舉個例子，處理器芯片運算能力的顯著提高歸功于工程師的不斷努力，在芯片單位面積上擠進更多的晶體管。根據(jù)摩爾定律，晶體管密度每18個月左右就提高一倍，這個定律控制半導體微處理器迭代50多年。現(xiàn)在，我們即將到達原子學和物理學的理論極限，需要新的技術，例如，分層垂直堆疊技術。

 

同時，我們也正處于另一場革命浪潮之中，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導體正在快速發(fā)展，這些新材料具有獨特的物理性質，可以提高器件的能效和功率密度，能夠在更惡劣的熱環(huán)境內安全工作。

 

意法半導體已經(jīng)量產(chǎn)STPOWER SiC MOSFET，這將有助于推進電動汽車（EV）應用，引爆汽車大規(guī)模電動化時代，最終實現(xiàn)自動駕駛和綠色出行。

 

在本世紀初出現(xiàn)的超結MOSFET是一場高壓（即200V以上）硅基功率晶體管的技術革命。直到20世紀90年代末，芯片設計者還不得不接受這樣一個“公理”，即平面晶體管的品質因數(shù)（導通電阻與芯片面積的乘積）與擊穿電壓BV成正比，比例最高到2.5。這個公理意味著，在給定的電壓下，要達到較低的導通電阻值，唯一的解決辦法就是增加芯片面積，而這一結果是小封裝應用變得越來越難。通過使上述關系接近線性，超結技術拯救了高壓MOSFET。意法半導體將該技術命名為MDmesh，并將其列入STPOWER的子品牌。

 

超結晶體管的原理

 

超結晶體管的工作原理是利用一個簡化的麥克斯韋方程，例如，只有垂直軸y的一維坐標系，該方程規(guī)定y軸上的電場斜率等于電荷密度r 除以介電常數(shù)e ，用符號表示：dE/dy=r/e。另一個方程是代表電壓V和y軸上的電場分量E的關系，即E=-dV/dy。換句話說，電壓V是E的積分，或用幾何術語表示，E曲線下的面積是y的函數(shù)。我們可以通過比較標準平面MOSFET的垂直結構和相同尺寸的超結MOSFET來了解它們的工作原理。本質上，超結是在垂直漏極內部延長基本晶體管的p體，實現(xiàn)一個p型柱。

 

在平面結構（圖1左圖和圖表）中，從芯片表面開始沿y軸向下，我們看到p體，在到達A點前，場強斜率一直是正值。從A點到B點是電荷極性為負的漏極，因此，場強斜率從正變負。從B點到襯底，負電荷密度變得更大（n-），所以，場強斜率上升。圖中的綠色區(qū)域表示在關斷狀態(tài)下可以維持的電壓。在右邊的超結圖中，p型柱的加入改變了電場分布情況。事實上，從C點到A點，電場分布保持恒定（體和柱的極性相同），然后，因為漏極和襯底的原因，場強變化與平面結構相同，斜率變負。因此，在電場下方的區(qū)域更大，電壓V2得以維持，這就是P型柱的神奇之處。現(xiàn)在，在給定的電壓下，我們就可以降低漏極電阻率和導通電阻。

 

圖1平面MOSFET(左)和超結MDmesh MOSFET(右)

 

技術演變過程

 

自從問世以來，MDmesh晶體管不斷地被改進和完善，如今仍然有大量的變電設備在使用MDmesh晶體管。垂直p型柱的制造工藝已經(jīng)過大幅優(yōu)化，確保晶體管具有更好的制造良率和工作穩(wěn)健性。根據(jù)目標電路的拓撲結構和應用需求，現(xiàn)在工程師可以選用不同的專用產(chǎn)品系列，這種在技術層面的多用途和靈活性為系統(tǒng)設計人員帶來更多的選擇。在400V至650V電壓范圍內，通用M2系列具有非常高的性價比，另外，還有應用范圍覆蓋PFC、軟開關LLC和電橋拓撲的耐壓提高至1700V的專用產(chǎn)品。

 

除此之外，意法半導體還引入鉑離子注入等壽命終止技術來提高寄生二極管的性能，減少反向恢復時間trr和反向恢復電荷Qrr，提高dV/dt（DM系列）耐量。這些產(chǎn)品特性非常適用于電橋和大功率移相電路。MDmesh快速二極管款甚至可以與低功率電機驅動器中的IGBT媲美，而無需在封裝內再增加一個二極管。冰箱壓縮機150W逆變器是一個提高能效的典型例子，如圖2所示。

 

圖2：MDmesh快速二極管款MOSFET與DPAK封裝IGBT在壓縮機逆變器應用中的能效曲線比較圖。試驗條件：0.23Nm (負載)，220V/50Hz (輸入電壓)

