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技術(shù)文章

電源應(yīng)用問題之應(yīng)用環(huán)境分析

本文簡述開關(guān)電源常見的應(yīng)用環(huán)境，分析各種典型環(huán)境因素對(duì)電源產(chǎn)品的主要影響機(jī)理，推薦與應(yīng)用環(huán)境相匹配的金升陽電源產(chǎn)品，提升電源在不同應(yīng)用環(huán)境中的可靠性。

2022-09-14

開關(guān)電源應(yīng)用環(huán)境金升陽

開啟大功率無線充電新時(shí)代

無線充電技術(shù)包括感應(yīng)、磁諧振、電容、射頻輻射、激光、聲波和其他新興技術(shù)。感應(yīng)耦合技術(shù)處于領(lǐng)先地位 [1]，因此，其相關(guān)標(biāo)準(zhǔn) Qi 在無線充電領(lǐng)域應(yīng)用最為廣泛。

2022-09-14

無線充電 WLC1115 發(fā)射器

碳化硅MOS 四引腳封裝在應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)

瑞森半導(dǎo)體科技有限公司經(jīng)過多年研發(fā)，推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品，目前已得到市場(chǎng)和客戶認(rèn)可，廣泛應(yīng)用于高端服務(wù)器電源、太陽能逆變、UPS電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、儲(chǔ)能、充電樁等領(lǐng)域。

2022-09-14

碳化硅 MOS TO-247封裝

深入剖析高速SiC MOSFET的開關(guān)行為

本文探討了影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的關(guān)鍵因素，包括器件特性、工作條件和外部電路；解釋了開關(guān)損耗的主要影響因素，并確定了影響器件行為和使用的重要因素，這些因素可以顯著提升SiC MOSFET在功率電路中的開關(guān)性能。

2022-09-13

SiC MOSFET 開關(guān)

巧用LC濾波器額，改善高速DAC電源相位噪聲！

對(duì)于高速DAC供電電源的選擇，LDO是久經(jīng)考驗(yàn)的穩(wěn)壓器，尤其適合用來實(shí)現(xiàn)優(yōu)質(zhì)噪聲性能。相關(guān)技術(shù)資訊，可參閱文章：選擇超低噪聲的LDO來改善相位噪聲。

2022-09-13

LC濾波器 DAC 相位噪聲

常見的觸摸開關(guān)，你了解多少？

觸摸開關(guān)是一種公認(rèn)的電氣開關(guān)，與同類機(jī)械開關(guān)一樣通過手動(dòng)操作接通或斷開電路。這種開關(guān)最初在20世紀(jì)80年代初是用作鍵盤和鍵盤的薄膜或絲網(wǎng)印刷開關(guān)的，由于其性能不盡如人意且缺乏觸覺反饋，在推廣之處遇到了阻力。然而，在20世紀(jì)80年代末，在設(shè)計(jì)中納入金屬拱頂?shù)陌姹精@得了更廣泛的普及，這要...

2022-09-13

觸摸開關(guān) DigiKey

如何為無線狀態(tài)監(jiān)控系統(tǒng)選擇最佳MEMS傳感器（上篇）

如今MEMS加速度計(jì)性能快速提升，擁有更低功耗、更小尺寸、更高集成度、更寬帶寬以及低于100μg/√Hz的噪聲水平等，并可基于無線解決方案代替有線系統(tǒng)，以小巧輕便的三軸模擬器件取代單軸笨重的壓電傳感器，讓經(jīng)濟(jì)高效地連續(xù)監(jiān)控暴增的機(jī)器設(shè)備成為可能。對(duì)于維護(hù)和設(shè)施工程師而言，這意味著可通過全新...

2022-09-13

無線狀態(tài)監(jiān)控 MEMS傳感器

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如何為無線狀態(tài)監(jiān)控系統(tǒng)選擇最佳MEMS傳感器（上篇）

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常見的觸摸開關(guān)，你了解多少？