司IHS預測，2015年汽車半導體市場規(guī)模將達到310億美元，相比2014年增幅可高達7.5%。而基于嵌入式閃存的半導體產品則在這一市場占有相當大的比重。
Microchip全資子公司SST技術許可部副總裁Mark Reiten表示：“嵌入式SuperFlash存儲器事實上已成為各代工廠生產單片機、智能卡及各種系統(tǒng)級芯片的標準。與GLOBALFOUNDRIES的合作，為我們搭建先進的55nm嵌入式SuperFlash平臺帶來了巨大的技術優(yōu)勢，我們與各行業(yè)多個客戶的業(yè)務洽談也已經在進行當中。我們非常高興可以和GLOBALFOUNDRIES攜手進一步鞏固公司在嵌入式閃存器件領域的市場領導地位。”
SST SuperFlash®技術與GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx完美結合，實現低功耗、低成本、高可靠性、優(yōu)異數據保存性能和高耐用性兼具的卓越客戶解決方案。
GLOBALFOUNDRIES結合分離柵極單元SuperFlash技術的55nm工藝經認證測試符合JEDEC標準。同時，這一工藝技術還滿足在-40°C至125°C的環(huán)境溫度范圍下AEC-Q100 1級認證標準，耐用性達到10萬次的擦寫周期，可實現150°C條件下超過20年的數據保存年限。
GLOBALFOUNDRIES產品管理高級副總裁Gregg Bartlett表示：“GLOBALFOUNDRIES意識到市場需要一款低成本的嵌入式閃存平臺產品來實現安全的ID、混合信號、NFC/RF及新一代IoT應用。得益于公司與SST的深入合作，這項基于GLOBALFOUNDRIES高產的55nm低功耗工藝技術平臺而實現的55nm SuperFlash合格商用技術將有助為各重點行業(yè)的客戶提供高性能的解決方案。”
配備eNVM技術的GLOBALFOUNDRIES 55nm LPx/RF平臺現已開始投放市場。該平臺技術備有一個自定義庫，包含針對特定MCU產品應用而優(yōu)化的現成eNVM IP模塊，是一款可大幅縮短產品開發(fā)周期的解決方案。
