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利用物聯(lián)網(wǎng)充分發(fā)揮智能電網(wǎng)優(yōu)勢
全球電力企業(yè)在疫情大流行期間遭受重大打擊，目前各公司正積極重回正軌，努力把日益老化的配電網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行現(xiàn)代化更新。歐洲、中國和美國政府落實(shí)了雄心勃勃的擴(kuò)張計(jì)劃，計(jì)劃建立更多的計(jì)算機(jī)化網(wǎng)絡(luò)以實(shí)現(xiàn)無碳發(fā)電。物聯(lián)網(wǎng)將會(huì)是確保這些巨額投資獲得最大回報(bào)的重要基礎(chǔ)。
2022-10-11
物聯(lián)網(wǎng) 智能電網(wǎng)優(yōu)勢
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助推電動(dòng)汽車發(fā)展的新動(dòng)力：Soitec 的 SmartSiC?
如果說人類世界當(dāng)前面臨的最緊迫危機(jī)是如何降低二氧化碳排放量，以減緩已經(jīng)造成的災(zāi)難性環(huán)境破壞以及人口損害，那么，在當(dāng)前的地球溫室氣體排放中，交通業(yè)的“貢獻(xiàn)”最大，傳統(tǒng)上它已被視為重要的污染源。
2022-10-11
電動(dòng)汽車 Soitec SmartSiC
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瑞薩RA MCU在BMS產(chǎn)品中的應(yīng)用
BMS電池管理系統(tǒng)一般包含以下幾個(gè)部分：電壓采樣、電流采樣、充放電控制、硬件過流保護(hù)、SOC算法、對(duì)外的通信接口等。本案例中SOC算法和通信接口，由RA2L1（R7FA2L1A93CFL）完成，其余部分由AFE（Analog Front End）模擬前端芯片ISL489206或ISL489204（14串）完成。
2022-10-11
瑞薩 MCU BMS
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開關(guān)技術(shù)，大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關(guān)斷ZCS（Zero current switching），同時(shí)，尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中，絕大多數(shù)的采用軟開關(guān)拓?fù)涞碾娫串a(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學(xué)提到ZVS時(shí)想到的主要功率器件搭檔...
2022-10-11
IGBT ZVS ZCS
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噪聲是什么？EMC是什么？噪聲損害是電子社會(huì)的現(xiàn)代病
電腦的通信錯(cuò)誤、手機(jī)通話突然斷開……您有過類似的經(jīng)驗(yàn)嗎？我們周圍充斥著噪聲，它們會(huì)通過各種線路侵入電子設(shè)備，引發(fā)故障。那么，這些看不見的噪聲的真身是什么？本周為您帶來3篇關(guān)于電子噪音及EMC對(duì)策的科普文章，希望有助于您了解其基礎(chǔ)知識(shí)。
2022-10-11
噪聲 EMC 噪聲損害
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測量SiC MOSFET柵-源電壓時(shí)的注意事項(xiàng)：一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以Si...
2022-10-11
測試測量 SiC MOSFET 柵-源電壓
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安森美在羅馬尼亞設(shè)立新研發(fā)中心，提升全球設(shè)計(jì)能力
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，近日宣布在羅馬尼亞布加勒斯特設(shè)立一個(gè)全新的研發(fā)中心，以進(jìn)一步提升安森美的全球設(shè)計(jì)能力。該研發(fā)中心將致力于開發(fā)耐高溫和經(jīng)久耐用的產(chǎn)品，用于汽車隔離驅(qū)動(dòng)以及用于智能感知的高精度器件，以進(jìn)一步順應(yīng)汽車和工業(yè)發(fā)展...
2022-10-10
安森美 研發(fā)中心 智能感知
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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