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這周五的上海很熱！原來將有3萬多名觀眾齊聚AI視覺盛宴“WAIE 2019” 3天倒計時
隨著移動互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、超級計算、智能制造、腦科學(xué)等新理論、新技術(shù)在整個經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展中呈現(xiàn)一片繁榮態(tài)勢，人工智能理論研究和產(chǎn)業(yè)應(yīng)用取得了長足地進(jìn)步，科研碩果累累，大批優(yōu)秀人工智能企業(yè)快速發(fā)展。
2019-08-08
移動互聯(lián)網(wǎng) 智能制造 AI視覺
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電容器的發(fā)熱特性
我們一般討論電容的時候會關(guān)注電容的溫度特性，即：溫度對容值等參數(shù)的影響。但是我們知道電容本身也是會發(fā)熱的：只要有電阻，又有電流，就會有電能轉(zhuǎn)化為熱能。
2019-08-07
電容器 發(fā)熱
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殊途同歸，從兩個角度解釋電容退耦原理
采用電容退耦是解決電源噪聲問題的主要方法。這種方法對提高瞬態(tài)電流的響應(yīng)速度，降低電源分配系統(tǒng)的阻抗都非常有效。
2019-08-07
電容 退耦 原理
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溫度測量：如何消除線阻抗引入的誤差？
工業(yè)現(xiàn)場環(huán)境復(fù)雜，傳感器距離控制器往往很遠(yuǎn)，對于測溫傳感器PT100，傳感器阻值變化0.385Ω/℃，因此過長導(dǎo)線的線阻抗不可忽視，消除導(dǎo)線引來的測量誤差，是提高PT100測量精度必須解決的問題。
2019-08-06
溫度測量 線阻抗 誤差
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當(dāng)電子元件性能下降，如何保護(hù)您的模擬前端？
EOS是一個通用術(shù)語，表示因為過多的電子通過相應(yīng)路徑試圖進(jìn)入電路，導(dǎo)致系統(tǒng)承受過大壓力。有一點需要注意，這是一個隨功率和時間變化的函數(shù)。
2019-08-06
電子元件 性能下降 模擬前端
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屏蔽效能分析
屏蔽效能表現(xiàn)了屏蔽體對電磁波的衰減程度。由于屏蔽體通常能將電磁波的強(qiáng)度衰減到原來的百分之一至萬分之一, 因此通常用分貝(dB)來表述。一般的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)40 dB, 軍用設(shè)備的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)60 dB, TEMPEST設(shè)備的屏蔽體的屏蔽效能可達(dá)80 dB以上。
2019-08-06
屏蔽 效能分析
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耦合與退耦，上拉與下拉！
耦合指信號由第一級向第二級傳遞的過程，一般不加注明時往往是指交流耦合。退耦是指對電源采取進(jìn)一步的濾波措施，去除兩級間信號通過電源互相干擾的影響。耦合常數(shù)是指耦合電容值與第二級輸入阻抗值乘積對應(yīng)的時間常數(shù)。
2019-08-06
耦合 退耦 上拉 下拉
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電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的MOSFET選擇
MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動電路比較簡單。
2019-08-05
電源系統(tǒng) 開關(guān)控制器 MOSFET
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MOS管簡介以及判定電極、放大能力的方法
MOS場效應(yīng)管即金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，屬于絕緣柵型。
2019-08-05
MOS管 判定電極 放大能力
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