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ISL8200M：Intersil推出緊湊、可擴(kuò)展的電源模塊
ISL8200M是10A、高度集成的POL穩(wěn)壓器，采用表面安裝的QFN封裝，內(nèi)部包含一個(gè)PWM控制器、功率MOSFET、功率電感器和相關(guān)的分立器件，是計(jì)算、通信和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施，以及工業(yè)市場(chǎng)中各種應(yīng)用的理想之選。
2010-01-29
Intersil ISL8200M 電源模塊 攻克 難題
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適用于高亮度發(fā)光二極管的高電壓靜電放電保護(hù)二極管
LuxGuard 產(chǎn)品擁有多種設(shè)計(jì)選項(xiàng)，利用了 CMD 的重要工藝、設(shè)計(jì)和應(yīng)用知識(shí)，為客戶提供高價(jià)值的專用解決方案，同時(shí)享有與大批量普通客戶解決方案相當(dāng)?shù)牡统杀尽?/p>
2010-01-29
高亮度 發(fā)光 高電壓 保護(hù)二極管
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意法半導(dǎo)體發(fā)布封裝尺寸僅2mm×2mm的3軸加速度傳感器
意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）發(fā)布了實(shí)現(xiàn)小型化及低耗電的3軸MEMS加速度傳感器。封裝尺寸為2mm×2mm，達(dá)到了業(yè)界最高水平。耗電量最小可減至數(shù)μA以下。主要用于手機(jī)等要求小尺寸、低耗電的消費(fèi)類電子設(shè)備。
2010-01-29
意法半導(dǎo)體 封裝尺寸 3軸加速度 傳感器
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兩岸平板顯示業(yè)攜手打造完整產(chǎn)業(yè)鏈
長(zhǎng)期以來(lái)，大陸平板顯示業(yè)雖然涌現(xiàn)出ＴＣＬ、海信、長(zhǎng)虹、康佳、海爾等知名平板電視企業(yè)，但卻缺乏上游核心技術(shù)，面板和模組等主要零部件受制于日韓等國(guó)大廠，深受“有下游沒(méi)上游”之困。臺(tái)灣面板業(yè)雖為島內(nèi)龍頭產(chǎn)業(yè)，但主要依靠出口，“有上游無(wú)下游”困境明顯。
2010-01-28
兩岸 平板顯示 攜手 完整 產(chǎn)業(yè)鏈
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2010年美國(guó)小型半導(dǎo)體公司恐掀被并潮
據(jù)路透(Reuters)報(bào)導(dǎo)，由于整體經(jīng)濟(jì)疲弱，半導(dǎo)體廠商要靠自家的力量達(dá)到營(yíng)收成長(zhǎng)，相對(duì)難度較高，因此購(gòu)并在利基型市場(chǎng)上有獨(dú)到技術(shù)的小型廠商，將是2010年的趨勢(shì)，而這些小型的半導(dǎo)體廠商恐怕也會(huì)掀起被購(gòu)并潮。
2010-01-28
美國(guó) 小型半導(dǎo)體 被并潮
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變頻器未來(lái)發(fā)展凸現(xiàn)六種特性
變頻器是運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)中的功率變換器。當(dāng)今的運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)是包含多種學(xué)科的技術(shù)領(lǐng)域，總的發(fā)展趨勢(shì)是：驅(qū)動(dòng)的交流化，功率變換器的高頻化，控制的數(shù)字化、智能化和網(wǎng)絡(luò)化。因此，變頻器作為系統(tǒng)的重要功率變換部件，提供可控的高性能變壓變頻的交流電源而得到迅猛發(fā)展。
2010-01-28
變頻器 未來(lái)發(fā)展 凸現(xiàn) 特性
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山西首批大型并網(wǎng)太陽(yáng)能發(fā)電項(xiàng)目開工
山西首批大型并網(wǎng)太陽(yáng)能發(fā)電項(xiàng)目——山西國(guó)際電力集團(tuán)右玉小五臺(tái)一期10MW、平魯阻虎一期5MW太陽(yáng)能發(fā)電項(xiàng)目正式開工。
2010-01-28
山西 大型并網(wǎng) 太陽(yáng)能 發(fā)電項(xiàng)目
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Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增三種更大的外形尺寸
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸，接線柱的長(zhǎng)度為13mm。
2010-01-27
Vishay 101/102 PHR-ST 電容器 RoHS指令 UPS設(shè)備
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-01-27
Vishay MOSFET FET?技術(shù)
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