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攜手共進(jìn)，合作共贏--全志科技&OPEN AI LAB聯(lián)合發(fā)布會(huì)圓滿舉行！
9月19日，“全志科技&OPEN AI LAB戰(zhàn)略發(fā)布會(huì)”在深圳蛇口希爾頓圓滿舉行。
2019-09-20
全志科技 OPEN AI LAB 智能汽車
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汽車線束布置、失效方式及可靠性研究
汽車線束系統(tǒng)是連接蓄電池和各電器元件的主要載體。且在整車零部件中是相對(duì)薄弱、易損壞的零件。本文基于整車線束失效解決案例，對(duì)線束系統(tǒng)引起的整車失效問(wèn)題進(jìn)行系統(tǒng)的歸納總結(jié)，并提出基于PDCA有效的改進(jìn)措施，提高了汽車線束布置與走向設(shè)計(jì)的穩(wěn)健性，降低失效頻率。
2019-09-17
汽車線束
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芯片設(shè)計(jì)之反向工程的流程和各道工序
有制造就對(duì)應(yīng)著拆解，這是刻苦好學(xué)的人們?yōu)榱双@取知識(shí)所進(jìn)行的最暴力也是最直接的方法。那么，集成電路的反向工程是怎樣的一個(gè)流程？其各道工序又如何進(jìn)行？
2019-09-17
芯片設(shè)計(jì) 反向工程
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什么是光耦，它有哪些特點(diǎn)，都應(yīng)用于哪些電路？
我們知道作為開(kāi)關(guān)電源，它電路中光耦的電源是從高頻變壓器次級(jí)電壓來(lái)獲取的，一旦輸出電壓由于各種原因降低時(shí)候，反饋電流就會(huì)相應(yīng)的加大，此時(shí)占空比也會(huì)相應(yīng)的變大，結(jié)果使得輸出電壓升高；若輸出電壓升高，那么電流將會(huì)變小，占空比也會(huì)減小，使得輸出電壓降低。
2019-09-12
光耦 特點(diǎn) 應(yīng)用
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五個(gè)電磁兼容實(shí)例應(yīng)用分析
以下分析五個(gè)關(guān)于電磁兼容的實(shí)例應(yīng)用，實(shí)例一：某系統(tǒng)設(shè)備在做422通訊串口的射頻場(chǎng)感應(yīng)傳導(dǎo)測(cè)試，采用雙絞屏蔽線，開(kāi)始采用的是單端接地，測(cè)試時(shí)出現(xiàn)的誤碼率高。
2019-09-11
電磁兼容
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菜鳥(niǎo)選擇MOSFET的四步驟！
本文概括了一些MOSFET的關(guān)鍵指標(biāo)，這些指標(biāo)在數(shù)據(jù)表上是如何表述的，以及你理解這些指標(biāo)所要用到的清晰圖片。像大多數(shù)電子器件一樣，MOSFET也受到工作溫度的影響。所以很重要的一點(diǎn)是了解測(cè)試條件，所提到的指標(biāo)是在這些條件下應(yīng)用的。還有很關(guān)鍵的一點(diǎn)是弄明白你在“產(chǎn)品簡(jiǎn)介”里看到的這些指標(biāo)是“最...
2019-09-09
MOSFET 導(dǎo)通電阻 柵極電荷
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【工程師實(shí)戰(zhàn)】一個(gè)晶振引發(fā)的EMI超標(biāo)原因及對(duì)策
某行車記錄儀，測(cè)試的時(shí)候要加一個(gè)外接適配器，在機(jī)器上電運(yùn)行測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)超標(biāo)，具體頻點(diǎn)是84MHZ、144MH、168MHZ，需要分析其輻射超標(biāo)產(chǎn)生的原因，并給出相應(yīng)的對(duì)策。
2019-09-06
晶振 EMI超標(biāo) EMI
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靜電保護(hù)原理和設(shè)計(jì)
一直想給大家講講ESD的理論，很經(jīng)典。但是由于理論性太強(qiáng)，如果前面那些器件理論以及snap-back理論不懂的話，這個(gè)大家也不要浪費(fèi)時(shí)間看了。任何理論都是一環(huán)套一環(huán)的，如果你不會(huì)畫雞蛋，注定了你就不會(huì)畫大衛(wèi)。
2019-09-05
靜電保護(hù) ESD 原理 設(shè)計(jì)
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降低噪音：限制電磁干擾（二）
在上一篇文章“降低噪音：限制電磁干擾（一）”中，我們介紹了電磁干擾的根源和降低電磁干擾的三種主要方式。本文，我們將介紹通過(guò)降低噪音并限制汽車系統(tǒng)中電磁干擾的解決方案。
2019-09-05
降低噪音 電磁干擾
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