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2011西部電子論壇 解讀西部電子設(shè)計(jì)行業(yè)四大亮點(diǎn)
隨著國(guó)家新的“西部大開(kāi)發(fā)”戰(zhàn)略的實(shí)施,中國(guó)西部迎來(lái)了新一輪的發(fā)展契機(jī),尤其是具有自己獨(dú)特“后發(fā)優(yōu)勢(shì)”的西部電子行業(yè)也將得到快速穩(wěn)定的增長(zhǎng)。由CNT Networks和中國(guó)(西部)電子展主辦的2011西部電子論壇,即將于8月23日-27日在成都和西安兩個(gè)西部電子重鎮(zhèn)舉辦。
2011-08-09
2011西部電子論壇 可靠性設(shè)計(jì) 工業(yè)電子 新能源 分銷
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2011西部電子論壇 解讀西部電子設(shè)計(jì)行業(yè)四大亮點(diǎn)
隨著國(guó)家新的“西部大開(kāi)發(fā)”戰(zhàn)略的實(shí)施,中國(guó)西部迎來(lái)了新一輪的發(fā)展契機(jī),尤其是具有自己獨(dú)特“后發(fā)優(yōu)勢(shì)”的西部電子行業(yè)也將得到快速穩(wěn)定的增長(zhǎng)。由CNT Networks和中國(guó)(西部)電子展主辦的2011西部電子論壇,即將于8月23日-27日在成都和西安兩個(gè)西部電子重鎮(zhèn)舉辦。
2011-08-09
2011西部電子論壇 可靠性設(shè)計(jì) 工業(yè)電子 新能源 分銷
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中國(guó)數(shù)碼攝像機(jī)市場(chǎng)2011年上半年回顧及展望
2011年上半年,受經(jīng)濟(jì)增速放緩和通貨膨脹對(duì)消費(fèi)者需求產(chǎn)生抑制的影響,中國(guó)數(shù)碼攝像機(jī)市場(chǎng)表現(xiàn)低于去年。今年下半年國(guó)內(nèi)經(jīng)濟(jì)增速將有所恢復(fù),通貨膨脹也會(huì)得到控制,因此預(yù)計(jì)下半年市場(chǎng)需求的回升將推動(dòng)數(shù)碼攝像機(jī)市場(chǎng)的增長(zhǎng)。
2011-08-09
數(shù)碼攝像機(jī) 3D 3D液晶屏 閃存
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ST推出可提供6個(gè)自由度的全新MEMS模塊
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球第一大消費(fèi)電子和便攜設(shè)備MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))傳感器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體進(jìn)一步擴(kuò)大MEMS產(chǎn)品組合,推出整合三軸線性運(yùn)動(dòng)和角速率傳感器的新一代傳感器模塊,這款擁有6個(gè)自由度的高性能多傳感器模塊適用于先進(jìn)運(yùn)動(dòng)感測(cè)應(yīng)用,包括遙控器、黑匣子數(shù)據(jù)記錄儀以及增強(qiáng)型全球定位系...
2011-08-09
傳感器 半導(dǎo)體 傳感器模塊 多軸傳感器
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ST推出可提供6個(gè)自由度的全新MEMS模塊
橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球第一大消費(fèi)電子和便攜設(shè)備MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))傳感器供應(yīng)商意法半導(dǎo)體進(jìn)一步擴(kuò)大MEMS產(chǎn)品組合,推出整合三軸線性運(yùn)動(dòng)和角速率傳感器的新一代傳感器模塊,這款擁有6個(gè)自由度的高性能多傳感器模塊適用于先進(jìn)運(yùn)動(dòng)感測(cè)應(yīng)用,包括遙控器、黑匣子數(shù)據(jù)記錄儀以及增強(qiáng)型全球定位系...
2011-08-09
傳感器 半導(dǎo)體 傳感器模塊 多軸傳感器
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分析師:平板電腦銷量預(yù)測(cè)可能虛高
近日消息,據(jù)外媒報(bào)道,分析師表示,由于受蘋(píng)果競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手紛紛增加平板電腦出貨量的影響,他們對(duì)這些產(chǎn)品銷售數(shù)字的預(yù)測(cè)存在偏差。
2011-08-09
平板設(shè)備 庫(kù)存 平板電腦 ipad
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element14亞太區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)品組合數(shù)量翻倍
首個(gè)融合電子商務(wù)與在線社區(qū)的電子組件分銷商e絡(luò)盟母公司element14近日宣布,其擁有13萬(wàn)電子產(chǎn)品的庫(kù)存已經(jīng)將半導(dǎo)體產(chǎn)品的庫(kù)存提高一倍,從而為亞太區(qū)提供最全面的芯片選擇。
2011-08-09
element14 半導(dǎo)體 e絡(luò)盟
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歐姆龍與IceMos開(kāi)始量產(chǎn)采用MEMS工藝技術(shù)的超結(jié)構(gòu)造MOSFET
美國(guó)IceMos Technology與歐姆龍開(kāi)始量產(chǎn)采用MEMS工藝技術(shù)的超結(jié)(Super-Junction)構(gòu)造MOSFET。IceMos Technology主要負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā),歐姆龍負(fù)責(zé)生產(chǎn)。首批量產(chǎn)的是兩種產(chǎn)品。分別是耐壓為650V、最大漏電流為20A、導(dǎo)通電阻為170mΩ的產(chǎn)品和耐壓為600V、最大漏電流為20A、導(dǎo)通電阻為160mΩ的產(chǎn)品。作...
2011-08-09
MEMS工藝 n型層 p型層 MOSFET
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晶圓代工 明年?duì)I收估成長(zhǎng)17%
盡管現(xiàn)階段晶圓代工廠商正面臨庫(kù)存去化的挑戰(zhàn),國(guó)際集成元件大廠(IDM)高度依賴晶圓代工的效應(yīng),預(yù)計(jì)將從2012年第2季起開(kāi)始浮現(xiàn),2012年晶圓代工營(yíng)收成長(zhǎng)率預(yù)計(jì)可達(dá)17%!
2011-08-09
晶圓 晶圓代工 晶圓代工產(chǎn)業(yè)
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