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阻抗測(cè)量基礎(chǔ)

發(fā)布時(shí)間:2018-06-27 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】這里的阻抗指的是電感、電容、電阻等器件的阻抗,不是指PCB的特性阻抗。應(yīng)用領(lǐng)域是數(shù)字電路的器件測(cè)量。PCB的特性阻抗測(cè)量技術(shù)參考博文:PCB阻抗測(cè)量技術(shù)。)
 
一、阻抗測(cè)試基本概念
 
阻抗定義:
 
阻抗是元器件或電路對(duì)周期的交流信號(hào)的總的反作用。
 
AC 交流測(cè)試信號(hào) (幅度和頻率)。
 
包括實(shí)部和虛部。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖1 阻抗的定義
 
阻抗是評(píng)測(cè)電路、元件以及制作元件材料的重要參數(shù)。那么什么是阻抗呢?讓我們先來(lái)看一下阻抗的定義。
 
首先阻抗是一個(gè)矢量。
 
通常,阻抗是指器件或電路對(duì)流經(jīng)它的給定頻率的交流電流的抵抗能力。它用矢量平面上的復(fù)數(shù)表示。一個(gè)阻抗矢量包括實(shí)部(電阻R)和虛部(電抗X)。
 
如圖11-1所示,阻抗在直角坐標(biāo)系中用Z=R+jX表示。那么在極坐標(biāo)系中,阻抗可以用幅度和相角表示。直角坐標(biāo)系中的實(shí)部和虛部可以通過(guò)數(shù)學(xué)換算成極坐標(biāo)系中的幅度和相位。
 
其次,要記住阻抗的單位是歐姆。另外,要思考一下我們所熟知的電阻(R)、電感(L)和電容(C)分別對(duì)應(yīng)由于復(fù)阻抗平面中的位置。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖2 阻抗的公式
 
什么是導(dǎo)納呢?
 
導(dǎo)納是阻抗的倒數(shù),它也可以可以表述為實(shí)部(G電導(dǎo))和虛部(電納),其單位是西門子。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖3 導(dǎo)納的公式
 
為什么要有阻抗和導(dǎo)納兩種表述方式呢?主要是為了非常簡(jiǎn)單的表述兩種常用串連和并聯(lián)連接方式。對(duì)于電阻和電抗串聯(lián)連接時(shí),采用阻抗的表述非常簡(jiǎn)單易用。但是對(duì)于電阻和電
 
抗并聯(lián)連接時(shí),阻抗的表述非常復(fù)雜,這時(shí)候,采用導(dǎo)納就非常簡(jiǎn)單易用了。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖4 阻抗和導(dǎo)納的關(guān)系
 
阻抗同電感L和電容C的關(guān)系:
 
電抗有兩種形式——感抗(XL)和容抗(XC)。電感對(duì)應(yīng)的是感抗,電容對(duì)應(yīng)的是容抗。對(duì)于理想的電感和電容,它們分別和感抗、容抗之間滿足正比和反比的關(guān)系。
 
按照定義, XL=2pfL=wL
 
XC= 1/2pfC=1/wC
 
f是交流信號(hào)的頻率, L 是電感,C是電容。電感的單位時(shí)亨,電容的單位是法。
 
w為角速度, w= 2pf。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖5 阻抗同電容/電感的關(guān)系
 
如果將電感的阻抗Vs頻率圖也畫在同一個(gè)阻抗圖中,不難發(fā)現(xiàn),電感的阻抗隨頻率增加而增加,電容的阻抗隨頻率的增加而減小。即便是理想的電感或電容,它們的阻抗也隨入射交流信號(hào)的頻率不同而改變。
 
品質(zhì)因子Q和損耗因子 D:
 
因子Q是衡量電抗(同時(shí)也是電納)純度的指標(biāo)。換句話說(shuō),品質(zhì)因子Q是表明器件接近純電抗的程度,品質(zhì)因子越大,說(shuō)明電抗的絕對(duì)值越大,反過(guò)來(lái)說(shuō),也就是說(shuō)明器件的電阻越小。
 
實(shí)際上,器件阻抗中的實(shí)數(shù)部分,即電阻的大小表明能量在經(jīng)過(guò)器件傳輸后,能量的損耗大小。因此,從上面的公式中可以看到,品質(zhì)因子表明器件能量的損耗程度。
 
品質(zhì)因數(shù)(Q)是電抗純度的度量(即與純電抗,也就是與沒有電阻的接近程度),定義為元件中存儲(chǔ)能量與該元件損耗能量之比。
 
Q是無(wú)量綱單位,表達(dá)式為Q=X/R=B/G。您可從圖6看到Q是q角的正切。
 
Q一般適用于電感器,對(duì)于電容器來(lái)說(shuō),表示純度的這一項(xiàng)通常用耗散因素(D)表示。耗散因素是Q的倒數(shù),它也是q補(bǔ)角的正切,圖6中示出了d角。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖6 品質(zhì)因子和損耗因子
 
實(shí)際電容模型:
 
讓我們來(lái)仔細(xì)研究真實(shí)的電容器件。首先我們要清楚,不同的材料和制造技術(shù)會(huì)造成不同大小的寄生參數(shù)。器件的引線會(huì)產(chǎn)生不希望的串聯(lián)電阻和電感,器件的兩端會(huì)存在寄生的并聯(lián)電阻和寄生電容。以致影響到元件的可使用性,以及所能確定電阻、電容或電感量值的準(zhǔn)確程度。
 
一個(gè)真實(shí)世界的元件包含許多寄生參數(shù)。作為元件主要參數(shù)和寄生參數(shù)的組合,如上圖所示,一個(gè)元件就好比是一個(gè)復(fù)雜的電路。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖7 實(shí)際的電容模型
 
為什么要測(cè)試阻抗?
 
● 元件的阻抗受很多因素影響
● 頻率
● 測(cè)試信號(hào)
● 直流偏置
● 溫度
● 其他
 
由于存在寄生參數(shù),因此頻率對(duì)所有實(shí)際元件都有影響。并非所有的寄生參數(shù)都會(huì)影響測(cè)量結(jié)果,但正是某些主要的寄生參數(shù)確定了元件的頻率特性。當(dāng)主要元件的阻抗值不同時(shí),主要的寄生參數(shù)也會(huì)有所不同。圖8至圖10示出實(shí)際的電阻器、電感器和電容器的典型頻率響應(yīng)。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖8 頻率對(duì)電阻阻抗的影響
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖9 頻率對(duì)電感阻抗的影響
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖10 頻率對(duì)電容阻抗的影響
 
交流信號(hào)電平的影響(電容):
 
與交流電壓有關(guān)的SMD 電容(具有不同的介電常數(shù), K) 受交流測(cè)試電壓的影響如圖11所示。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖11 電容受交流測(cè)試電壓的影響
 
磁芯電感器受線圈材料的電磁回滯特性影響,線圈電感的感值會(huì)隨著測(cè)試信號(hào)電流變化而變化,如圖12所示。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖12 磁芯電感器受交流測(cè)試電流的影響
 
直流偏置也會(huì)改變器件的特性。大家都知道直流偏置會(huì)影響半導(dǎo)體器件(比如二極管和晶體管以及其他被動(dòng)器件/無(wú)源器件)的特性。對(duì)于具有高介電常數(shù)材料制成的電容來(lái)說(shuō),器件上所加的直流偏置電壓越高,電容的變化越大。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖13 陶瓷電容受直流偏置電平的影響
 
