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如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動汽車電池的充電能力
終端用戶希望新的電動汽車設計能夠最大限度地減少車輛的空閑時間，尤其是在長途駕駛中。電動汽車設計人員需要提高充電器的功率輸出、功率密度和效率，以實現(xiàn)終端用戶期望的快速充電。目前，單個單元充電器的設計范圍是從7千瓦到30千瓦。將單個單元元件組合到模塊化設計中可以增加功率輸出，幫助充電器制造商實現(xiàn)占地面積更小、靈活性更高和可擴展性的目標。對有源功率元件使用先進的隔離封裝，可實現(xiàn)更高的功率密度并顯著減少電路設計中的熱管理工作，從而解決大功率充電的挑戰(zhàn)。
2022-12-13
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提高功率器件動態(tài)參數(shù)測試效率的7個方法
對功率器件動態(tài)參數(shù)進行測試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán)，測試結(jié)果用于驗證、評價、對比功率器件的動態(tài)特性。如何能夠高效地完成測試是工程師一直關(guān)注的，也是在選擇功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)時需要著重關(guān)注的，一個高效的測試系統(tǒng)能夠幫助工程師快速完成測試、獲得測試結(jié)果、提升工作效率、節(jié)約時間和精力。
2022-12-06
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用于 EV 充電系統(tǒng)柵極驅(qū)動的隔離式 DC／DC 轉(zhuǎn)換器
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導和開關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開關(guān)速率以及更高的電壓會對柵極驅(qū)動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動應用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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通過利用電化學診斷技術(shù)分析傳感器的健康狀況
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導和開關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開關(guān)速率以及更高的電壓會對柵極驅(qū)動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動應用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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RS瑞森半導體高壓MOS在開關(guān)電源中的應用
開關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是電源供應器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，也是一種以半導體功率器件為開關(guān)管，控制其關(guān)斷開啟時間比率，來保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。
2022-11-10
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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析（上）
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2022-11-01
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這些功率器件撐起3,000億特高壓建設
新能源是支撐國家可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵，隨著“碳達峰”和“碳中和”目標的提出，中國新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。但新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的一個關(guān)鍵問題是發(fā)電與用電區(qū)域不均衡，風電、太陽能和水電等可再生能源主要集中在西部和西北部，用電則主要集中在中東部。并且風電和太陽能（光伏）等發(fā)電方式波動性較大，在新能源布局較多的西北部地區(qū)，由于用電負荷低于發(fā)電量，造成了較高比例的“棄風”、“棄光”現(xiàn)象。
2022-10-31
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庖丁解牛看功率器件雙脈沖測試平臺
雙脈沖測試是表征功率半導體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時，這項測試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)應用等各個環(huán)節(jié)，測試結(jié)果有力地保證了器件的特性和質(zhì)量、功率變換器的指標和安全，可以說是伴隨了功率器件生命的關(guān)鍵時刻。
2022-10-31
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高集成度功率電路的熱設計挑戰(zhàn)
目前隨著科學技術(shù)和制造工藝的不斷發(fā)展進步，半導體技術(shù)的發(fā)展日新月異。對于功率半導體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來越高。目前功率半導體器件不僅是單一的開關(guān)型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅(qū)動器和控制電路IC，這樣的功率半導體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導體器件其封裝結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)的單一功率半導體器件有一定的區(qū)別，因此其散熱設計和熱傳播方式也有別于傳統(tǒng)的功率半導體器件，會給使用者帶來更大的熱設計挑戰(zhàn)。
2022-10-28
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SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
作為目前碳化硅MOSFET型號最豐富的國產(chǎn)廠商派恩杰，不僅在功率器件性能上達到國際一流廠商水平，在AC BTI可靠性上更是超越國際一流廠商?？偛命S興博士用高性能和高可靠性的產(chǎn)品證明派恩杰是國產(chǎn)碳化硅功率器件的佼佼者，展現(xiàn)了超高的碳化硅設計能力和工藝水平。
2022-10-19
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除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域？
硅材料制作的功率器件，也被稱為第一代半導體，而砷化鎵（GaAs）等材料制作的功率器件，則被成為第二代半導體，第二代半導體在高頻性能上優(yōu)于硅器件，通常用于射頻應用。
2022-10-13
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開關(guān)技術(shù)，大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關(guān)斷ZCS（Zero current switching），同時，尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中，絕大多數(shù)的采用軟開關(guān)拓撲的電源產(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學提到ZVS時想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。
2022-10-11
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