 

應用廣泛的MDmesh晶體管的出貨量已經(jīng)達到數(shù)十億顆。M6系列是為諧振變換器優(yōu)化的MDmesh產(chǎn)品，通過與早期的M2系列對比，意法半導體設計師在迭代改進方面花了不少心血，如圖3所示。

 

 

圖3：從M2到M6：柵極電荷、閾值電壓和輸出電容三項指標被全面改進

 

在圖3中，從左到右，我們看到較低的柵極電荷、較高的閾值電壓和更加線性的電壓和輸出電容比，這些特性可以產(chǎn)生較高的開關頻率、較低的開關損耗，在較輕的負載下實現(xiàn)更高的能效。

 

超結晶體管基礎技術結合先進的制造工藝，通過對dI/dt、dV/d等重要開關參數(shù)給與特別考慮，意法半導體創(chuàng)造了一種高性能的高壓MOSFET，如圖4的安全工作區(qū)圖所示。由于這些改進，DM6 MDmesh系列非常適合太陽能逆變器、充電站、電動汽車車載充電機（OBC）等應用。

 

圖4 dI/dt與dV/dt安全工作區(qū)域

 

應用領域

 

意法半導體的MDmesh晶體管的應用非常廣泛，我們只能從中選擇幾個有代表性的用例展示產(chǎn)品優(yōu)點。

 

手機充電適配器是規(guī)模較大的MDmesh應用領域，圖5是一個120W充電適配器。

 

圖5：手機充電適配器中的MDmesh

 

圖6描述了“定制型”M5系列和基本型M2系列在功率較高的1.5kW功率因數(shù)校正電路中的能效比較。兩個MOSFET具有相似的導通電阻(M5和M2的導通電阻分別為37和39 mOhm)和反向耐壓(650V)。

 

圖6：M5系列（藍線）如何在大功率條件下提高PFC能效

 

圖7所示是一個有趣的例子，在車載充電機OBC的3kW半橋LLC電路中，在Vin=380V-420V、Vout=48V、開關頻率f=250Hz-140kHz條件下，意法半導體最新的DM6系列 (STWA75N65DM6)與競品比較。

 

圖7 ：3kW全橋LLC:關斷電動勢與輸出功率比；能效比與輸出功率比

 

圖8是損耗分類分析圖，表明導通損耗和開關損耗的優(yōu)化組合是達到最低損耗和最高能效的關鍵因素。

 

圖8：3kW全橋LLC變換器中各種損耗根源分析

 

此外，快速增長的5G技術也將受益于MDmesh技術創(chuàng)新。5G系統(tǒng)蜂窩小區(qū)密度連續(xù)提高，而基站卻不斷地小型化，從微蜂窩向微微蜂窩發(fā)展，在能效、產(chǎn)能、競爭力和性能方面占優(yōu)的MDmesh是中繼器電源芯片的絕佳選擇。

 

為了使5G系統(tǒng)的工作能效超過98%，PFC級和DC-DC變換器級的能效都必需達到99%。PFC的解決方案可以是MCU數(shù)控三角形電流模式（TCM）三通道交錯無橋圖騰柱電路。TCM系統(tǒng)使變換器能夠執(zhí)行零電壓開關操作，從而顯著降低開關損耗?？傮w上，最后得到一個平滑的能效曲線，能效在低負載時表現(xiàn)良好，此外，還可以使用尺寸更小的電感器、EMI擾濾波器和輸出電容。

 

MDmesh晶體管為5G無線系統(tǒng)的推出鋪平了道路。

 

擴散焊接和封裝

 

擴散焊接工藝是下一代MDmesh產(chǎn)品的另一個有趣的創(chuàng)新技術。

 

在標準焊接工藝（軟釬焊）中，金屬間化合物(IMP)的形成是鍵合的基礎，IMP包括界面上的金屬間化合物薄層和各層中間未反應焊料。熱循環(huán)后標準軟焊點失效機理分析發(fā)現(xiàn)，在未反應焊料體積內出現(xiàn)疲勞裂紋擴大現(xiàn)象。

 

硬度和脆性是所有金屬間化合物的兩個重要性質，這兩個性質會降低材料的延伸性。眾所周知，在熱機械應力作用下，脆性會導致設備失效，從而降低電子設備的可靠性。

 

此外，在焊料層中有大小不同的空隙，這不僅會降低芯片和引線框架之間的熱連接可靠性，而且還可能產(chǎn)生“熱點”，即局部溫度非常高的微觀體積。另一個要考慮的效應是MOSFET參數(shù)與溫度關系緊密，例如，隨著溫度升高，導通電阻變大，而閾值電壓降低。雖然前一種趨勢具有穩(wěn)定作用，但后一種趨勢可能對器件有害，尤其是在開關轉換期間。

