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第一講 LED主要參數(shù)與特性

發(fā)布時(shí)間:2009-07-27 來(lái)源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

LED是利用化合物材料制成pn結(jié)的光電器件。它具備pn結(jié)結(jié)型器件的電學(xué)特性:I-V特性、C-V特性和光學(xué)特性:光譜響應(yīng)特性、發(fā)光光強(qiáng)指向特性、時(shí)間特性以及熱學(xué)特性。本文將為你詳細(xì)介紹。

1、LED電學(xué)特性

1.1 I-V特性

表征LED芯片pn結(jié)制備性能主要參數(shù)。LED的I-V特性具有非線(xiàn)性、整流性質(zhì):?jiǎn)蜗驅(qū)щ娦?,即外加正偏壓表現(xiàn)低接觸電阻,反之為高接觸電阻。
                                                 
如上圖:

(1) 正向死區(qū):(圖oa 或oa′段)a點(diǎn)對(duì)于V0 為開(kāi)啟電壓,當(dāng)V<Va,外加電場(chǎng)尚克服不少因載流子擴(kuò)散而形成勢(shì)壘電場(chǎng),此時(shí)R很大;開(kāi)啟電壓對(duì)于不同LED其值不同,GaAs 為1V,紅色GaAsP 為1.2V,GaP 為1.8V,GaN 為2.5V。

(2)正向工作區(qū):電流IF 與外加電壓呈指數(shù)關(guān)系

IF = IS (e qVF/KT –1) -------------------------IS


為反向飽和電流。V>0 時(shí),V>VF 的正向工作區(qū)IF 隨VF 指數(shù)上升,
                         IF = IS e qVF/KT

(3)反向死區(qū) :V<0 時(shí)pn 結(jié)加反偏壓V= - VR 時(shí),反向漏電流IRV= -5V)時(shí),GaP 0V,GaN 10uA。
 

(4)反向擊穿區(qū) V- VR ,VR 稱(chēng)為反向擊穿電壓;VR 電壓對(duì)應(yīng)IR 為反向漏電流。當(dāng)反向偏壓一直增加使V- VR 時(shí),則出現(xiàn)IR 突然增加而出現(xiàn)擊穿現(xiàn)象。由于所用化合物材料種類(lèi)不同,各種LED 的反向擊穿電壓VR 也不同。

1.2 C-V特性

鑒于LED 的芯片有9×9mil (250×250um),10×10mil,11×11mil (280×280um),12×12mil (300×300um),故pn 結(jié)面積大小不一,使其結(jié)電容(零偏壓)Cn+pf左右。C-V 特性呈二次函數(shù)關(guān)系(如圖2)。由1MHZ 交流信號(hào)用C-V 特性測(cè)試儀測(cè)得。
                                      
1.3 最大允許功耗PFm

當(dāng)流過(guò)LED的電流為IF、管壓降為UF 則功率消耗為P=UF×IF. LED工作時(shí),外加偏壓、偏流一定促使載流子復(fù)合發(fā)出光,還有一部分變?yōu)闊?,使結(jié)溫升高。若結(jié)溫為Tj、外部環(huán)境溫度為Ta,則當(dāng)TjTa 時(shí),內(nèi)部熱量借助管座向外傳熱,散逸熱量(功率),可表示為P = KTTj – Ta)。

1.4 響應(yīng)時(shí)間

響應(yīng)時(shí)間表征某一顯示器跟蹤外部信息變化的快慢?,F(xiàn)有幾種顯示LCD(液晶顯示)10-3~10-5SCRT、PDPLED 都達(dá)到10-6~10-7Sus 級(jí))。

1.響應(yīng)時(shí)間從使用角度來(lái)看,就是LED點(diǎn)亮與熄滅所延遲的時(shí)間,即圖3中tr 、tf 。圖中t0 值很小,可忽略。
② 響應(yīng)時(shí)間主要取決于載流子壽命、器件的結(jié)電容及電路阻抗。LED 的點(diǎn)亮?xí)r間——上升時(shí)間tr 是指接通電源使發(fā)光亮度達(dá)到正常的10%開(kāi)始,一直到發(fā)光亮度達(dá)到正常值的90%所經(jīng)歷的時(shí)間。LED 熄滅時(shí)間——下降時(shí)間tf 是指正常發(fā)光減弱至原來(lái)的10%所經(jīng)歷的時(shí)間。