對(duì)于磁芯電感器,電感隨流過(guò)線圈的直流變化而變化,這主要應(yīng)歸于線圈材料的磁通飽和特性。
 
現(xiàn)在,開關(guān)電源非常普遍。電力電感通常用于濾波由于高電流開關(guān)的射頻干擾和噪聲。為了保持好的濾波特性,減小大電流的紋波,電力電感必須在工作條件下測(cè)量其特性,以保證電感的滾將特性不影響其工作特性。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖14 磁芯電感器受直流偏置電流的影響
 
大多數(shù)器件都容易受溫度影響。對(duì)于電阻、電感和電容,溫度特性是非常重要的規(guī)范參數(shù)。下圖曲線表示不同介電常數(shù)的陶瓷電容與溫度的相關(guān)性。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖15 陶瓷電容受溫度的影響
 
二、阻抗測(cè)量方法和原理
 
阻抗測(cè)量有多種可選擇的方法,每種方法都有各自得優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。需要首先考慮測(cè)量的要求和條件,然后選擇最合適的方法。需要考慮的因素包括頻率覆蓋范圍、測(cè)量量程、測(cè)量精度和操作的方便性。
 
沒有一種方法能夠包括所有的測(cè)量能力,因而在選擇測(cè)量方法時(shí)需要折中考慮。下面針對(duì)高速數(shù)字電路的特性,重點(diǎn)介紹三種方法。如果只考慮測(cè)量精度和操作方便性,自動(dòng)平衡電橋法師直至110MHz頻率的最佳選擇。對(duì)于100MHz至3GHz的測(cè)量,射頻I-V法有最好的測(cè)量能力,其他則推薦采用網(wǎng)絡(luò)分析技術(shù)。
 
2.1 自動(dòng)平衡電橋法
 
流過(guò)DUT的電流也流過(guò)電阻器Rr。“L”點(diǎn)的電位保持為0V(從而稱為“虛地”)。I-V轉(zhuǎn)換放大器使Rr上的電流與DUT的電流保持平衡。測(cè)量高端電壓和Rr上的電壓,即可計(jì)算出DUT的阻抗值。
 
各類儀器自動(dòng)平衡電橋的實(shí)際配置會(huì)有所不同。常規(guī)LCR表的低頻范圍一般低于100KHz,可使用簡(jiǎn)單的運(yùn)算放大器作為它的I-V轉(zhuǎn)換器。由于受到放大器性能的限制,這類儀器在高頻時(shí)的精度較差。
 
寬帶LCR表和阻抗分析儀所使用的I-V轉(zhuǎn)換器包括復(fù)雜的檢波器、積分器和矢量調(diào)制器,以保證在1MHz以上寬頻率范圍內(nèi)的高精度。這類儀器能達(dá)到110MHz的最高頻率。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖16 自動(dòng)平衡電橋法原理
 
自動(dòng)平衡電橋法優(yōu)缺點(diǎn):
 
● 最準(zhǔn)確, 基本測(cè)試精度 0.05%
● 最寬的阻抗測(cè)量范圍: C, L, D, Q, R, X, G, B, Z, Y, O, ...
● 最寬的電學(xué)測(cè)試條件范圍
● 簡(jiǎn)單易用
● 低頻, f < 110MHz
 
2.2 射頻I-V法
 
射頻I-V法用阻抗匹配測(cè)量電路(50歐姆)和精密同軸測(cè)試端口實(shí)現(xiàn)不同配置,能在較高頻率下工作。有兩種放置電壓表和電流表的方法,以分別適應(yīng)低阻抗和高阻抗的測(cè)量。如圖所示,被測(cè)器件(DUT)的阻抗由電壓和電流測(cè)量值導(dǎo)出,流過(guò)DUT的電流由已知阻值的低阻電阻器R上的電壓經(jīng)計(jì)算得到。在實(shí)際測(cè)量中,電阻器R處放置低損耗互感器,但該互感器也限制了可應(yīng)用頻率范圍的低端。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖17 射頻I-V法
 
RF I-V 法優(yōu)缺點(diǎn)
 
● 寬的/高頻范圍, 1MHz < f< 3GHz
● 好的測(cè)試精度, 基本測(cè)試精度 0.8%
● 寬的阻抗測(cè)量范圍, 100m – 50KW @ 10%accuracy
● 100MHz最準(zhǔn)確的測(cè)試方法
● 接地器件測(cè)試
 
2.3 網(wǎng)絡(luò)分析法
 
通過(guò)測(cè)量注入信號(hào)與反射信號(hào)之比得到反射系數(shù)。用定向耦合器或電橋檢測(cè)反射信號(hào),并用網(wǎng)絡(luò)分析儀提供和測(cè)量該信號(hào)。由于這種方法測(cè)量的是在DUT上的反射,因而能用于較高的頻率范圍。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖18 網(wǎng)絡(luò)分析法
 
根據(jù)實(shí)際的測(cè)量需求,網(wǎng)絡(luò)分析法又延伸出幾個(gè)方法,以提高測(cè)試的阻抗范圍。
 
2.3.1 反射法
 
這是最典型的網(wǎng)絡(luò)分析法,通過(guò)測(cè)試S11,來(lái)測(cè)試阻抗,公式如下:
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
 
對(duì)于E5061B網(wǎng)絡(luò)分析儀:
 
● 頻率范圍可測(cè):5Hz到3GHz
● 10%精度阻抗范圍:1歐姆~2K歐姆
● 可利用7mm類型系列測(cè)試夾具
 
2.3.2 串聯(lián)直通法
 
如圖所示,串聯(lián)直通法通過(guò)串接方式連接測(cè)量DUT。對(duì)于E5061B,增益-相位測(cè)試端口和S參數(shù)測(cè)試端口都能使用串聯(lián)直通法。相比來(lái)說(shuō),增益-相位測(cè)試端口更加方便,因?yàn)?端接類型的器件測(cè)試夾具能夠直接連接到增益-相位測(cè)試端口。
 
但是最高頻率范圍僅到30MHz。如果想測(cè)試更高頻率,可以使用S參數(shù)測(cè)試端口。但是,當(dāng)頻率達(dá)到幾百兆后,消除串聯(lián)直通測(cè)試夾具帶來(lái)的誤差是比較困難。因此實(shí)際頻率限制大概在200MHz或300MHz。
 
對(duì)于E5061B網(wǎng)絡(luò)分析儀:
 
● 頻率范圍可測(cè):5Hz到30MHz(增益-相位測(cè)試端口)
● 5Hz到幾百兆Hz(S參數(shù)測(cè)試端口)
● 10%精度阻抗測(cè)量范圍:5歐姆到20K歐姆
● 可利用測(cè)試夾具(增益-相位測(cè)試端口)
● 不適用于接到DUT的測(cè)量
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖19 串聯(lián)直通法
 
2.3.3 并聯(lián)直通法
 
如圖所示,并聯(lián)直通法通過(guò)并聯(lián)DUT測(cè)試阻抗。這個(gè)方法非常適合測(cè)量低阻抗器件,可小達(dá)1m歐姆。增益-相位測(cè)試端口和S參數(shù)測(cè)試端口都可以使用并聯(lián)直通法。對(duì)于超過(guò)30MHz的頻率范圍,使用S參數(shù)測(cè)試端口進(jìn)行并聯(lián)直通測(cè)試。
 