 

為了克服這些問題，業(yè)界正在開發(fā)一種結合標準焊接與擴散焊接特性的等溫擴散焊接新工藝。

 

本質上，這種工藝是通過在界面生長IMP來使低熔點材料（例如Sn-Cu焊膏）和高熔點材料（例如來自襯底的Cu）發(fā)生的一種反應。

 

與傳統(tǒng)焊接不同，這種焊接工藝是在焊接過程中，不限于冷卻后，通過等溫凝固方法形成焊點。

 

形成熔點非常高的合金相這一優(yōu)點還有助于產(chǎn)生優(yōu)異的機械穩(wěn)健性。因為電力封裝產(chǎn)品的結溫會達到200°C，新擴散焊接技術可以改善芯片與基板的連接性能，確保工作溫度不超過會焊接工藝溫度，導致晶體管過早失效。

 

通過改善熱性能，新焊接工藝解決了軟釬焊的一些缺點，所以，芯片的電氣性能更好。這種焊接工藝與新的封裝概念是完美組合，例如，TO-LL(TO無引腳)等SMD表面貼裝器件具有非常好的封裝面積與熱阻比率，還配備了開爾文引腳，關斷能效更高，因此，可以用M6解決硬開關拓撲設計問題與或用導通電阻更低的MD6系列設計電橋電路。

 

圖9：TO-LL封裝與SMD封裝對比

 

為了更全面地介紹這個封裝，圖9展示了一個叫做ACEPACK™ SMIT(貼裝隔離正面散熱)的創(chuàng)新的分立電源模塊，如圖9所示。這種模壓引線框架封裝包含一個DBC(直接鍵合銅)基板，可以安裝多個分立芯片，實現(xiàn)各種拓撲。ACEPACK SMIT的0.2 °C/W低熱阻率令人印象深刻，背面陶瓷確保最小絕緣電壓達到3400VRMS(UL認證)。

 

圖10：ACEPACK SMIT封裝

 

圖11：ACEPACK SMIT內部配置的靈活性

 

MDmesh的未來

 

經(jīng)過20多年的發(fā)展，STPOWER MDmesh技術不斷進步，與意法半導體創(chuàng)新性的寬帶隙半導體一起，繼續(xù)為市場帶來各種類型的功率晶體管。圖12所示是不斷迭代的MDmesh晶體管與標準技術的導通電阻和擊穿電壓比值及其物理學理論極限，其中M9和K6現(xiàn)已量產(chǎn)。為了解釋的更清楚，K5和K6代表非常高的電壓（從800V到1700伏）技術。

 

圖12：MDmesh導通電阻演變

 

為了滿足不同應用的需求，MDmesh產(chǎn)品經(jīng)過多次升級換代，圖13是從第一代MOSFET到TrenchFET的迭代圖。

 

下一步計劃是什么呢？在推出MD6之后，意法半導體新的目標的是將溝槽柵極結構的優(yōu)點應用到超級結中，這會讓MDmesh又向前邁出一大步，然后將溝槽柵極結構擴展到SiC等未來的開創(chuàng)性技術。通過適當?shù)恼{整和優(yōu)化，寬帶隙技術有望在現(xiàn)有的硅技術上全面改進性能，這個性能征程勢必會帶來更多的驚喜！

 

圖13: MDmesh里程碑: 走向溝槽柵極技術

 

編輯注：

 

Filippo Di Giovanni 是意法半導體功率晶體管事業(yè)部的戰(zhàn)略營銷、創(chuàng)新和大項目經(jīng)理，常駐意大利卡塔尼亞。作為技術營銷經(jīng)理，他幫助推出了第一款帶狀MOSFET，并在 90 年代末協(xié)調參與了“超結”高壓 MOSFET(MDmeshTM) 的開發(fā)，見證了硅功率半導體的突破。

 

2012年，他負責開發(fā)首批 1,200V 碳化硅 (SiC) MOSFET，為意法半導體取得當今市場領導者，和各個應用領域（包括不斷增長的電動汽車市場）的主要供應商（之一）的地位做出了貢獻。

 

Di Giovanni 博士的研發(fā)經(jīng)歷還包括研究用于功率轉換和射頻領域的硅基氮化鎵(GaN-on-Si) HEMT。他經(jīng)常受邀參加各種功率轉換相關的會議和研討會，他還負責與ST 的重要行業(yè)合作伙伴共同開發(fā)硅基氮化鎵。

 

 

免責聲明：本文為轉載文章，轉載此文目的在于傳遞更多信息，版權歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權問題，請聯(lián)系小編進行處理。

 

推薦閱讀：