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不同材料制得的LED 響應(yīng)時(shí)間各不相同;如GaAs、GaAsP、GaAlAs 其響應(yīng)時(shí)間<10-9S,GaP 為10-7 S。因此它們可用在10~100MHZ 高頻系統(tǒng)。
2 LED光學(xué)特性

發(fā)光二極管有紅外(非可見(jiàn))與可見(jiàn)光兩個(gè)系列,前者可用輻射度,后者可用光度學(xué)來(lái)量度其光學(xué)特性。

2.1 發(fā)光法向光強(qiáng)及其角分布Iθ

2.1.1 發(fā)光強(qiáng)度(法向光強(qiáng))是表征發(fā)光器件發(fā)光強(qiáng)弱的重要性能。LED 大量應(yīng)用要求是圓柱、圓球封裝,由于凸透鏡的作用,故都具有很強(qiáng)指向性:位于法向方向光強(qiáng)最大,其與水平面交角為90°。當(dāng)偏離正法向不同θ角度,光強(qiáng)也隨之變化。發(fā)光強(qiáng)度隨著不同封裝形狀而強(qiáng)度依賴(lài)角方向。

2.1.2 發(fā)光強(qiáng)度的角分布Iθ是描述LED發(fā)光在空間各個(gè)方向上光強(qiáng)分布。它主要取決于封裝的工藝(包括支架、模粒頭、環(huán)氧樹(shù)脂中添加散射劑與否)

⑴ 為獲得高指向性的角分布(如圖4)

                           
① LED 管芯位置離模粒頭遠(yuǎn)些;
② 使用圓錐狀(子彈頭)的模粒頭;
③ 封裝的環(huán)氧樹(shù)脂中勿加散射劑。

采取上述措施可使LED 2θ1/2 = 6°左右,大大提高了指向性。

 ⑵ 當(dāng)前幾種常用封裝的散射角(2θ1/2 角)圓形LED:5°、10°、30°、45°。
 
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2.2 發(fā)光峰值波長(zhǎng)及其光譜分布

⑴ LED 發(fā)光強(qiáng)度或光功率輸出隨著波長(zhǎng)變化而不同,繪成一條分布曲線(xiàn)——光譜分布曲線(xiàn)。當(dāng)此曲線(xiàn)確定之后,器件的有關(guān)主波長(zhǎng)、純度等相關(guān)色度學(xué)參數(shù)亦隨之而定。

LED 的光譜分布與制備所用化合物半導(dǎo)體種類(lèi)、性質(zhì)及pn結(jié)結(jié)構(gòu)(外延層厚度、摻雜雜質(zhì))等有關(guān),而與器件的幾何形狀、封裝方式無(wú)關(guān)。

下圖繪出幾種由不同化合物半導(dǎo)體及摻雜制得LED 光譜響應(yīng)曲線(xiàn)。其中
      

① 是藍(lán)色I(xiàn)nGaN/GaN 發(fā)光二極管,發(fā)光譜峰λp = 460~465nm;
② 是綠色GaP:N 的LED,發(fā)光譜峰λp = 550nm;
③ 是紅色GaP:Zn-O 的LED,發(fā)光譜峰λp = 680~700nm;
④ 是紅外LED 使用GaAs 材料,發(fā)光譜峰λp = 910nm;
⑤ 是Si 光電二極管,通常作光電接收用。

由圖可見(jiàn),無(wú)論什么材料制成的LED,都有一個(gè)相對(duì)光強(qiáng)度最強(qiáng)處(光輸出最大),與之相對(duì)應(yīng)有一個(gè)波長(zhǎng),此波長(zhǎng)叫峰值波長(zhǎng),用λp表示。只有單色光才有λp波長(zhǎng)。

⑵ 譜線(xiàn)寬度:在LED 譜線(xiàn)的峰值兩側(cè)±△λ處,存在兩個(gè)光強(qiáng)等于峰值(最大光強(qiáng)度)一半的點(diǎn),此兩點(diǎn)分別對(duì)應(yīng)λp-△λ,λp+△λ 之間寬度叫譜線(xiàn)寬度,也稱(chēng)半功率寬度或半高寬度。半高寬度反映譜線(xiàn)寬窄,即LED 單色性的參數(shù),LED 半寬小于40 nm。