但是,對(duì)于低于100KHz,推薦使用增益-相位測(cè)試端口進(jìn)行阻抗測(cè)量,因?yàn)樵鲂?相位測(cè)試端口使用了半浮地的設(shè)計(jì)方法,這個(gè)方法可以消除由于回流電流在測(cè)試電纜屏蔽層所形成的電阻誤差,這樣可以在低頻范圍內(nèi)容易地和精確地測(cè)量非常低的阻抗。
 
對(duì)于E5061B網(wǎng)絡(luò)分析儀:
 
● 頻率范圍:5Hz到30MHz(增益-相位測(cè)試口),5Hz到3GHz(S參數(shù)測(cè)試口1-2)
● 10%精度阻抗測(cè)量范圍:1m歐姆到5歐姆(比阻抗分析儀更高的測(cè)量靈敏度)
● 使用自制測(cè)試夾具或RF探頭
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖20 并聯(lián)直通法
 
2.4 典型阻抗測(cè)量?jī)x器
 
業(yè)界最典型的3個(gè)阻抗測(cè)量?jī)x器是:4294A,E4991A,E5061B。它們的特征如下:
 
4294A精密阻抗分析儀:
 
● 測(cè)量頻率范圍從 40 Hz 到 110 MHz
● 基本測(cè)量精度為 ±0.08%
● 業(yè)內(nèi)最高性能的阻抗測(cè)量和分析儀
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖21 4294A精密阻抗分析儀
 
E4991A 射頻阻抗/材料測(cè)量分析儀:
 
● 測(cè)量頻率范圍從 1 MHz 到 3GHz
● 基本測(cè)量精度為 ±0.8%
● 材料測(cè)量功能可以測(cè)量介電常數(shù)和導(dǎo)磁率(配置選件 002)
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖22 E4991A 射頻阻抗/材料測(cè)量分析儀
 
E5061B矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀
 
● 在 S 參數(shù)測(cè)量端口上的測(cè)量頻率范圍:從 5 Hz 到 3 GHz
● 在增益-相位測(cè)量端口上的測(cè)量頻率范圍:從 5 Hz 到 30 MHz
● 基本測(cè)量精度為 ±2%
● PDN (Power Distribution Network ——供電分配網(wǎng)絡(luò))的毫歐量級(jí)的阻抗值測(cè)試(旁路電容器,開關(guān)電源(DC-DC 變換器)的輸出阻抗,PCB 板的阻抗等)
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖23 E5061B矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀
 
當(dāng)測(cè)量精度為10% 時(shí),各種儀表的阻抗測(cè)量范圍的比較。
 
24圖24 三種典型儀器的阻抗測(cè)量范圍比較
 
三、測(cè)試誤差及校準(zhǔn)和補(bǔ)償
 
3.1 測(cè)量誤差
 
對(duì)于真實(shí)世界的測(cè)量,我們必須認(rèn)為在測(cè)量結(jié)果中包含誤差。常見的誤差源有:
 
● 儀器的不精確性(包括DC偏置的不精確和OSC電平的不精確)
● 測(cè)試夾具和電纜中的殘余參數(shù)
● 噪聲
 
這里沒有列出DUT的寄生參數(shù),因?yàn)镈UT的寄生參數(shù)是DUT的一部分,我們需要測(cè)量包括其寄生參數(shù)在內(nèi)的DUT阻抗。在所列誤差源中,如果測(cè)試夾具和測(cè)試電纜的殘余阻抗恒定而穩(wěn)定,就可對(duì)其進(jìn)行補(bǔ)償。
 
3.2 校準(zhǔn)
 
校準(zhǔn)由“校準(zhǔn)平面”定義,在這一校準(zhǔn)平面上能得到規(guī)定的測(cè)量精度。為校準(zhǔn)儀器,在校準(zhǔn)平面上連接“標(biāo)準(zhǔn)器件”,然后通過(guò)調(diào)整儀器(通過(guò)計(jì)算/數(shù)據(jù)存儲(chǔ)),使測(cè)量結(jié)果在規(guī)定的精度范圍內(nèi)。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖25 校準(zhǔn)及其校準(zhǔn)平面
 
自動(dòng)平衡電橋儀器的校準(zhǔn)平面是未知的BNC連接器。執(zhí)行電纜長(zhǎng)度校準(zhǔn)后,校準(zhǔn)平面移到測(cè)試電纜的頂端。自動(dòng)平衡電橋儀器的校準(zhǔn)通常是為了運(yùn)行和維護(hù),為了維持儀器在規(guī)范的精度內(nèi),應(yīng)該周期的進(jìn)行校準(zhǔn)(典型是一年一次)。
 
射頻I-V儀器在每次開機(jī)或改變頻率設(shè)置時(shí)都要求校準(zhǔn)。因?yàn)楦哳l時(shí),周邊溫度、濕度、頻率設(shè)置等對(duì)測(cè)量精度都有比較大的影響。需要使用開路、短路和標(biāo)準(zhǔn)負(fù)載(低損耗電容有時(shí)也要求)進(jìn)行校準(zhǔn)。校準(zhǔn)平面在連接校準(zhǔn)件的連接器的位置。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖26 射頻I-V儀器的校準(zhǔn)方法和校準(zhǔn)平面
 
3.3補(bǔ)償
 
補(bǔ)償能減小DUT與儀器校準(zhǔn)平面間誤差源的影響。但補(bǔ)償不能完全消除誤差,補(bǔ)償后得到的測(cè)量精度也達(dá)不到“校準(zhǔn)平面”上得到的精度。補(bǔ)償與校準(zhǔn)不同,它也不能代替校準(zhǔn),因此必須在完成校準(zhǔn)后再進(jìn)行補(bǔ)償。補(bǔ)償能有效改進(jìn)儀器的測(cè)量精度。下面介紹3種常見的補(bǔ)償技術(shù)。
 
3.3.1 偏移補(bǔ)償
 
當(dāng)測(cè)量?jī)H受單一殘余成分的影響時(shí),只需由測(cè)量值減去誤差值,即可得到有效值。如下圖所示的低值電容測(cè)量的情況,與DUT電容Cx并聯(lián)的雜散電容Co對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響最大,可通過(guò)從測(cè)量值Cm減去雜散電容值進(jìn)行補(bǔ)償。雜散電容值可從測(cè)量端開路時(shí)獲得。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖27 偏移補(bǔ)償
 
3.3.2 開路和短路補(bǔ)償
 
開路和短路補(bǔ)償是當(dāng)前阻抗測(cè)量?jī)x器最常用的補(bǔ)償技術(shù)。這種方法假定測(cè)試夾具的殘余參數(shù)可以用簡(jiǎn)單的L/R/C/G電路表示,如下圖(a)所示。當(dāng)未知端開路,如下圖(b)所示時(shí),把所測(cè)雜散導(dǎo)納Go+jwCo作為Yo,因?yàn)闅堄嘧杩筞s可以忽略。
 
當(dāng)未知端短路,如下圖(c)所示時(shí),所測(cè)阻抗即代表殘余阻抗Zs=Rs+jwLs,因?yàn)閅o被旁路。這樣,由于各殘余參數(shù)均已知,即可從下圖(d)所給出的公式計(jì)算DUT的阻抗Zdut。
 
