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千億級(jí)遠(yuǎn)程醫(yī)療市場(chǎng)爆發(fā)，互聯(lián)醫(yī)療設(shè)備如何應(yīng)對(duì)需求多樣化？
1879年，著名醫(yī)學(xué)雜志《柳葉刀》在文章中提問(wèn)，“如何通過(guò)使用電話通信減少有輕微健康問(wèn)題的患者的就診次數(shù)？”這是人類第一次開始關(guān)注遠(yuǎn)程醫(yī)療。如今遠(yuǎn)程醫(yī)療已經(jīng)在社會(huì)中被廣泛實(shí)踐。比如在鄉(xiāng)村地區(qū)，專業(yè)醫(yī)務(wù)人員已經(jīng)在通過(guò)遠(yuǎn)程醫(yī)療平臺(tái)讓村民居家就能享受更好的醫(yī)療保健服務(wù)。
2023-06-08
遠(yuǎn)程醫(yī)療 降壓轉(zhuǎn)換器 時(shí)鐘發(fā)生器
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獲得廣泛認(rèn)可！DigiKey在2023 EDS領(lǐng)導(dǎo)力峰會(huì)上斬獲供應(yīng)商授予的多項(xiàng)大獎(jiǎng)
全球供應(yīng)品類豐富、發(fā)貨快速的商業(yè)現(xiàn)貨技術(shù)元件和自動(dòng)化產(chǎn)品分銷商 DigiKey 日前宣布，在 5 月 16 日至 19 日于拉斯維加斯舉行的 2023 年 EDS 領(lǐng)導(dǎo)力峰會(huì)上，共計(jì)獲得了供應(yīng)商合作伙伴授予的 17 個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)。DigiKey 很榮幸獲得了眾多重要供應(yīng)商合作伙伴的認(rèn)可，也有幸能與這么多供應(yīng)商保持良好的合作關(guān)...
2023-06-07
DigiKey EDS領(lǐng)導(dǎo)力峰會(huì)
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使用多層感知器進(jìn)行機(jī)器學(xué)習(xí)
到目前為止，我們關(guān)注的是單層感知器，它由一個(gè)輸入層和一個(gè)輸出層組成。您可能還記得，我們使用術(shù)語(yǔ)“單層”是因?yàn)榇伺渲脙H包括一層計(jì)算活動(dòng)節(jié)點(diǎn)，即通過(guò)求和然后應(yīng)用激活函數(shù)來(lái)修改數(shù)據(jù)的節(jié)點(diǎn)。輸入層中的節(jié)點(diǎn)只是分發(fā)數(shù)據(jù)。。
2023-06-07
多層感知器 機(jī)器
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霍爾效應(yīng)位置感測(cè)：滑動(dòng)配置的響應(yīng)線性度和斜率
霍爾效應(yīng)傳感器為位置感測(cè)提供了高效的解決方案。使用霍爾傳感器，傳感器和運(yùn)動(dòng)部件之間沒有機(jī)械連接，因此可以獲得更高的可靠性和耐用性。
2023-06-07
霍爾效應(yīng)位置感測(cè) 響應(yīng)線性度 滑動(dòng)配置 斜率
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一文全面詳解數(shù)字溫度傳感器DS18B20
傳統(tǒng)的溫度檢測(cè)大多以熱敏電阻為傳感器，采用熱敏電阻，可滿足40℃至90℃測(cè)量范圍，但熱敏電阻可靠性差，測(cè)量溫度準(zhǔn)確率低，對(duì)于小于1℃的溫度信號(hào)是不適用的，還得經(jīng)過(guò)專門的接口電路轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)才能由微處理器進(jìn)行處理。
2023-06-07
數(shù)字溫度傳感器 DS18B20
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SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)
SMPD可用于標(biāo)準(zhǔn)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術(shù)產(chǎn)品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級(jí)。
2023-06-07
SMPD 先進(jìn)絕緣封裝 SiC MOSFET
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第4代SiC MOS、1700V驅(qū)動(dòng)…意法半導(dǎo)體透露了這些重點(diǎn)
過(guò)去一年，產(chǎn)業(yè)領(lǐng)先企業(yè)是如何抓住歷史機(jī)遇勇立潮頭？2023年，他們又將如何邁出新時(shí)代步伐？為此，行家說(shuō)三代半、行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了《產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖開年說(shuō)——2023，全力奔跑》專題報(bào)道，本期嘉賓是意法半導(dǎo)體亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品部營(yíng)銷和應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGER。
2023-06-07
SiC MOS 驅(qū)動(dòng) 意法半導(dǎo)體
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