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普冉半導體與IAR達成合作,為嵌入式開發(fā)者帶來卓越開發(fā)體驗
中國上海–2023年10月11日–嵌入式開發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導者IAR與普冉半導體共同宣布達成合作:IAR Embedded Workbench for Arm將全面支持普冉半導體32位Arm? Cortex? - M0+/M4系列微控制器。IAR將為普冉提供完整的開發(fā)工具支持,包括但不限于代碼編輯、編譯、調(diào)試等功能,使開發(fā)者能夠充分發(fā)揮普冉...
2023-10-12
普冉半導體 IAR 嵌入式
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高精度 4-20 mA 電流環(huán)發(fā)送器
對于工業(yè)過程控制儀表,4-20 mA 電流環(huán)路廣泛用于維持適當?shù)碾娏?,直至系統(tǒng)的電壓能力。電流環(huán)路的主要特征包括盡管互連線路中存在壓降,仍能夠保持信號的準確性,以及為設(shè)備提供工作電源的能力。
2023-10-12
電流環(huán)發(fā)送器
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使用霍爾效應(yīng)傳感或磁場傳感技術(shù)的應(yīng)用
隨著支持技術(shù)的增強,使用霍爾效應(yīng)傳感或磁場傳感技術(shù)的應(yīng)用目前已變得有效。本技術(shù)文檔介紹了霍爾效應(yīng)技術(shù),并對應(yīng)用進行了回顧,特別是區(qū)分霍爾傳感器 IC 的主要類型以及它們可以支持的各種傳感行為。此外,它還探討了一些使能技術(shù),例如信號處理方面的進步,這些技術(shù)使該技術(shù)比早期更加強大。這...
2023-10-12
霍爾效應(yīng)傳感 磁場傳感技術(shù)
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功率 MOSFET、其電氣特性定義
本應(yīng)用筆記介紹了功率 MOSFET、其電氣特性定義和使用說明。介紹了功率MOSFET的破壞機制和對策及其應(yīng)用和電機驅(qū)動應(yīng)用。
2023-10-12
MOSFET 電氣特性
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國科光芯:專注氮化硅硅光技術(shù),探索硅光產(chǎn)業(yè)發(fā)展新路徑
訪談背景:國科光芯(海寧)科技股份有限公司(簡稱:國科光芯)創(chuàng)立于2019年4月,總部位于浙江海寧,是一家集材料工藝、芯片設(shè)計、集成封裝、光電子器件、應(yīng)用算法、系統(tǒng)集成等綜合能力為一體的國家高新技術(shù)企業(yè)。國科光芯以“為同行者掌燈”為使命,致力于成為全球領(lǐng)先硅光芯片技術(shù)及整體解決方案公...
2023-10-12
國科光芯 氮化硅 硅光技術(shù)
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瑞薩運動傳感器助力生活更智能
隨著物聯(lián)網(wǎng)和人工智能技術(shù)的不斷發(fā)展,運動傳感器被嵌入在越來越多的應(yīng)用中。智能手機、智能手表、健身設(shè)備、游戲控制器等消費類電子產(chǎn)品,用它來監(jiān)測、追蹤用戶的步數(shù)、運動軌跡、姿勢等數(shù)據(jù),從而實現(xiàn)個人健康管理和運動追蹤功能。而在工業(yè)領(lǐng)域中,運動傳感器被用于機器人、自動化生產(chǎn)線、無人機...
2023-10-12
瑞薩 運動傳感器 方案
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特定幀喚醒CAN FD收發(fā)器芯片SIT1145AQ功能詳解
SIT1145AQ是芯力特研發(fā)的第三代CAN FD車載收發(fā)器接口芯片,與前兩代產(chǎn)品相比,在第二代CAN FD的基礎(chǔ)之上增加了SPI端口,此端口用于配置SIT1145AQ各種工作模式以及獲取網(wǎng)絡(luò)診斷信息,使SIT1145AQ控制靈活性更大,功能更全。同時SIT1145AQ支持最大5Mbps靈活數(shù)據(jù)速率,并支持在休眠/待機模式下特定幀喚...
2023-10-12
特定幀喚醒 CAN FD 收發(fā)器
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