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Si8445DB:Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前,Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET,該器件采用MICRO FOOT芯片級(jí)封裝,具有很小占位面積以及 1.2 V 時(shí)超低的導(dǎo)通電阻。
2008-06-18
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SiA***DJ:Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
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VBUS052BD-HT:Vishay新型雙二極管總線端口保護(hù)陣列
日前,Vishay宣布推出新小型雙二極管 ESD 保護(hù)陣列,旨在保護(hù)兩個(gè)高速 USB 端口或最多兩條其他高頻信號(hào)線不受瞬態(tài)電壓信號(hào)干擾。
2008-05-23
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BU25/BU20/BU15/BU12/BU10:Vishay新型整流器系列
Vishay宣布推出增強(qiáng)型高電流密度 PowerBridge整流器的新系列,這些器件的額定電流為 10 A 至 25 A,最大額定峰值反向電壓為 600 V 至 1000 V。
2008-05-16
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TJ3-HT:Vishay新型環(huán)形高溫電感器
Vishay宣布推出新型環(huán)形高電流、高溫電感器。該器件具有業(yè)內(nèi)最高額定及飽和電流以及業(yè)內(nèi)最低電感和DCR。
2008-05-16
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TR8系列:Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容
Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容,采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR(在100 kHz和47 μF條件下),而采用0603封裝的具有業(yè)內(nèi)最低的1.5Ω ESR值。
2008-05-14
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VFCD1505:Vishay新型高精度Z箔表面貼裝倒裝芯片分壓器
Vishay宣布推出新型VFCD1505表面貼裝倒裝芯片分壓器。當(dāng)溫度范圍在0°C 至 +60°C 以及-55°C 至+125°C時(shí),該分壓器分別具有±0.05ppm/°C和 ±0.2 ppm/°C 的超低絕對(duì) TCR、在額定功率時(shí) ±5ppm的出色PCR跟蹤(自身散熱產(chǎn)生的 ?R)及±0.005%的負(fù)載壽命穩(wěn)定度。
2008-05-14
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DG系列:Vishay八款高精度儀表應(yīng)用模擬多路復(fù)用器與開關(guān)
日前,Vishay推出八款面向高精度儀表應(yīng)用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復(fù)用器與開關(guān)。這些產(chǎn)品還是同類器件中首批除標(biāo)準(zhǔn) TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無引線微型 QFN 封裝的器件。
2008-05-12
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VLRE31/VLRK31系列:Vishay新型高亮度SMD LED
為滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)AlInGaP技術(shù)的需求,日前,Vishay宣布推出兩種新系列的、采用倒立鷗翼式封裝的黃色和紅色SMD LED,這兩種系列的SMD LED具有高發(fā)光強(qiáng)度和低功耗的特點(diǎn)。
2008-05-09
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ACAS 0612 AT:Vishay新型汽車精密薄膜芯片電阻陣列
日前,Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜芯片電阻陣列,該器件已通過AEC-Q200測(cè)試,并具有1000V額定電壓的ESD穩(wěn)定性。該器件經(jīng)優(yōu)化可滿足汽車行業(yè)對(duì)溫度和濕度的新要求,同時(shí)可為工業(yè)、電信及消費(fèi)電子提供較高的重復(fù)性和穩(wěn)定的性能。
2008-05-09
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VAR:Vishay 新型超高精度、高分辯率 Z 箔音頻電阻
日前,Vishay宣布推出新型超高精度 Z 箔音頻電阻,該電阻采取特殊設(shè)計(jì),可增加信號(hào)清晰度。當(dāng)溫度范圍在 -55°C 至 +125°C 時(shí),該器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時(shí) 5ppm 的出色PCR(自身散熱產(chǎn)生的 ?R)、0.01% 的絕對(duì)容差且電流噪聲小于 -40dB。
2008-05-07
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Vishay榮獲EE Times評(píng)選的模擬集成電路類年度最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)
日前,Vishay宣布,該公司的SiP12510 和SiP12511白色LED驅(qū)動(dòng)器榮獲2008年EE Times評(píng)選的年度電子產(chǎn)品創(chuàng)新 (ACE) 獎(jiǎng)項(xiàng)中的模擬集成電路類最佳產(chǎn)品獎(jiǎng)。ACE 獎(jiǎng)褒獎(jiǎng)電子工程業(yè)最具創(chuàng)新的公司及突破性技術(shù)。
2008-05-06
- 更高額定電流的第8代LV100 IGBT模塊
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