【導讀】工程師要想保證設計可靠，必須要在NMOS柵極和PMOS柵極添加上拉電阻，同時系統(tǒng)也要安全防護。但是如果忽略電阻開路的問題，就會使原本作為保護者的上拉電阻變成MOS管過熱的殺手。
下圖是一張在設計應用中比較常見的圖紙，分別針對PMOS和NMOS柵極設置進行了區(qū)分。就讓我們來看一下，在MOS圖紙設計中應該怎么避免上拉電阻成為MOS管過熱的殺手吧。
圖1
大家都知道上拉電阻在電路工作穩(wěn)定性方面，具有出色的工作效果。像上圖中電路圖的情況，上拉電阻的位置還是接在內側比較好。這樣的設計可以使上拉電阻起到放電作用，可防止在驅動電阻開路時MOS柵極浮接，這也就是為什么上拉電阻有時候又被叫做放電電阻。而同樣是這張電路圖，如果上拉電阻的位置被安排在外側，那么只要兩個電阻中的一個開路，那么NMOS就容易遭到損壞，對整體的電路穩(wěn)定性和安全性也會造成比較大的威脅。
可能看到這里，有的朋友會感到疑惑：上拉電阻能夠對電路的整體穩(wěn)定性起到保障作用，放在外側跟放在內側都是起整體穩(wěn)定效果的，為什么放外側時反而MOS管容易遭到損壞呢?其實原因很簡單，MOS管G極在懸空時是很容易受到干擾的。此時如果將上拉電阻放在外側然后導通，就很可能會產(chǎn)生極大的電流，MOS管在高電流下很容易因過流過熱而受到損壞。
編者按：依據(jù)上拉電阻的放電特性進行設置，可以保護MOS管的正常工作，并維持電路的整體穩(wěn)定性。在進行圖紙設計時，工程師需要結合實際情況和電阻的特性，進行合理分配設置。
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