⑶ 主波長(zhǎng):有的LED 發(fā)光不單是單一色,即不僅有一個(gè)峰值波長(zhǎng);甚至有多個(gè)峰值,并非單色光。為此描述LED 色度特性而引入主波長(zhǎng)。主波長(zhǎng)就是人眼所能觀(guān)察到的,由LED 發(fā)出主要單色光的波長(zhǎng)。單色性越好,則λp也就是主波長(zhǎng)。如GaP 材料可發(fā)出多個(gè)峰值波長(zhǎng),而主波長(zhǎng)只有一個(gè),它會(huì)隨著LED 長(zhǎng)期工作,結(jié)溫升高而主波長(zhǎng)偏向長(zhǎng)波。

 2.3 光通量

光通量F是表征LED 總光輸出的輻射能量,它標(biāo)志器件的性能優(yōu)劣。F為L(zhǎng)ED 向各個(gè)方向發(fā)光的能量之和,它與工作電流直接有關(guān)。隨著電流增加,LED 光通量隨之增大??梢?jiàn)光LED 的光通量單位為流明lm。

LED向外輻射的功率——光通量與芯片材料、封裝工藝水平及外加恒流源大小有關(guān)。目前單色LED 的光通量最大約1 lm,白光LED 的F1.5~1.8 lm(小芯片),對(duì)于1mm×1mm的功率級(jí)芯片制成白光LED,其F=18 lm。
 
2.4 發(fā)光效率和視覺(jué)靈敏度

① LED效率有內(nèi)部效率(pn結(jié)附近由電能轉(zhuǎn)化成光能的效率)與外部效率(輻射到外部的效率)。前者只是用來(lái)分析和評(píng)價(jià)芯片優(yōu)劣的特性。LED光電最重要的特性是用輻射出光能量(發(fā)光量)與輸入電能之比,即發(fā)光效率。

② 視覺(jué)靈敏度是使用照明與光度學(xué)中一些參量。人的視覺(jué)靈敏度在λ = 555nm 處有一個(gè)最大值680 lm/w,若視覺(jué)靈敏度記為Kλ,則發(fā)光能量P 與可見(jiàn)光通量F 之間關(guān)系為P=∫Pλdλ ; F=KλPλdλ

③ 發(fā)光效率——量子效率η=發(fā)射的光子數(shù)/pn 結(jié)載流子數(shù)=e/hcI)∫λPλdλ。若輸入能量為W=UI,則發(fā)光能量效率ηP=P/W 若光子能量hc=ev,則η≈ηP,則總光通F=(F/P)P=KηPW 式中K= F/P。

④ 流明效率:LED 的光通量F/外加耗電功率W=Kη
它是評(píng)價(jià)具有外封裝LED 特性,LED 的流明效率高指在同樣外加電流下輻射可見(jiàn)光的能量較大,故也叫可見(jiàn)光發(fā)光效率。

以下列出幾種常見(jiàn)LED 流明效率(可見(jiàn)光發(fā)光效率):


品質(zhì)優(yōu)良的LED 要求向外輻射的光能量大,向外發(fā)出的光盡可能多,即外部效率要高。事實(shí)上,LED 向外發(fā)光僅是內(nèi)部發(fā)光的一部分,總的發(fā)光效率應(yīng)為η=ηiηcηe,式中ηi 向?yàn)閜、n 結(jié)區(qū)少子注入效率,ηc 為在勢(shì)壘區(qū)少子與多子復(fù)合效率,ηe 為外部出光(光取出效率)效率。

由于LED 材料折射率很高ηi≈3.6當(dāng)芯片發(fā)出光在晶體材料與空氣界面時(shí)(無(wú)環(huán)氧封裝)若垂直入射,被空氣反射,反射率為n1-12/n1+12=0.32,反射出的占32%,鑒于晶體本身對(duì)光有相當(dāng)一部分的吸收,于是大大降低了外部出光效率。為了進(jìn)一步提高外部出光效率ηe 可采取以下措施:

① 用折射率較高的透明材料(環(huán)氧樹(shù)脂n=1.55 并不理想)覆蓋在芯片表面;

② 把芯片晶體表面加工成半球形;

③ 用Eg大的化合物半導(dǎo)體作襯底以減少晶體內(nèi)光吸收。有人曾經(jīng)用n=2.4~2.6的低熔點(diǎn)玻璃[成分As-S(Se)-Br(I)]且熱塑性大的作封帽,可使紅外GaAs、GaAsP、GaAlAs 的LED 效率提高4~6倍。

2.5 發(fā)光亮度

亮度是LED 發(fā)光性能又一重要參數(shù),具有很強(qiáng)方向性。其正法線(xiàn)方向的亮度BO=IO/A,指定某方向上發(fā)光體表面亮度等于發(fā)光體表面上單位投射面積在單位立體角內(nèi)所輻射的光通量,單位為cd/m2 或Nit。

                                           

若光源表面是理想漫反射面,亮度BO 與方向無(wú)關(guān)為常數(shù)。晴朗的藍(lán)天和熒光燈的表面亮度約為7000Nit(尼特),從地面看太陽(yáng)表面亮度約為14×108Nit。

LED 亮度與外加電流密度有關(guān),一般的LED,JO(電流密度)增加BO 也近似增大。另外,亮度還與環(huán)境溫度有關(guān),環(huán)境溫度升高,ηc(復(fù)合效率)下降,BO減小。當(dāng)環(huán)境溫度不變,電流增大足以引起pn結(jié)結(jié)溫升高,溫升后,亮度呈飽和狀態(tài)。

2.6 壽命

老化:LED 發(fā)光亮度隨著長(zhǎng)時(shí)間工作而出現(xiàn)光強(qiáng)或光亮度衰減現(xiàn)象。器件老化程度與外加恒流源的大小有關(guān),可描述為Bt=BO e-t/τ,Bt t 時(shí)間后的亮度,BO 為初始亮度。

通常把亮度降到Bt=1/2BO 所經(jīng)歷的時(shí)間t 稱(chēng)為二極管的壽命。測(cè)定t 要花很長(zhǎng)的時(shí)間,通常以推算求得壽命。
                                                        
測(cè)量方法:給LED 通以一定恒流源,點(diǎn)燃103 ~104小時(shí)后, 先后測(cè)得BO ,Bt=1000~10000,代入Bt=BO e-t/τ求出τ;再把Bt=1/2BO代入,可求出壽命t。

長(zhǎng)期以來(lái)總認(rèn)為L(zhǎng)ED 壽命為106小時(shí),這是指單個(gè)LED IF=20mA 下。隨著功率型LED開(kāi)發(fā)應(yīng)用,國(guó)外學(xué)者認(rèn)為以L(fǎng)ED的光衰減百分比數(shù)值作為壽命的依據(jù)。

如LED 的光衰減為原來(lái)35%,壽命>6000h。

3 熱學(xué)特性

LED的光學(xué)參數(shù)與pn 結(jié)結(jié)溫有很大的關(guān)系。一般工作在小電流IF<10mA,或者10~20 mA 長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)點(diǎn)亮LED 溫升不明顯。

若環(huán)境溫度較高,LED 的主波長(zhǎng)或λp 就會(huì)向長(zhǎng)波長(zhǎng)漂移,BO 也會(huì)下降,尤其是點(diǎn)陣、大顯示屏的溫升對(duì)LED 的可靠性、穩(wěn)定性影響應(yīng)專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)散射通風(fēng)裝置。

LED的主波長(zhǎng)隨溫度關(guān)系可表示為:


由式可知,每當(dāng)結(jié)溫升高10℃,則波長(zhǎng)向長(zhǎng)波漂移1nm,且發(fā)光的均勻性、一致性變差。這對(duì)于作為照明用的燈具光源要求小型化、密集排列以提高單位面積上的光強(qiáng)、光亮度的設(shè)計(jì)尤其應(yīng)注意用散熱好的燈具外殼或?qū)iT(mén)通用設(shè)備、確保LED 長(zhǎng)期工作。
 

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