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圖28 開路/短路法補(bǔ)償
 
3.3.4 開路、短路和負(fù)載補(bǔ)償
 
有很多測(cè)量條件,復(fù)雜的殘余參數(shù)不能按上圖所示的簡(jiǎn)單等效電路建模。開路/短路/負(fù)載補(bǔ)償是一種適用于復(fù)雜殘余電路的先進(jìn)補(bǔ)償技術(shù)。為進(jìn)行開路/短路/負(fù)載補(bǔ)償,在測(cè)量DUT前先要進(jìn)行3項(xiàng)測(cè)量,即把測(cè)試夾具端開路、短路,以及連接基準(zhǔn)DUT(負(fù)載)。
 
在進(jìn)行DUT測(cè)量時(shí),就可在計(jì)算中使用這些得到的測(cè)量結(jié)果(數(shù)據(jù))。如下圖所示,開路/短路/負(fù)載補(bǔ)償所建立的測(cè)試夾具殘余阻抗模型是用ABCD參數(shù)表示的4端網(wǎng)絡(luò)電路。如果這3項(xiàng)已知,并且該4端網(wǎng)絡(luò)電路時(shí)線性電路,那么就能知道每一個(gè)參數(shù)。
 
在下述情況下應(yīng)使用開路/短路/負(fù)載補(bǔ)償:
 
● 接有附加的無(wú)源電路或元件(例如外部DC偏置電路,平衡-不平衡變壓器,衰減器和濾波器)。
● 使用掃描器,多路轉(zhuǎn)換器或矩陣開關(guān)。
● 使用非標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)度的測(cè)試電纜,或由標(biāo)準(zhǔn)安捷倫測(cè)試電纜擴(kuò)展4TP電纜。
● 用放大器增強(qiáng)測(cè)試信號(hào)。
● 使用元件插裝機(jī)。
● 使用用戶制作的測(cè)試夾具。
 
在上面所列的情況下,開路/短路補(bǔ)償將不能滿足要求,測(cè)量結(jié)果會(huì)有相當(dāng)大的誤差。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖29 開路/短路/負(fù)載補(bǔ)償
 
3.4 接觸電阻產(chǎn)生的誤差
 
DUT電極與測(cè)試夾具或測(cè)試臺(tái)電極間所存在的任何接觸電阻都會(huì)造成測(cè)試誤差。DUT的2端或4端連接方式的接觸電阻影響有所不同。在2端連接的情況下,接觸電阻以串聯(lián)方式疊加到DUT阻抗,造成D(耗散因數(shù))讀數(shù)的正誤差。在4端口連接的情況下,存在如下圖(b)所示的接觸電阻Rhc、Rhp、Rlc和Rlp。不同端子的接觸電阻影響也有所不同。
 
Rhc減小施加于DUT的測(cè)試信號(hào)電平,但它不直接產(chǎn)生測(cè)量誤差。Rlp可能造成自動(dòng)平衡電橋的不平衡,但通常可忽略這一影響。Rhp和Chp構(gòu)成低通濾波器,它會(huì)造成Hp輸入信號(hào)的衰減和相移,從而產(chǎn)生測(cè)量誤差。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖30 接觸電阻產(chǎn)生的誤差
 
3.5 測(cè)量電纜擴(kuò)展引入的誤差
 
從儀器擴(kuò)展的4TP測(cè)量電纜將會(huì)按擴(kuò)展電纜的長(zhǎng)度和測(cè)量頻率引入測(cè)量信號(hào)的幅度誤差和相移。電纜擴(kuò)展會(huì)帶來(lái)下面兩個(gè)問題:
 
1.阻抗測(cè)量結(jié)果中的誤差
 
2.電橋不平衡
 
測(cè)量誤差主要由接到Hp和Lc端的電纜造成,如果電纜的長(zhǎng)度和傳播常數(shù)已知,儀器就可以對(duì)其補(bǔ)償。包括Rr、放大器和Lp及Lc電纜在內(nèi)的反饋回路相移會(huì)造成電橋的不平衡。但可在反饋電路內(nèi)部進(jìn)行相移補(bǔ)償。
 
只有在較高的頻率區(qū)(通常高于100KHz),這兩個(gè)問題才有重大影響,而且安捷倫阻抗測(cè)試儀器能補(bǔ)償安捷倫提供的電纜。在較低頻率區(qū),電纜的電容僅會(huì)使測(cè)量精度下降(不影響電橋平衡)。
 
電纜長(zhǎng)度補(bǔ)償用于長(zhǎng)度和傳播常數(shù)已知的測(cè)試電纜,比如安捷倫提供的1m(2m或4m)測(cè)試電纜。如果使用各種長(zhǎng)度不同類型電纜,除了測(cè)量誤差外,還可能造成電橋不平衡。
 
3.6并聯(lián)直通法的校準(zhǔn)和補(bǔ)償
 
用E5061B測(cè)試PDN的毫歐姆級(jí)阻抗,使用并聯(lián)直通法,也需要考慮校準(zhǔn)和補(bǔ)償。一般測(cè)試低頻時(shí),使用增益-相位測(cè)試端口,通常只有做直通校準(zhǔn)即可得到足夠的阻抗測(cè)試精度。測(cè)試高頻時(shí),使用S參數(shù)測(cè)試端口,這是可以使用SOLT校準(zhǔn),或SOLT校準(zhǔn)加上端口延伸,如果使用探針臺(tái),則可以用探針臺(tái)提供的校準(zhǔn)件,用SOLT直接校準(zhǔn)到探頭尖位置。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖31 用于低阻抗測(cè)量的并聯(lián)直通法的校準(zhǔn)和補(bǔ)償
 
四、測(cè)試電纜和夾具
 
當(dāng)把被測(cè)器件(DUT)連到自動(dòng)平衡電橋儀器的測(cè)量端子時(shí),有幾種可選擇的連接配置。而在射頻阻抗測(cè)量?jī)x器中,只能用兩終端法的連接配置。
 
4.1 終端配置
 
自動(dòng)平衡電橋儀器的前面板上一般配有4個(gè)BNCUNKNOWN端子(Hc,Hp,Lp和Lc)。有多種DUT與UNKNOWN端子連接的配置方法。由于每種方法都有各自的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn),必須根據(jù)DUT的阻抗和要求的測(cè)量精度,選擇最合適的配置方法。
 
2端(2T)配置:
 
這是最簡(jiǎn)單的方法,但這種方法存在著很多誤差源。引線電感、引線電阻,以及兩條引線間的雜散電容都會(huì)疊加到測(cè)量結(jié)果上。由于存在這些誤差源,其典型阻抗測(cè)量范圍(沒有進(jìn)行補(bǔ)償)限制于100歐姆到10K歐姆。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖32 2端(2T)配置
 
3端(3T)配置:
 
用同軸電纜減小雜散電容的影響。同軸電纜的外導(dǎo)體(屏蔽)連到保護(hù)端子上。它能在較高阻抗測(cè)量范圍改進(jìn)測(cè)量精度,但由于仍然存在引線電感和引線電阻,因而不能改進(jìn)較低阻抗范圍的測(cè)量精度。典型的阻抗范圍可擴(kuò)展到10K歐姆以上。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖33  3端(3T)配置
 
