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光學(xué)心率傳感器在可穿戴醫(yī)療設(shè)備中的應(yīng)用
隨著數(shù)字化進(jìn)程的不斷推進(jìn),光學(xué)心率傳感器在可穿戴設(shè)備中的應(yīng)用越來越廣泛。這些設(shè)備中數(shù)不清的應(yīng)用可提供從個人活動、健身水平到健康狀況的所有內(nèi)容。精準(zhǔn)的生物識別傳感器數(shù)據(jù)可以提供準(zhǔn)確的健身/健康評估,但設(shè)計(jì)師和工程師究竟能用這些評估做些什么呢?
2020-08-10
光學(xué)心率傳感器 可穿戴醫(yī)療設(shè)備
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儲能系統(tǒng)助推電動汽車快速充電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)
電動汽車(EV)將獲得越來越多的市場份額,最終取代內(nèi)燃機(jī)汽車。直流快速充電站將取代或整合加油站。太陽能、風(fēng)能等可再生能源將為它們提供動力。人們將希望能在不到15分鐘的時(shí)間內(nèi)為電動汽車充滿電,他們不愿排隊(duì)等候唯一的充電樁。
2020-08-10
能系統(tǒng) 電動汽車 充電基礎(chǔ)設(shè)施
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400G數(shù)據(jù)中心光纖收發(fā)器選擇
隨著帶寬、容量和較低延遲的需求不斷增長,推動了向更快網(wǎng)絡(luò)速度的遷移。因此每一年,對于大規(guī)模云數(shù)據(jù)中心的適應(yīng)和生存能力都是一場考驗(yàn)。在過去幾年中,數(shù)據(jù)中心的鏈路速度從25G/100G增加到了100G/400G。
2020-08-10
數(shù)字電路 PCB回流路徑
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芯片級封裝有助于便攜式醫(yī)療設(shè)備減小尺寸并減輕重量
借助晶圓級芯片級封裝,介入性檢測、醫(yī)學(xué)植入體、一次性監(jiān)護(hù)儀等便攜式醫(yī)療設(shè)備的設(shè)計(jì)師可以減小尺寸、降低功耗需求。
2020-08-10
芯片級封裝 便攜式 醫(yī)療設(shè)備 減小尺寸
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門極驅(qū)動器方案–––即插即用快速評估和測試
電力電子在當(dāng)今世界無處不在:半導(dǎo)體的隱藏功能,可實(shí)現(xiàn)廣泛應(yīng)用,從家電和消費(fèi)品到數(shù)據(jù)處理和無線網(wǎng)絡(luò),再到日趨電子化的汽車。電力電子系統(tǒng)以極高能效在交流和直流形式之間以及直流電壓之間轉(zhuǎn)換電力,從而使更多的電能流向最終應(yīng)用。電源轉(zhuǎn)換的主要動力是開關(guān):功率MOSFET、IGBT、寬禁帶(WBG)半導(dǎo)...
2020-08-10
門極驅(qū)動器 方案 功率MOSFET IGBT
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電動汽車空調(diào)的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)——IGBT
ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)、且具有1200V 和650V寬耐壓范圍的IGBT產(chǎn)品。該系列具有更低的傳導(dǎo)損耗,有助于提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率并實(shí)現(xiàn)小型化,是電動壓縮機(jī)的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-08-10
電動汽車 空調(diào) 關(guān)鍵技術(shù) IGBT
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SiC MOSFET應(yīng)用技術(shù)在雪崩條件下的魯棒性評估
本文將探討如何在雪崩工作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率變換器,特別是電動汽車驅(qū)動電機(jī)功率變換器,需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續(xù)流導(dǎo)通期間出現(xiàn)失效或柵極驅(qū)動命令信號錯誤,就會致使變換器功率開關(guān)管在雪崩條件下工作。因此,本文通過模擬雪崩事件,進(jìn)行非鉗位感性負(fù)載...
2020-08-10
SiC MOSFET 應(yīng)用技術(shù) 雪崩 魯棒性
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