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BSI型CMOS傳感器:東芝從2010年開(kāi)始量產(chǎn)

發(fā)布時(shí)間:2009-11-09 來(lái)源:技術(shù)在線(xiàn)

產(chǎn)品特性:
  • 采用300mm晶圓生產(chǎn)
  • 采用65nm的CMOS工藝
  • 光學(xué)格式為1/2.3英寸,幀速率為60幀/秒
適用范圍:
  • 數(shù)碼相機(jī)、支持視頻的手機(jī)和數(shù)碼攝像機(jī)
東芝將從2010年第三季度開(kāi)始量產(chǎn)BSI(背面照射)型CMOS圖像傳感器。主要面向數(shù)碼相機(jī)、支持視頻的手機(jī)和數(shù)碼攝像機(jī)。量產(chǎn)規(guī)模最初預(yù)定為50萬(wàn)個(gè)/月。BSI型CMOS傳感器采用適合高靈敏度的制造技術(shù),即使在特別暗的地方進(jìn)行拍攝也能獲得高畫(huà)質(zhì)圖像。

東芝將從2009年底開(kāi)始樣品供貨1.4μm間距的1460萬(wàn)像素產(chǎn)品。采用300mm晶圓生產(chǎn),與競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)相比降低了制造成本。競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)一般采用200mm晶圓,東芝表示采用300mm晶圓在全球尚屬首次。新產(chǎn)品將采用65nm的CMOS工藝。

在BSI型CMOS傳感器中,可通過(guò)采用傳感器上面沒(méi)有布線(xiàn)層的結(jié)構(gòu)來(lái)提高采光率。研磨形成傳感器的硅底板,然后將鏡頭靠近傳感器安裝。此項(xiàng)工序采用了晶圓薄化和接合等大量面向MEMS使用的工藝技術(shù)。由于沒(méi)有妨礙光線(xiàn)入射的布線(xiàn)層,因此可提高靈敏度。東芝表示,若是已宣布量產(chǎn)的1.4μm產(chǎn)品,則可將靈敏度提高約40%。另外,該元件的光學(xué)格式為1/2.3英寸,幀速率為60幀/秒(支持1080p以及720p)。

對(duì)于BSI型CMOS傳感器,幾乎所有的大型圖像傳感器廠(chǎng)商都已經(jīng)或正在考慮采用。不過(guò),CMOS傳感器的制造工藝比較復(fù)雜,需要削減成本。此次東芝決定量產(chǎn)采用300mm晶圓的產(chǎn)品,將進(jìn)一步加速低成本化競(jìng)爭(zhēng)、加快BSI型CMOS傳感器向手機(jī)的普及速度。
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