中心議題：

• 實用高性能光傳感器放大電路的設(shè)計研究

解決方案：

• 利用光傳感器的驅(qū)動電路
• 運用低噪聲前置放大電路
• 采用一種實用的高性能光傳感器放大電路

引言

傳感網(wǎng)具有部署靈活、方便擴展等特點，可用于事件檢測、目標定位、跟蹤識別、信息傳輸和智能處理。

傳感器是傳感網(wǎng)概念中最基礎(chǔ)和最廣泛的技術(shù)支撐之一。傳感器又有電子和光學(xué)之分，其應(yīng)用上有測力、稱重、測溫等方式。隨著激光和光纖技術(shù)的進一步應(yīng)用，近幾年來，光傳感器得到了快速發(fā)展。光傳感器具有靈敏度高，不受電磁干擾，應(yīng)用簡單，性價比高等特點，在各種領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。如各類家電搖控器，光電測量系統(tǒng)，光纖傳感領(lǐng)域，全光網(wǎng)絡(luò)等。

根據(jù)物聯(lián)網(wǎng)對傳感器技術(shù)的要求，研究其信號的放大與傳輸技術(shù)是目前傳感網(wǎng)的研究熱點之一。如何提高微弱的光傳感器信號的放大性能和傳輸效率，是光傳感器需要解決的關(guān)鍵技術(shù)之一。本文主要針對光傳感器的放大電路進行研究，深入了解光傳感信號的特點及對光傳感器的性能要求，掌握特定放大電路的設(shè)計理論和設(shè)計方法，特別是運用新器件的能力及電路改進的措施。依據(jù)目前放大器件及電路設(shè)計理論與實踐，設(shè)計出實用的新型高性能光傳感器放大電路。

1 光傳感器及放大電路的現(xiàn)狀和特點

隨著物聯(lián)網(wǎng)概念的提出和應(yīng)用，對光傳感器提出了更高要求，如在特殊環(huán)境下的使用，要求有更高的靈敏度，更大的波動性，低能耗，微型化等。這就需要光傳感器的信號放大電路更具穩(wěn)定性和長壽命，故障率低，更大的輸出功率和抗干擾能力強等特點。

由于光傳感器在一些應(yīng)用場合采集到的光信號非常微弱，如夜間或光線較暗的場所，而在一些場合光線又比較強烈，如陽光下或聚光燈下等。因此，放大器應(yīng)具有很強的適應(yīng)性和更好的動態(tài)調(diào)節(jié)能力。雖然目前放大器的種類很多，但符合現(xiàn)代物聯(lián)網(wǎng)要求的高性能光傳感放大器還處于完善和改進階段，有待進一步研究和解決的技術(shù)問題還有不少，如穩(wěn)定性問題，高增益需求，較大動態(tài)范圍，低噪聲特性，較高輸出電平，較強抗干擾能力等。

2 光傳感器放大電路設(shè)計研究

2.1 光傳感器的驅(qū)動電路
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圖1是紅外線驅(qū)動電路，LED用作光傳感器光源。
為減少自然光、照明光和其他干擾光的影響，需對反相器電路產(chǎn)生的脈沖輸出進行脈沖調(diào)制，反相器中的GA和GB構(gòu)成振蕩電路，如果反相器GA和GB的門限電平為1／2Ucc（Ucc為MC14069電源電壓），則電路的振蕩頻率f，由電容C1和電位器Rp 的值決定，即f=1／（2.2Rc）。其中，R為Rp的阻值，C為C1 的電容值。

電路中R3是保護GA的輸入電阻，為了在更換成其他類元件時頻率與占空比不改變，R3的值要足夠大于Rp的值。若采用兩個二級管VD1和VD2及Rp2和Rp3替代Rp，就可以分別調(diào)整C1的放電時間，調(diào)整Rp2與Rp3可以調(diào)整頻率與占空比。反相器Gc用于激勵晶體管VT1，減少對振蕩電路的影響，GD也是同樣的目的，晶體管VT1用于驅(qū)動LED，電阻R1是LED的限流電阻，同時也起到去耦作用。

2.2 低噪聲前置放大電路

研究表明，對光傳感器前置放大電路的具體要求是：低噪聲、高增益、低輸出阻抗、足夠的信號帶寬和負載能力、良好的線性和抗干擾能力、結(jié)構(gòu)緊湊、靠近光電敏感器件并具有良好的接地和屏蔽。

低噪聲前置放大器通常設(shè)置在光傳感器與光電敏感器件的輸出端和主放大器之間，它的任務(wù)是放大光電敏感器件所輸出的微弱信號，并匹配后續(xù)調(diào)整電路與光電敏感器件之間的阻抗。

設(shè)計前置放大器電路：

（1）首先要考慮的幾個問題是：應(yīng)滿足放大電路的高信噪比和信號源阻抗與放大器之間的噪聲匹配（信號源阻抗等于最佳源阻抗）；要考慮電路組態(tài)、形式等，以滿足增益、頻響、輸入／輸出阻抗等方面的要求；要采取一定的方法來減少噪聲，采取屏蔽以及接地措施來避免信號干擾。

