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動(dòng)態(tài)阻抗調(diào)諧技術(shù)提高手機(jī)天線性能

發(fā)布時(shí)間:2010-12-03

中心議題:
  • 天線調(diào)諧的架構(gòu)
  • 如何阻抗匹配天線調(diào)諧
解決方案:
  • 可調(diào)電容器
  • 可調(diào)電阻器
如今的移動(dòng)電話不僅要支持蜂窩頻率,還要支持那些用于移動(dòng)電視、藍(lán)牙、WLAN和定位服務(wù)的非蜂窩特性。由于每次手機(jī)換代都縮小了天線的可用空間,天線被包在相機(jī)和鍵盤電路周圍并重新安排路徑,導(dǎo)致天線效率降低。一部分性能損失可以通過天線調(diào)諧得到恢復(fù),即使用動(dòng)態(tài)阻抗調(diào)諧技術(shù)根據(jù)工作頻率和環(huán)境條件優(yōu)化天線的性能。然而,所面臨的挑戰(zhàn)是,任何成功的天線調(diào)諧方案均須滿足損耗低、線性度高、能夠處理很高強(qiáng)度的RF信號且耗能少的要求。
  
天線調(diào)諧架構(gòu)
  
當(dāng)無源天線不再滿足帶寬要求提高、手機(jī)設(shè)計(jì)更復(fù)雜、天線可用空間更小等性能要求時(shí),通常使用開環(huán)天線調(diào)諧系統(tǒng)。在開環(huán)系統(tǒng)中,可調(diào)諧元件根據(jù)靜態(tài)信息(如發(fā)射/接收頻率、調(diào)制方案或使用情況)在設(shè)定的頻段和工作模式下微調(diào)天線的性能(見圖1)。但由于開環(huán)系統(tǒng)不對天線的運(yùn)行狀況進(jìn)行實(shí)時(shí)測量,因此無法具體考慮環(huán)境條件。
  
在移動(dòng)設(shè)備中,環(huán)境條件非常重要,它們在用戶行走、開車或移動(dòng)手指時(shí)發(fā)生變化。天線設(shè)計(jì)者可使用自適應(yīng)閉環(huán)天線調(diào)諧技術(shù)來應(yīng)對這些條件變化。在閉環(huán)調(diào)諧方案中,失配傳感器跟蹤天線的運(yùn)行狀況并提供反映實(shí)際情況的反饋信號。
  
失配傳感器把VSWR(反射回天線的功率幅度)與發(fā)射功率進(jìn)行比較并調(diào)節(jié)阻抗調(diào)諧電路。調(diào)諧算法使可調(diào)元件在各種使用情況下持續(xù)跟蹤環(huán)境條件,并把阻抗調(diào)到最優(yōu)值(見圖1)。


圖1:開環(huán)(左)和閉環(huán)(右)天線調(diào)諧方案
  
調(diào)諧挑戰(zhàn)
  
理論是有用的,但在蜂窩電話中實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)天線調(diào)諧的最大障礙是缺乏電氣參數(shù)可調(diào)、損耗低且調(diào)整比足夠?qū)挼母咝阅軣o功元件。在“高性能”方面,最具挑戰(zhàn)性的元件要求是功率處理能力和線性度。例如,GSM天線通常必須能夠處理最高+33dBm的發(fā)射功率,但在失配條件下,調(diào)諧元件實(shí)際上需要處理電壓高達(dá)30Vpk或功率高達(dá)+40dBm的RF信號。
  
為尋找更好的調(diào)諧材料,人們在過去幾年里進(jìn)行了大量的研究。例如,為實(shí)現(xiàn)可調(diào)的天線和濾波器,一些研究者已經(jīng)使用了微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)和鐵電材料技術(shù)(如鈦酸鍶鋇,BST)。這些技術(shù)盡管有發(fā)展前景,但目前仍面臨著巨大的技術(shù)和制造障礙。要充分滿足天線調(diào)諧的需要,設(shè)計(jì)人員需要能支持量產(chǎn)的技術(shù),最好是成熟的技術(shù)。
  
