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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊(cè)參數(shù)解析（上）
IGBT是大家常用的開(kāi)關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊(cè)，對(duì)手冊(cè)中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說(shuō)明，用戶(hù)可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2022-11-01
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這些功率器件撐起3,000億特高壓建設(shè)
新能源是支撐國(guó)家可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵，隨著“碳達(dá)峰”和“碳中和”目標(biāo)的提出，中國(guó)新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。但新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題是發(fā)電與用電區(qū)域不均衡，風(fēng)電、太陽(yáng)能和水電等可再生能源主要集中在西部和西北部，用電則主要集中在中東部。并且風(fēng)電和太陽(yáng)能（光伏）等發(fā)電方式波動(dòng)性較大，在新能源布局較多的西北部地區(qū)，由于用電負(fù)荷低于發(fā)電量，造成了較高比例的“棄風(fēng)”、“棄光”現(xiàn)象。
2022-10-31
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庖丁解?？?span id="bb6dj9o" class='red'>功率器件雙脈沖測(cè)試平臺(tái)
雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類(lèi)功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時(shí)，這項(xiàng)測(cè)試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)應(yīng)用等各個(gè)環(huán)節(jié)，測(cè)試結(jié)果有力地保證了器件的特性和質(zhì)量、功率變換器的指標(biāo)和安全，可以說(shuō)是伴隨了功率器件生命的關(guān)鍵時(shí)刻。
2022-10-31
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高集成度功率電路的熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
目前隨著科學(xué)技術(shù)和制造工藝的不斷發(fā)展進(jìn)步，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展日新月異。對(duì)于功率半導(dǎo)體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來(lái)越高。目前功率半導(dǎo)體器件不僅是單一的開(kāi)關(guān)型器件如IGBT或MOSFET器件類(lèi)型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類(lèi)型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅(qū)動(dòng)器和控制電路IC，這樣的功率半導(dǎo)體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導(dǎo)體器件其封裝結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)的單一功率半導(dǎo)體器件有一定的區(qū)別，因此其散熱設(shè)計(jì)和熱傳播方式也有別于傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體器件，會(huì)給使用者帶來(lái)更大的熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。
2022-10-28
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SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
作為目前碳化硅MOSFET型號(hào)最豐富的國(guó)產(chǎn)廠商派恩杰，不僅在功率器件性能上達(dá)到國(guó)際一流廠商水平，在AC BTI可靠性上更是超越國(guó)際一流廠商?？偛命S興博士用高性能和高可靠性的產(chǎn)品證明派恩杰是國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件的佼佼者，展現(xiàn)了超高的碳化硅設(shè)計(jì)能力和工藝水平。
2022-10-19
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除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域？
硅材料制作的功率器件，也被稱(chēng)為第一代半導(dǎo)體，而砷化鎵（GaAs）等材料制作的功率器件，則被成為第二代半導(dǎo)體，第二代半導(dǎo)體在高頻性能上優(yōu)于硅器件，通常用于射頻應(yīng)用。
2022-10-13
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_(kāi)通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關(guān)斷ZCS（Zero current switching），同時(shí)，尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中，絕大多數(shù)的采用軟開(kāi)關(guān)拓?fù)涞碾娫串a(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學(xué)提到ZVS時(shí)想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。
2022-10-11
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紅外熱成像儀對(duì)放大器的芯片結(jié)溫的仿真測(cè)試
隨著 GaN 功率放大器向小型化、大功率發(fā)展，其熱耗不斷增加，散熱問(wèn)題已成為制約功率器件性能提升的重要因素。金剛石熱導(dǎo)率高達(dá) 2000 Ｗ/(m?K)，是一種極具競(jìng)爭(zhēng)力的新型散熱材料，可用作大功率器件的封裝載片。
2022-10-08
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延時(shí)校準(zhǔn)、脈沖測(cè)試一定要做的事兒！
進(jìn)行雙脈沖測(cè)試的主要目的是獲得功率半導(dǎo)體的開(kāi)關(guān)特性，可以說(shuō)它伴隨著功率器件從研發(fā)制造到應(yīng)用的整個(gè)生命周期?；陔p脈沖測(cè)試獲得的器件開(kāi)關(guān)波形可以做很多事情，包括：通過(guò)對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程的分析驗(yàn)證器件設(shè)計(jì)方案并提出改進(jìn)方向、提取開(kāi)關(guān)特征參數(shù)制作器件規(guī)格書(shū)、計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗和反向恢復(fù)損耗為電源熱設(shè)計(jì)提供數(shù)據(jù)支撐、不同廠商器件開(kāi)關(guān)特性的對(duì)比等。
2022-09-20
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GaN HEMT 大信號(hào)模型
GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計(jì)者提供了對(duì) LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8 W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)電流。另一方面，GaN RF 功率器件具有自加熱特性，并且元件參數(shù)的非線(xiàn)性與信號(hào)電平、熱效應(yīng)和環(huán)境條件之間存在復(fù)雜的依賴(lài)關(guān)系。這些因素往往給準(zhǔn)確預(yù)測(cè)器件大信號(hào)性能造成更多困難。
2022-09-15
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汽車(chē)感性負(fù)載安全退磁能量計(jì)算和分析
隨著汽車(chē)電子技術(shù)的發(fā)展，輕量化與智能化的需求也帶動(dòng)了英飛凌智能功率器件 (IPD)在車(chē)身負(fù)載驅(qū)動(dòng)的大規(guī)模應(yīng)用。對(duì)于感量較大的負(fù)載，如雨刮、鼓風(fēng)機(jī)、風(fēng)扇、繼電器等，需要考慮負(fù)載關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的能量對(duì)系統(tǒng)的沖擊，同時(shí)驅(qū)動(dòng)器件不能被該能量擊穿。本文提供了評(píng)估測(cè)量感性能量的方法和工具，在一個(gè)明確定義的應(yīng)用場(chǎng)景中，瞬間關(guān)斷時(shí)的產(chǎn)生的箝位能量（ECL），與高壓側(cè)器件本身的能量能力進(jìn)行對(duì)比，保證IPD器件長(zhǎng)期可靠工作。
2022-08-03
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GaN是否具有可靠性？或者說(shuō)我們能否如此提問(wèn)？
鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒(méi)有人詢(xún)問(wèn)硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問(wèn)世，電源設(shè)計(jì)人員對(duì)硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。
2022-07-29
- 意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議
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