4端(4T)配置:
 
可減小引線電感的影響,因?yàn)樾盘?hào)電流通路與電路敏感電纜時(shí)彼此獨(dú)立的。通??筛倪M(jìn)低至1歐姆的較低阻抗測(cè)量范圍的精度。當(dāng)DUT的阻抗低于1歐姆時(shí),會(huì)有大信號(hào)電流通過(guò)電流通路,它與電壓敏感電纜的互感耦合將產(chǎn)生誤差。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖34 4端(4T)配置
 
5端(5T)配置:
 
是3T和4T配置的組合。它配有4條同軸電纜,這4條電纜的外導(dǎo)體均接到保護(hù)端。這種配置具有從1歐姆到10M歐姆的寬測(cè)量范圍,但互感問題仍然存在。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖35 5端(5T)配置
 
在高頻下使用測(cè)試電纜:
 
4TP配置是適用于寬量程范圍阻抗測(cè)量的最佳解決方案。但在基本4TP測(cè)量中,由于電纜長(zhǎng)度必須短于波長(zhǎng),使電纜長(zhǎng)度受到測(cè)量頻率的限制。下面公式可用于確定這一限制:
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
 
這里:F是測(cè)量頻率(MHz)
 
L是電纜長(zhǎng)度(m)
 
當(dāng)電纜長(zhǎng)度為1m時(shí),最高頻率限制近似為15MHz。如果電纜長(zhǎng)度或頻率超過(guò)這一限制,自動(dòng)平衡電橋就可能實(shí)現(xiàn)不了平衡。對(duì)于較高頻率(通常100KHz以上)的阻抗測(cè)量,還需要進(jìn)行電纜長(zhǎng)度補(bǔ)償。
 
4.2 測(cè)試夾具
 
在阻抗測(cè)量中,測(cè)試夾具在機(jī)械和電氣兩方面都起著重要的作用,夾具的質(zhì)量確定了總測(cè)量質(zhì)量的限制。
 
安捷倫公司根據(jù)被測(cè)件的種類提供多種類型的測(cè)試夾具。為了選擇最合適的DUT測(cè)試夾具,不僅要求考慮接觸的物理布局,還要考慮可用的頻率范圍、殘余參數(shù),以及允許施加的DC電壓。測(cè)試夾具的接觸端(DUT連接)可以是2端,也可以是4端,以適合不同的應(yīng)用。
 
如果DUT不能使用安捷倫公司提供的測(cè)試夾具,可制作針對(duì)應(yīng)用的專用測(cè)試夾具。在制作測(cè)試夾具時(shí),需要考慮下面這些關(guān)鍵因素。
 
1.必須把殘余參數(shù)減到最小。
 
為了把殘余參數(shù)減到最小,應(yīng)使4TP配置盡可能接近DUT。此外,正確的保護(hù)技術(shù)能消除雜散電容的影響。
 
2.必須把接觸電阻減到最小。
 
接觸電阻會(huì)造成附近誤差。在2TP配置情況下將直接影響到測(cè)量結(jié)果。接觸電極應(yīng)與DUT牢固連接,并始終保持清潔。電極應(yīng)使用能抗腐蝕的材料。
 
3.接觸必須能夠開路和短路。
 
開路/短路補(bǔ)償能容易地減小測(cè)量夾具殘余參數(shù)的影響。為進(jìn)行開路/短路測(cè)量,必須把接觸電極開路和短路。對(duì)于開路測(cè)量,接觸電極應(yīng)放在與DUT連接時(shí)的同樣距離上。對(duì)于短路測(cè)量,應(yīng)在電極間連接無(wú)損耗(低阻抗)的導(dǎo)體,或直接連接接觸電極。如果要使電極保持4端配置,應(yīng)首先連接電流端和電位端。
 
4.3 測(cè)試電纜
 
當(dāng)被測(cè)DUT與儀器有一段相隔距離時(shí),就需要用電纜擴(kuò)展測(cè)試端口(UNKNOWN端子)。如果未考慮擴(kuò)展電纜的長(zhǎng)度,則不僅會(huì)造成誤差,甚至還會(huì)產(chǎn)生電橋的不平衡,以至無(wú)法進(jìn)行測(cè)量。
 
安捷倫公司隨儀器有多種1m、2m和4m測(cè)試電纜供選擇。在選擇測(cè)試電纜時(shí),必須考慮電纜長(zhǎng)度和可用頻率范圍。由于電纜誤差已知,因而安捷倫儀器能夠把測(cè)量電纜的影響減到最小。測(cè)試誤差將隨著電纜長(zhǎng)度及測(cè)量頻率的增加而增加。
 
建議不要使用不是安捷倫公司推薦的電纜,儀器的補(bǔ)償功能可能不適用于非安捷倫電纜。如果不得不用非安捷倫電纜,則應(yīng)該使用與安捷倫測(cè)試電纜相同或等效的電纜。對(duì)于更高頻率,一定不要使用非安捷倫提供的電纜。為了使用4TP配置的擴(kuò)展電纜,電纜長(zhǎng)度應(yīng)為1m或2m,使用測(cè)量?jī)x器能對(duì)其補(bǔ)償,如果電纜長(zhǎng)度有誤差,則將會(huì)造成附加誤差。
 
4.4 消除雜散電容影響
 
當(dāng)DUT為高阻抗(即低電容)時(shí),雜散電容的影響就不能忽略。如下圖所示,用4端接觸測(cè)量DUT的例子,Cd與DUT并聯(lián),當(dāng)在DUT下面放置導(dǎo)電板時(shí),其組合電容(Ch//Cl)也與DUT相并聯(lián),從而產(chǎn)生了測(cè)量誤差。通過(guò)把一塊保護(hù)板放在高端和低端之間,就可把Cd減到最小。此外,通過(guò)把保護(hù)端與該導(dǎo)體相連,Ch和Cl的影響就可彼此抵消。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖36 保護(hù)技術(shù)消除了雜散電容的影響
 
4.5 在射頻區(qū)的終端配置和測(cè)試夾具
 
射頻阻抗測(cè)量?jī)x器帶有精密的同軸測(cè)試端口,它在原理上是一種2端配置。同軸測(cè)試端口連接器的中心導(dǎo)體是有源的高端,外外導(dǎo)體是接地的低端。只能用最簡(jiǎn)單的2端連接配置測(cè)量DUT。測(cè)試夾具的殘余電感、殘余電阻、雜散電容和雜散電導(dǎo)均疊加在測(cè)量結(jié)果上(在補(bǔ)償前)。
 
不管是射頻I-V法還是網(wǎng)絡(luò)分析法,被測(cè)阻抗越偏離50歐姆,射頻阻抗測(cè)量精度就越低。殘余參數(shù)的影響隨頻率的增加而增加,頻率越高,可測(cè)阻抗范圍越窄。
 
要對(duì)射頻測(cè)試夾具進(jìn)行專門的設(shè)計(jì),使DUT與測(cè)試端口間的引線長(zhǎng)度(電氣通路長(zhǎng)度)盡可能短,從而把殘余參數(shù)減到最小。通常在頻率低于100MHz時(shí),測(cè)試夾具殘余參數(shù)所造成的誤差要小于儀器誤差,在經(jīng)過(guò)補(bǔ)償后可以忽略不計(jì)。
 
