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能源電力

開關(guān)電源MOSFET漏源極電壓電磁干擾的仿真分析

本文從干擾源入手，對(duì)時(shí)域開關(guān)電壓信號(hào)進(jìn)行電磁干擾特性研究，通過提取MOSFET時(shí)域電壓信號(hào)的特征參數(shù)，利用傅立葉變換(FFT)法，分析了開關(guān)信號(hào)電磁干擾的頻譜情況以及各參數(shù)對(duì)頻譜的影響，通過Matlab仿真證明了上述分析的正確性及工程實(shí)用性。由于FFT后頻域信號(hào)的幅值差別較大，難以研究，因此本文...

2012-02-10

開關(guān)電源 MOSFET 漏源極電壓電磁干擾

增強(qiáng)繼電器性能以及可靠性的設(shè)計(jì)方案

隨著繼電器技術(shù)的發(fā)展及繼電器應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大，對(duì)繼電器的性能、壽命、可靠性等方面的要求越來越高。在壽命試驗(yàn)的基礎(chǔ)上，本文提出了加大應(yīng)力、縮短時(shí)間的加速壽命試驗(yàn)方法。

2012-02-10

繼電器電磁繼電器

UPS供電系統(tǒng)與發(fā)電機(jī)組的匹配兼容性

隨著互聯(lián)網(wǎng)的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心對(duì)大功率UPS和發(fā)電機(jī)的需求迅猛增長，由此也產(chǎn)生了一些新問題。本文就UPS輸入端功率因數(shù)和輸入濾波器對(duì)發(fā)電機(jī)的影響，進(jìn)行理論分析和實(shí)際案例的說明，以闡明問題產(chǎn)生的原因，進(jìn)而找出解決的方法。

2012-02-10

UPS 供電系統(tǒng) 發(fā)電機(jī) 匹配兼容

Q4液晶監(jiān)視器品牌、代工出貨雙衰退

根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 WitsView 最新公布的全球前十大液晶監(jiān)視器出貨調(diào)查數(shù)據(jù)，2011年第四季前十大液晶監(jiān)視器品牌及代工廠商出貨雙雙呈現(xiàn)衰退，其中品牌商出貨較上一季衰退4.7%，較2010年同期衰退約7%，而代工廠出貨則衰退5.1%，較2010年同期則明顯衰退約12%。

2012-02-10

液晶監(jiān)視器液晶監(jiān)視器 CCFL

3D顯示器市場環(huán)境現(xiàn)狀分析

對(duì)于IT市場，通常在三、四月份就會(huì)有一批新品面市，同時(shí)在節(jié)后，經(jīng)銷商面臨著貨源囤積以及新品推出的壓力，因此近期顯示器產(chǎn)品肯定會(huì)有一個(gè)不錯(cuò)的價(jià)位。

2012-02-10

3D顯示器 3D電視 3D液晶裸眼3D

2011年全球半導(dǎo)體銷售略增0.4% 創(chuàng)歷史新高

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)近日日公布，去(2011)年12月全球半導(dǎo)體3個(gè)月移動(dòng)平均銷售額達(dá)238.3億美元，較前月的上修值252.2億美元萎縮5.5%；與前年同期相比則下滑5.3%。Q4銷售額季減7.7%至715億美元。全年度累計(jì)銷售額達(dá)2,995億美元，持續(xù)創(chuàng)下歷史新高，不過成長幅度僅達(dá)0.4%。

2012-02-10

半導(dǎo)體微處理器光電感測器

LED結(jié)溫及其降低方法

LED的基本結(jié)構(gòu)是一個(gè)LED照明的P—N結(jié)。實(shí)驗(yàn)指出，當(dāng)電流流過LED元件時(shí)，P—N結(jié)的溫度將上升，嚴(yán)格意義上說，就把P—N結(jié)區(qū)的溫度定義為LED的結(jié)溫。通常由于元件芯片均具有很小的尺寸，因此我們也可把LED芯片的溫度視之為結(jié)溫。

2012-02-10

LED結(jié)溫 LED芯片功率型元件散熱

內(nèi)置電源LED日光燈的缺點(diǎn)與問題

目前，幾乎市場上所有LED日光燈的電源都是采用內(nèi)置式。所謂內(nèi)置式就是指電源可以放在燈管里面。這種內(nèi)置式的最大優(yōu)點(diǎn)就是可以做成直接替換現(xiàn)有的熒光燈管，而無需對(duì)原有電路作任何改動(dòng)。所以內(nèi)置式電源的形狀通常都是做成長條形，以便塞進(jìn)半圓形的燈管中去。內(nèi)置式電源有兩種，一種是非隔離式(圖1)...

2012-02-10

內(nèi)置電源 LED 日光燈變壓器隔離

RJS6005TDPP：瑞薩推出低功耗肖特基勢壘二極管用于大功率電子系統(tǒng)

全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社宣布開發(fā)出了肖特基勢壘二極管（SBD）RJS6005TDPP，該器件采用了碳化硅材料（SiC）——這種材料被認(rèn)為具有用于功率半導(dǎo)體器件的巨大潛力。

2012-02-10

肖特基勢壘二極管 SBD RJS6005TDPP 瑞薩

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