（2）為了滿足低噪聲放大器對噪聲匹配的要求，應(yīng)選擇合適的放大器件，也就是源電阻。試驗表明，源電阻在100 Q～ 1 MQ 之間選用晶體管，源電阻在1 ka～1 MQ之間可選用運放，源電阻在1 kQ～1 GQ之間多采用結(jié)型場效應(yīng)管，源電阻超過1 MQ也可選用MOSFET。一般紅外光電管的輸出電阻為20 kQ，因此，選用晶體管、運算放大器、結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管均可。相比較而言，運算放大器特別是CMOS型集成運放具有輸入阻抗高、失調(diào)電壓和溫度漂移較小、共模抑制比高、動態(tài)范圍較寬、對溫度變化和電源變化及其他外界干擾具有較強的抑制能力，因此適用放大微弱信號，同時采用運算放大器也可使電路設(shè)計簡化，組裝調(diào)試方便，功耗低，體積小，可靠性增加。
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（3）為了獲得低噪聲特性，放大電路中的其他器件也要考慮低噪聲。這里，電阻可選用金屬膜電阻，電容可選用鉭電容或瓷介電容，而信號輸入線則采用盡可能短的鍍銀屏蔽電纜，電路板使用漏電流小的高絕緣電路板。

3 一種實用的高性能光傳感器放大電路

圖2所示是一種基于運算放大器設(shè)計的三級級聯(lián)光傳感器放大電路。設(shè)計中要注意，對獨立設(shè)置的單級運算放大器其增益取決于反饋電阻Rf和輸入電阻Ri的比值，反相放大器的輸入阻抗等于Ri，而外接電容c是補償電容，目的是防止自激。聯(lián)合設(shè)計時每級放大電路各有側(cè)重。這里，前置放大電路的放大器件采用低噪聲雙極型運算放大器NE5534A，并設(shè)計為負反饋放大電路，其特點是電容耦合反相放大，但增益固定不變。 NE5534A是一種高速、低噪聲運算放大器，它的等效輸入噪聲電壓較小，其典型值為3.5 nV／Hz，單位增益帶寬為10 MHz，典型共模抑制比為100 dB，消耗電流8 mV，具有良好的動態(tài)特性。根據(jù)理想運算放大器的特點和“虛短”、“虛斷”的概念，可知運放兩輸入端電壓相等，即：U+=U-，又Uin =U+，由此可得流過電阻R2的電流為IR2=U-／R2=U+／U2=Uin／R2，IR2= IR3。

運算放大器的輸出為： 因一級放大倍數(shù)為8位，選擇電阻RJ一10Rz，由此可得運放輸出為： 第2級放大器A。根據(jù)輸入電平在寬范圍改變增益，經(jīng)過2級放大器把光電晶體管VT的入射光電平放大到足夠檢測到的電平，再經(jīng)過同步檢波器與低通濾波器后加到A 比較器的同相輸入端，與加在反相輸入端通過R 設(shè)定的電壓進行比較，若超過Rr 設(shè)定的電壓，A 輸出高電平，最后經(jīng)2級反相器整形輸出。
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4 光傳感器放大電路的改進

近年來，數(shù)字電路呈主導(dǎo)應(yīng)用，但是，信號的檢出、測量等還是模擬信號，因此，必須對此類放大器進行深入研究。采用運算放大器設(shè)計的傳感器放大電路其改進的措施主要有：

（1）負反饋特性

對于多級級聯(lián)的放大器電路，為防止巴克豪森振蕩，負反饋不可太深，同時引入相位補償電容。

（2）電源電壓選用

包含直流的低頻放大電路，其輸出電壓通常在5～10 V，因此，如果要求較高的輸出電平，運算放大器的直流電壓應(yīng)選擇大于10 V 以上，這樣可以避免放大器輸出峰值超過電源電壓而形成電源的波動。同時，物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用場合大部分是微弱信號，因此，必須充分考慮電源去耦，通常在直流電源進入運放之前加入100 Ω去耦電阻。

（3）輸入濾波器設(shè)計

對于高精度mV 級的DC放大器，其各種交流干擾都將成為放大器寄生信號的重要信號源，因此，必須在運算放大器的輸入端加輸入濾波器，通常由一個大電阻（4.7 kΩ）和一個小電容（3.3μF）構(gòu)成RC濾波，如圖3所示。
5 結(jié)語

物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的興起需要對多項技術(shù)進行進一步研究和改進及相互融合，為適應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用，傳感器放大電路需要研究和改進的方面還有很多。本文給出的放大器的設(shè)計理論和方法主要適用光傳感器應(yīng)用場合，以三級獨立和關(guān)聯(lián)設(shè)計為特點，通過驅(qū)動電路、阻抗設(shè)計、負反饋、濾波設(shè)計、電源低耗設(shè)計、整形輸出等技術(shù)的引入，使放大器具有低噪聲、靈敏度高、波動性好、低能耗、微型化、壽命長等特點。