但在測(cè)量接近于殘余參數(shù)的低阻抗或高阻抗時(shí),測(cè)試夾具殘余參數(shù)的變化會(huì)造成測(cè)量結(jié)果的重復(fù)性問題。殘余參數(shù)的變化和測(cè)量結(jié)果的不穩(wěn)定性決定于在測(cè)試夾具端子上DUT的定位精度。對(duì)于重復(fù)性的測(cè)量,射頻測(cè)試夾具應(yīng)能將DUT在測(cè)量端子上精確定位。
 
在高頻(通常高于500MHz)時(shí),測(cè)試夾具的殘余參數(shù)對(duì)測(cè)量結(jié)果有更大的影響,并且會(huì)使實(shí)際測(cè)量范圍變窄。因此,測(cè)試夾具的可用頻率范圍限定了各類測(cè)試夾具的最高頻率。儀器不精確性與測(cè)試夾具引入誤差之和確定了DUT測(cè)量結(jié)果的不精確性。由于只能使用2端配置,補(bǔ)償法師獲得最佳測(cè)量精度的關(guān)鍵。
 
各種測(cè)試夾具都有各自的特性和結(jié)構(gòu)。由于影響DUT測(cè)量值的不僅是殘余參數(shù),還包括DUT的周圍環(huán)境(如接地板、端子布局、絕緣體的介電常數(shù)等),為了得到好的測(cè)量一致性,應(yīng)使用同一類型的測(cè)試夾具。
 
有兩種類型的射頻測(cè)試夾具:同軸測(cè)試夾具和非同軸測(cè)試夾具,其區(qū)別在于兩者的幾何結(jié)構(gòu)和電氣特性。非同軸測(cè)試夾具有開啟的測(cè)量端,因而便于DUT的連接和拆卸。非同軸型夾具適用于高效率地測(cè)試大量的器件。但這一高效率是以高頻時(shí)犧牲測(cè)量精度為代價(jià)的,因?yàn)樵谕S連接器部件與測(cè)試端子間存在著電氣特性的不連續(xù)(失配)。
 
同軸測(cè)試夾具則用類似于同軸端的配置固定DUT,其被連接到測(cè)試夾具的中心電極和外導(dǎo)體帽電極。由于從測(cè)試端口到DUT保持著連續(xù)的50歐姆的特性阻抗,因而同軸測(cè)試夾具能夠通過(guò)最高的測(cè)量精度和最好的頻率響應(yīng)。由于可以選擇可重復(fù)數(shù)量的絕緣體直徑,以把DUT與絕緣體的間隙減到最小,DUT可定位在能得到最佳重復(fù)性的測(cè)試夾具端上,而不需要操作者的高超技巧。因而同軸測(cè)試夾具能比非同軸測(cè)試夾具得到較低的附加誤差和高得多的測(cè)量重復(fù)能力。
 
阻抗測(cè)量基礎(chǔ)
圖37  典型的射頻阻抗測(cè)試夾具
 
五、成功測(cè)量阻抗的8點(diǎn)提示(總結(jié))
 
提示 1.阻抗參數(shù)的確定和選擇:
 
阻抗是表征電子器件特性的參數(shù)之一。阻抗 (Z) 的定義是器件在給定的頻率下對(duì)交流電流 (AC) 所起的阻礙作用。
 
阻抗通常用復(fù)數(shù)量( 矢量 ) 的形式來(lái)表示,可以把它畫在極坐標(biāo)上。坐標(biāo)的第一和第二象限分別對(duì)應(yīng)正的電感值和正的電容值 ;第三和第四象限則代表負(fù)的電阻值。阻抗矢量由實(shí)部 ( 電阻 — R) 和虛部 ( 電抗 —X) 組成。電容 (C) 和電感 (L)的值可從電阻(R) 和電抗 (X) 值中推導(dǎo)出來(lái)。電抗的兩種形式分別是感抗 (XL) 和容抗(XC)。品質(zhì)因數(shù) (Q) 和損耗因數(shù)(D) 也可從電阻和電抗的值中推導(dǎo)出來(lái),這兩個(gè)參數(shù)是表示電抗純度的。當(dāng) Q值偏大或 D 值偏小時(shí),電路的質(zhì)量更高。Q的定義是器件所儲(chǔ)存的能量與其做消耗的能量的比值。D 是 Q 的倒數(shù)。D 還等于“tan ä”,其中 ä 是介質(zhì)損耗角 (ä 是相位角è 的余角 )。D和 Q 均屬于無(wú)量綱的量。
 
提示 2.選擇正確的測(cè)量條件:
 
器件制造商給出的器件阻抗值所代表的是在規(guī)定的測(cè)量條件下器件所能達(dá)到的性能,以及在生產(chǎn)這些器件時(shí)所允許出現(xiàn)的器件性能的偏差。如果在設(shè)計(jì)電路時(shí)需要很精確地知道所使用器件的性能的話,就有必要專門對(duì)器件進(jìn)行測(cè)量來(lái)驗(yàn)證其實(shí)際值與標(biāo)稱值之間的偏差,或在不同于制造商測(cè)試條件的實(shí)際工作條件下測(cè)量器件的阻抗參數(shù)。
 
由于寄生電感、電容和電阻的存在,所有器件的特性會(huì)隨著測(cè)量頻率的變化而變化的現(xiàn)象是非常常見的。
 
器件阻抗的測(cè)量結(jié)果還會(huì)受到在測(cè)量時(shí)所選擇的測(cè)量信號(hào)的大小的影響:
 
● 電容值 (或材料的介電常數(shù),即 K值 ) 的測(cè)量結(jié)果會(huì)依賴于交流測(cè)量信號(hào)電壓值的大小。
● 電感值 (或材料的磁滯特性 ) 的測(cè)量結(jié)果會(huì)依賴于交流測(cè)量信號(hào)電流值的大小。
 
使用儀表的自動(dòng)電平控制 (ALC)功能可使被測(cè)器件 (DUT) 兩側(cè)的電壓保持在一個(gè)恒定的值上。如果儀表內(nèi)部沒有 ALC功能但是有監(jiān)測(cè)信號(hào)大小的功能,可以利用這個(gè)功能給這種儀表編寫一個(gè)相當(dāng)于 ALC 功能的控制程序來(lái)保證被測(cè)器件兩端上的電壓穩(wěn)定。
 
通過(guò)控制測(cè)量積分時(shí)間 ( 相當(dāng)于數(shù)據(jù)采集時(shí)間 )可以去除測(cè)量中不需要的信號(hào)的影響。利用平均值功能可以降低測(cè)量結(jié)果中的隨機(jī)噪聲。延長(zhǎng)積分時(shí)間或增加平均計(jì)算的次數(shù)可以提高測(cè)量精度,但也會(huì)降低測(cè)量速度。在儀表的操作手冊(cè)中對(duì)這部分內(nèi)容都有詳細(xì)的解釋。
 
其它有可能影響測(cè)量結(jié)果的物理和電氣因素還包括直流偏置、溫度、濕度、磁場(chǎng)強(qiáng)度、光強(qiáng)度、振動(dòng)和時(shí)間等。
 
提示 3.選擇適當(dāng)?shù)膬x器顯示參數(shù):
 