天線復(fù)雜性
  
天線是復(fù)雜器件,嵌入在手機(jī)中的天線也不例外。由于手機(jī)的RF收發(fā)器是針對50Ω阻抗設(shè)計(jì)的,因此其天線最好也能在整個(gè)頻段呈50Ω阻抗。但事實(shí)上,這很少能做到,因?yàn)楦鶕?jù)電磁定律,手機(jī)天生具有天線帶寬窄、匹配不良和輻射效率低等特點(diǎn)。
  
因而,天線在整個(gè)波段通常是按非50Ω阻抗設(shè)計(jì)的,對多波段天線,VSWR的典型值為2:1或3:1。天線阻抗也受其它因素的影響,如手機(jī)握持方式(即“頭手效應(yīng)”)。使用者的身體也吸收功率,進(jìn)一步限制了天線的輻射效率。手機(jī)天線通常在VSWR優(yōu)于3:1的狀態(tài)下工作,但如果使用者把手指放在天線發(fā)射器上,VSWR可能提高到9:1。如果在信號鏈中所有器件都是按照在VSWR為1:1設(shè)計(jì)的,那么可能會(huì)出問題。圖2顯示了“手效應(yīng)”的影響,所謂手效應(yīng)是指當(dāng)手放在天線發(fā)射器附近時(shí)天線產(chǎn)生諧振點(diǎn)偏移(detuning)。這個(gè)效應(yīng)改變了天線的諧振頻率,導(dǎo)致天線在預(yù)定工作頻率嚴(yán)重失配。


圖2:當(dāng)用戶把手放在天線發(fā)射器附近時(shí),天線的諧振頻率發(fā)生改變,導(dǎo)致在預(yù)定工作頻率失配。[page]

當(dāng)天線端口處在失配狀態(tài)時(shí),RF性能迅速下降。特別需要指出的是,如果天線處在VSWR=3:1(多波段天線的常用設(shè)計(jì)指標(biāo))的狀態(tài),大約1.25dB的功率由于反射而立即損失;如果VSWR達(dá)到5:1,失配損耗將提高到2.55dB。這樣的失配也將使功率放大器(PA)輸出功率下降,進(jìn)一步減少了輻射功率。如果手機(jī)的窄帶雙工或接收濾波器沒有端接到其特征阻抗,在其通帶中還會(huì)出現(xiàn)紋波,并額外帶來高達(dá)2dB的損失。在圖3中,綠線代表典型的WCDMA雙工發(fā)射濾波器在阻抗為50Ω時(shí)的性能。紅線是標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo),藍(lán)線顯示當(dāng)天線在所有相位VSWR均為5:1時(shí)的濾波器響應(yīng);注意在最壞情況下插入損耗達(dá)5dB。


圖3:當(dāng)手機(jī)的窄帶雙工或接收濾波器沒有端接到其特征阻抗時(shí),在通帶中也會(huì)出現(xiàn)紋波。本例中,VSWR為5:1的阻抗失配使插入損耗大幅度增加。
  
頭和手的影響、天線中的失配損耗、RF濾波器通帶中的紋波,以及PA輸出功率下降共同對手機(jī)天線發(fā)射出去的功率量造成嚴(yán)重影響。諧振點(diǎn)偏移的后果是電池壽命縮短、鏈接范圍縮小和呼叫質(zhì)量降低,并導(dǎo)致掉線數(shù)量增多。為解決這個(gè)問題,許多服務(wù)提供商都已建立了TRP(總輻射功率)和TIS(全向靈敏度)規(guī)范。要滿足這些規(guī)范,在測試手機(jī)時(shí)須模擬實(shí)際使用情況(針對頭和手),而不是簡單地在50Ω環(huán)境下完成傳導(dǎo)性測量或在自由空間中對電話進(jìn)行測試。
  
自適應(yīng)天線調(diào)諧有望成為滿足這些新型TRP和TIS規(guī)范的好方法,天線調(diào)諧器可以不受環(huán)境的影響而使天線呈50Ω特性,并使系統(tǒng)的其它部分在最優(yōu)條件下工作。盡管天線調(diào)諧器帶來一些額外的插入損耗,但同未加入天線調(diào)諧器的情況相比,自適應(yīng)天線調(diào)諧將極大地降低從調(diào)諧器輸入端到天線輸入端的總插入損耗(見圖4),進(jìn)而改善性能。


圖4:對自適應(yīng)閉環(huán)系統(tǒng)的仿真顯示,與未使用天線調(diào)諧器的系統(tǒng)(紅線)相比,加入天線調(diào)諧器(藍(lán)線)可降低插入損耗。
  
