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半導(dǎo)體功率器件的無鉛回流焊
半導(dǎo)體器件與 PCB 的焊接歷來使用錫/鉛焊料，但根據(jù)環(huán)境法規(guī)的要求，越來越多地使用無鉛焊料來消除鉛。大多數(shù)適合這些應(yīng)用的無鉛焊料是具有較高熔點(diǎn)的錫/銀合金，相應(yīng)地具有較高的焊料回流溫度。
2023-10-09
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多元融合高彈性電網(wǎng)初落地，電源和功率器件迎行業(yè)風(fēng)口
每到盛夏，我國江浙沿海一帶就會出現(xiàn)電力緊張問題。因此，“高溫下保供電”便成為各地的主要方針。同時，隨著新能源汽車滲透率提升，電能供應(yīng)的挑戰(zhàn)會越來越大。為了能夠更好地解決供電難題，多元融合高彈性電網(wǎng)成為電力能源領(lǐng)域的熱門概念，并已經(jīng)得到了初步的落實(shí)。
2023-09-22
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如何更好的使用EiceDRIVER IC驅(qū)動SiC MOSFET
碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應(yīng)用，但對驅(qū)動系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強(qiáng)型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護(hù)、精準(zhǔn)的短路保護(hù)、可調(diào)的軟關(guān)斷等功能，為新一代的功率器件保駕護(hù)航。
2023-09-18
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如何在有限空間里實(shí)現(xiàn)高性能？結(jié)合最低特定RDS(On)與表面貼裝技術(shù)是個好方法！
SiC FET在共源共柵結(jié)構(gòu)中結(jié)合硅基MOSFET和SiC JFET，帶來最新寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的性能優(yōu)勢，以及成熟硅基功率器件的易用性。SiC FET現(xiàn)可采用表面貼裝TOLL封裝，由此增加了自動裝配的便利性，同時減少了元件尺寸，并達(dá)成出色的熱特性，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了功率密度最大化和系統(tǒng)成本最小化。
2023-09-18
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SiC功率半導(dǎo)體市場，如何才能成為頭部玩家？
在功率電子領(lǐng)域，要論如今炙手可熱的器件，SiC要說是第二，就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導(dǎo)體器件逐漸接近其物理極限，由第三代SiC功率器件接棒來沖刺更高的性能，已經(jīng)是大勢所趨。
2023-09-15
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如何選擇和開始使用功率器件驅(qū)動器
所有的分立式開關(guān)功率器件都需要驅(qū)動器，無論這些器件是分立式金屬氧化物硅場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)、碳化硅 (SiC) MOSFET、絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 還是模塊。驅(qū)動器是系統(tǒng)處理器的低電壓、低電流輸出端與開關(guān)器件之間的接口元件或“橋梁”，前者在受控的良好環(huán)境中運(yùn)行，而后者則在惡劣條件下工作，對電流、電壓和定時有著嚴(yán)格的要求。
2023-09-14
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適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案
隨著設(shè)備變得越來越小，電源也需要跟上步伐。因此，當(dāng)今的設(shè)計人員有一個優(yōu)先目標(biāo)：化單位體積的功率（W/mm 3）。實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的一種方法是使用高性能電源開關(guān)。盡管需要進(jìn)一步的研發(fā)計劃來提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進(jìn)行設(shè)計需要在設(shè)計過程中進(jìn)行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。
2023-08-21
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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析——下
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2023-08-14
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派恩杰半導(dǎo)體將于11月亮相 AUTO TECH 2023 廣州國際汽車技術(shù)展覽會
11月1日-3日，中國第三代半導(dǎo)體功率器件的領(lǐng)先品牌--派恩杰半導(dǎo)體將于廣州保利世貿(mào)博覽館，亮相 AUTO TECH 2023 廣州國際汽車技術(shù)展覽會。
2023-07-31
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安森美與博格華納擴(kuò)大碳化硅戰(zhàn)略合作， 協(xié)議總價值超10億美元
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代碼：ON)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納(BorgWarner，紐約證交所股票代碼：BWA)，擴(kuò)大碳化硅（SiC）方面的戰(zhàn)略合作，協(xié)議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來，雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開展戰(zhàn)略合作，其中即包括EliteSiC器件。
2023-07-19
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實(shí)測案例：1200V GaN HEMT功率器件動態(tài)特性測試
氮化鎵器件是第三代半導(dǎo)體中的典型代表，具有極快的開關(guān)速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時，極快的開關(guān)速度又對其動態(tài)特性的測試提出了更高的要求，稍有不慎就會得到錯誤結(jié)果。
2023-07-18
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比較兩種并聯(lián)驅(qū)動方式對功率回路耦合特性分析
隨著電力電子應(yīng)用越發(fā)趨于高壓與高功率密度，單個模塊已經(jīng)無法滿足其需求，功率器件的并聯(lián)應(yīng)用由于其經(jīng)濟(jì)性與可行性成為了解決該矛盾的有效方法。然而，并聯(lián)系統(tǒng)的總體布局無法達(dá)到完全的對稱，使得理想化的靜、動態(tài)電流分布難以實(shí)現(xiàn)進(jìn)而限制了并聯(lián)器件的利用率。
2023-07-12
- 意法半導(dǎo)體與高通達(dá)成無線物聯(lián)網(wǎng)戰(zhàn)略合作
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