現(xiàn)在有很多阻抗測(cè)量?jī)x器都能夠測(cè)量阻抗矢量的實(shí)部和虛部,然后再把它們轉(zhuǎn)換為其它所需要的參數(shù)。如果一個(gè)測(cè)量結(jié)果顯示為阻抗(Z) 和相位(è),那么被測(cè)器件的主要參數(shù) (R、C、L) 和其它所有寄生參數(shù)所表現(xiàn)出來(lái)的綜合特性就體現(xiàn)在 |Z| 和 è的數(shù)值的大小上。
 
如果要想顯示一個(gè)被測(cè)器件除阻抗和相角以外的其它參數(shù),可以使用它的二元模型等效電路。在區(qū)分這些基于串聯(lián)或并聯(lián)電路模式的二元模型時(shí),我們用腳注“p”代表并聯(lián)模型,用“s”代表串聯(lián)模型,例如Rp、Rs、Cp、Cs、Lp 或 Ls。
 
在現(xiàn)實(shí)世界中沒有器件是純粹的的電阻、純粹的電容、純粹的電感。任何常用的器件通常都會(huì)有一些寄生參數(shù) (例如由器件的引腳、材料等引起的寄生電阻、寄生電感和寄生電
 
容 ) 存在,表現(xiàn)器件主要特性的部分和寄生參數(shù)部分結(jié)合在一起會(huì)使一個(gè)簡(jiǎn)單的器件在實(shí)際工作中表現(xiàn)得就像一個(gè)復(fù)雜的電路一樣。
 
近年來(lái)新推出的阻抗分析儀都帶有等效電路分析的高級(jí)功能,可以用三元或四元電路模型的形式對(duì)測(cè)量結(jié)果進(jìn)行進(jìn)一步的分析。使用這種等效電路分析功能可對(duì)器件更為復(fù)雜的寄生效應(yīng)進(jìn)行全面分析。
 
提示 4.測(cè)量技術(shù)具有局限性:
 
在產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)制造的測(cè)量中,我們經(jīng)常被問到的問題恐怕就是 :“測(cè)量結(jié)果的精度有多高?”儀器的測(cè)量精度實(shí)際上取決于被測(cè)器件的阻抗值和所采用的測(cè)量技術(shù)。
 
在確定測(cè)量結(jié)果的精度時(shí),需要把測(cè)量到的被測(cè)器件的阻抗值和所使用儀表在所適用的測(cè)量條件下的精度進(jìn)行比較才可以知道。
 
儀表關(guān)于D 值和 Q 值的測(cè)量精度的指標(biāo)通常不同于儀表關(guān)于其它阻抗參數(shù)測(cè)量精度的技術(shù)指標(biāo)。對(duì)于低損耗 (D 值很低,Q 值很高 ) 器件,R值相對(duì)于 X 值而言是非常小的。R 值的細(xì)小變化將會(huì)引起 Q值的很大變化。
 
如果測(cè)量結(jié)果的誤差跟所測(cè)到得的R 的值相近似的話,就會(huì)導(dǎo)致 D或 Q值的測(cè)量結(jié)果是負(fù)數(shù)的現(xiàn)象。需要時(shí)刻注意的是,測(cè)量結(jié)果的誤差包括儀表自身的測(cè)量誤差和測(cè)量夾具引起的誤差。
 
提示 5.進(jìn)行校準(zhǔn):
 
進(jìn)行校準(zhǔn)的目的是給儀表定義一個(gè)能夠保證測(cè)量精度的基準(zhǔn)面。通常都是在儀表的測(cè)量端口上進(jìn)行校準(zhǔn),在測(cè)量時(shí)用校準(zhǔn)數(shù)據(jù)對(duì)原始數(shù)據(jù)進(jìn)行修正。
 
安捷倫科技采用自動(dòng)平衡電橋技術(shù)的儀表在出廠時(shí)或是在維修中心都做過(guò)基礎(chǔ)的校準(zhǔn),可以在一定時(shí)期內(nèi) ( 通常為 12 個(gè)月),不論在測(cè)量中對(duì)儀表進(jìn)行何種設(shè)置,測(cè)量結(jié)果都可以達(dá)到儀表指標(biāo)規(guī)定的測(cè)量精度,操作人員使用這種儀表時(shí)是不需要進(jìn)行校準(zhǔn)操作的。
 
對(duì)不采用自動(dòng)平衡電橋技術(shù)的儀表而言,在儀表初始化和設(shè)置好測(cè)量條件之后,使用一套校準(zhǔn)件對(duì)儀表進(jìn)行基礎(chǔ)校準(zhǔn)是必須的。在使用校準(zhǔn)件對(duì)這類儀表進(jìn)行校準(zhǔn)時(shí),這個(gè)提示所提供的信息是很有用的。
 
一些測(cè)量?jī)x表還提供固定校準(zhǔn)模式和用戶校準(zhǔn)模式供使用者選擇。固定校準(zhǔn)模式是在預(yù)先設(shè)定 ( 固定)的頻率上對(duì)校準(zhǔn)件進(jìn)行測(cè)量得到校準(zhǔn)數(shù)據(jù)。在固定校準(zhǔn)頻點(diǎn)之間,校準(zhǔn)數(shù)據(jù)可以通過(guò)內(nèi)插法計(jì)算出來(lái)。固定校準(zhǔn)模式在固定校準(zhǔn)頻率之間的頻點(diǎn)上的內(nèi)插數(shù)據(jù)有時(shí)會(huì)存在較大的誤差,當(dāng)測(cè)量頻率較高時(shí)這些內(nèi)插校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的誤差可能會(huì)非常大。
 
用戶校準(zhǔn)模式是在與實(shí)際測(cè)量中所選擇使用的頻率完全一樣的頻點(diǎn)上對(duì)校準(zhǔn)件進(jìn)行測(cè)量得到教準(zhǔn)數(shù)據(jù),對(duì)于一些具體的測(cè)量而言,用戶校準(zhǔn)模式不會(huì)產(chǎn)生校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的內(nèi)插誤差。
 
特別需要注意的是,用戶校準(zhǔn)模式得到的校準(zhǔn)數(shù)據(jù)僅對(duì)測(cè)量條件和校準(zhǔn)條件 ( 指儀表的狀態(tài) ) 完全一樣的情況有效。
 
提示 6.進(jìn)行補(bǔ)償:
 
補(bǔ)償不同于校準(zhǔn),補(bǔ)償對(duì)提高測(cè)量精度的效果取決于儀器的校準(zhǔn)精度,因次必須在校準(zhǔn)完成之后再執(zhí)行補(bǔ)償?shù)牟僮?。如果可以把被測(cè)器件直接連在校準(zhǔn)面上進(jìn)行測(cè)量,那么儀表的測(cè)量結(jié)果是能夠達(dá)到指標(biāo)所規(guī)定的精度要求的。但是,通常都會(huì)在校準(zhǔn)面和被測(cè)器件之間連接一個(gè)測(cè)試夾具或適配器,因而必須對(duì)這種中間部件的殘留阻抗進(jìn)行補(bǔ)償才可以得到精確的測(cè)量結(jié)果。
 
由測(cè)試夾具或適配器引起的測(cè)量誤差可能會(huì)非常大,而總的測(cè)量精度是由儀器的精度和被測(cè)器件與校準(zhǔn)面之間的誤差源組成的。驗(yàn)證補(bǔ)償?shù)男Ч欠衲苁闺S后的測(cè)量正常進(jìn)行是非常重要的。一般而言,在補(bǔ)償時(shí),開路條件下的補(bǔ)償測(cè)量器件的阻抗值應(yīng)當(dāng)至少是被測(cè)器件阻抗值的100 倍以上,而短路條件下的阻抗值應(yīng)當(dāng)?shù)陀诒粶y(cè)器件阻抗值的 1/100。
 