多波段收發(fā)系統(tǒng)的天線要求自適應(yīng)天線調(diào)諧電路能夠在一直到波段邊沿的整個(gè)波段內(nèi)保證性能,能主動(dòng)跟蹤諧振點(diǎn)偏移并迅速把天線的諧振點(diǎn)調(diào)回來。這個(gè)調(diào)諧電路必須具有極高的線性度以避免產(chǎn)生諧波或互調(diào)失真,同時(shí),還應(yīng)該體積小并耐用,調(diào)諧比至少為3:1,整個(gè)電路的功耗應(yīng)低于1mA。為了有效地改善性能,電路的插入損耗一定要小,因此品質(zhì)因數(shù)(Q)至少應(yīng)達(dá)到50。
  
新型數(shù)字可調(diào)電容器
  
Peregrine半導(dǎo)體公司的設(shè)計(jì)人員已基于該公司的UltraCMOS工藝和HaRP創(chuàng)新設(shè)計(jì)開發(fā)出DuNE技術(shù),并已申報(bào)專利。DuNE數(shù)字可調(diào)電容器(DTC)芯片是為滿足天線調(diào)諧要求而設(shè)計(jì)的,它內(nèi)含一些高Q值電容和一個(gè)串行接口,并具有偏置電壓低和線性度高的優(yōu)點(diǎn)。該器件采用倒裝芯片封裝,面向GSM/WCDMA手機(jī)的DuNEDTC的尺寸為1.36×0.81mm(見圖5)。


圖5:面向GSM/WCDMA應(yīng)用的DuNEDTC器件倒裝芯片外觀圖。[page]

實(shí)測性能
  
由于使用了完全絕緣的藍(lán)寶石基底,與笨重的CMOS和SOI技術(shù)相比,UltraCMOS場效應(yīng)晶體管(FET)的一個(gè)主要優(yōu)勢是可以疊在一起來處理高強(qiáng)度的RF功率。因而,它有能力處理+40dBm以上的功率,而且在處理高強(qiáng)度RF功率的同時(shí)不降低Q值或調(diào)諧比。
  
該技術(shù)有潛力開發(fā)出滿足眾多應(yīng)用系統(tǒng)和工作條件要求的DuNEDTC。目前已設(shè)計(jì)出電容范圍為0.5pF到10pF、調(diào)諧比為3:1到6:1、分辨率為5位(32級)的DTC(見圖6)。這些DTC可在1到2GHz范圍內(nèi)把Q值設(shè)定為40到80(見圖7)。除了在50Ω可處理>+38dBm的功率和開關(guān)速度優(yōu)于5秒之外(見圖8),這些新型DTC的功耗約為100μA(低于一些替代調(diào)諧技術(shù)的幅度)。


圖6:實(shí)測結(jié)果表明,5位DuNEDTC器件具有良好的線性調(diào)諧特性,電容范圍為1.15到3.4pF(調(diào)諧比為3:1)。
  


 圖7:DuNEDTC器件的品質(zhì)因數(shù)實(shí)測結(jié)果,在900MHz時(shí)其Q值為60-70。

 圖8:當(dāng)輸入功率高達(dá)+40dBm時(shí),三次諧波幅度低于-36dBm,滿足GSM規(guī)范。
  基于成熟的設(shè)計(jì)模塊和每周數(shù)百萬出貨量的工藝技術(shù),DuNE技術(shù)可極大地?cái)U(kuò)展手機(jī)設(shè)計(jì)人員的選擇空間。DTC的所有參數(shù)(電容值、調(diào)諧比、品質(zhì)因數(shù)、功率處理能力)都可通過電路設(shè)計(jì)而不是材料工程來改變,從而大大加快了新型專用設(shè)計(jì)的開發(fā)進(jìn)程。面向蜂窩電話和移動(dòng)電視應(yīng)用的DuNEDTC已經(jīng)在試產(chǎn)階段,計(jì)劃在2009-2010年開始量產(chǎn)。這項(xiàng)先進(jìn)的技術(shù)創(chuàng)新可以把完整的自適應(yīng)天線調(diào)諧系統(tǒng)集成到單片中,進(jìn)而極大地提高了新型手機(jī)設(shè)計(jì)的天線性能。
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