開路補(bǔ)償可降低或消除雜散電容,而短路補(bǔ)償可降低或消除測(cè)量夾具引起的能夠?qū)е抡`差增大的殘留電阻和電感。在進(jìn)行開路或短路補(bǔ)償測(cè)量時(shí),應(yīng)該使補(bǔ)償器件兩個(gè)引腳( 即所謂UNKNOWN 引腳 )之間的距離與實(shí)際測(cè)量時(shí)被測(cè)器件引腳之間的距離一樣,這樣可以保證補(bǔ)償測(cè)量和實(shí)際測(cè)量所碰到的寄生阻抗是一致的。
 
當(dāng)測(cè)量端口被擴(kuò)展到安捷倫提供的標(biāo)準(zhǔn)夾具距離之外、或者用戶使用自己設(shè)計(jì)的測(cè)量夾具、或者在測(cè)量系統(tǒng)中還使用了掃描儀時(shí) —這些情況都涉及到在測(cè)量中又引入了額外的無(wú)源器件或電路 ( 例如巴侖、衰減器、濾波器等),那么在做補(bǔ)償時(shí),除了要做開路和短路補(bǔ)償之外,還要做負(fù)載補(bǔ)償。進(jìn)行負(fù)載補(bǔ)償所用到的器件的阻抗值一定是已知的而且要精確,并且還應(yīng)當(dāng)選擇與被測(cè)器件的阻抗( 在全部的測(cè)試條件下 )和尺寸類似的器件做負(fù)載補(bǔ)償器件??砂研阅芎芊€(wěn)定的電阻器或電容器當(dāng)成負(fù)載補(bǔ)償測(cè)量器件使用。
 
在選擇補(bǔ)償器件時(shí)一種比較實(shí)際的做法是先用一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)夾具,在進(jìn)行完開路和短路補(bǔ)償之后再去測(cè)量準(zhǔn)備當(dāng)補(bǔ)償負(fù)載用的器件,用這種方法來(lái)確定負(fù)載補(bǔ)償器件的阻抗值,然后可以把這個(gè)阻抗值輸入給儀表作為補(bǔ)償測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)件的值。
 
提示 7.消除相位偏移和端口擴(kuò)展的誤差:
 
通過(guò)電纜長(zhǎng)度校正、端口擴(kuò)展或電延遲,可將校準(zhǔn)面擴(kuò)展至測(cè)量電纜末端或夾具表面,這些種校正可降低或消除測(cè)量電路中的相移誤差當(dāng)需要把儀表的測(cè)量端口延伸使其遠(yuǎn)離校準(zhǔn)面時(shí),延長(zhǎng)電纜的電氣特征會(huì)影響總的測(cè)量性能。以下這些辦法可以降低這些影響:
 
●盡量使用短的電纜來(lái)做測(cè)量端口的延伸。
●使用高度屏蔽的同軸電纜,以阻隔外部噪聲產(chǎn)生的影響。
●盡量使用損耗非常小的同軸電纜,因?yàn)樵跀U(kuò)展測(cè)量端口的操作中是假設(shè)不存在電纜損耗的,因此損耗最小的電纜可以避免測(cè)量精度的劣化。
 
開路 /短路補(bǔ)償無(wú)法減少由測(cè)試夾具引起的相移誤差。在測(cè)量頻率達(dá)到射頻范圍時(shí),應(yīng)當(dāng)在延長(zhǎng)電纜的末端進(jìn)行校準(zhǔn)。如果在延長(zhǎng)電纜的末端不能連接校準(zhǔn)件,那么當(dāng)延長(zhǎng)電纜比較短而且特性很好時(shí),可以用端口延伸來(lái)代替校準(zhǔn)。
 
在使用自動(dòng)平衡電橋儀表的情況下,如果測(cè)量電纜或延伸電纜是非標(biāo)準(zhǔn)的 ( 不是由安捷倫提供的 ),那么應(yīng)該電纜或夾具的末端進(jìn)行開路 /短路 / 負(fù)載補(bǔ)償。安捷倫自動(dòng)平衡電橋儀表所使用的端口延長(zhǎng)標(biāo)準(zhǔn)電纜 (1、2 或 4 米 )使用電纜長(zhǎng)度補(bǔ)償數(shù)據(jù)進(jìn)行誤差校正,通常在使用時(shí)應(yīng)該把這些標(biāo)準(zhǔn)延長(zhǎng)電纜末端的屏蔽層連接到一起。
 
任何形式的端口擴(kuò)展都有局限性,它們都會(huì)因?yàn)闇y(cè)量電路的損耗和 /或相位偏移而引起測(cè)量誤差,在進(jìn)行端口延伸之前必須要對(duì)這種操作的局限性有清楚的了解。
 
提示 8.夾具和連接器維護(hù):
 
高質(zhì)量的電氣連接能夠確保進(jìn)行精密的測(cè)量。每一次把被測(cè)器件與儀表或測(cè)量電纜、夾具進(jìn)行連接時(shí),接合面的特征都會(huì)隨著連接的質(zhì)量而有所不同,接合面的阻抗失配會(huì)影響測(cè)試信號(hào)的傳播。應(yīng)當(dāng)經(jīng)常留意測(cè)試端口的接合表面、適配器、校準(zhǔn)標(biāo)準(zhǔn)件、夾具連接器和測(cè)試夾具等的質(zhì)量和狀態(tài)。連接的質(zhì)量取決于以下因素:
 
●連接的組成部分
●采用的技術(shù)
●經(jīng)常進(jìn)行高質(zhì)量維護(hù)
●保證清潔度
●按照標(biāo)準(zhǔn)要求保存儀表和部件
 
俗話說(shuō)“一環(huán)薄弱,全局必垮”。測(cè)量系統(tǒng)也是如此。如果測(cè)試系統(tǒng)中使用了低質(zhì)量的電纜、適配器或夾具,那么系統(tǒng)的整體質(zhì)量都會(huì)降到最低水平。
 
通過(guò)使用力矩扳手和一些常識(shí),可確保在進(jìn)行重復(fù)連接時(shí)不出現(xiàn)器件損壞。器件損壞包括配合表面的刮痕和變形。
 
多數(shù)測(cè)量部件接合表面的部分都是可以替換的,把已經(jīng)多次使用而性能變差的部分換掉。有的部件接合表面的部分是不可以替換或修復(fù)的,那么應(yīng)該定期用新的部件去替換舊的部件。
 
使用無(wú)腐蝕性 /無(wú)損溶劑 ( 例如去離子水和純異丙醇 )和無(wú)塵布擦拭接合表面可以保證它們的阻抗不受油跡或其它雜質(zhì)的影響。請(qǐng)注意,一些塑料在使用異丙醇時(shí)會(huì)發(fā)生性質(zhì)的該變。
 
如果儀器的包裝不提供附件袋,那么應(yīng)當(dāng)使用有蓋的塑料盒和塑料封套來(lái)保護(hù)所有未在使用狀態(tài)下的接合表面。
 
 
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