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TE針對HEV/EV的電路保護方案
汽車設計中越來越多的功率器件和高數(shù)據(jù)速率連接使得人們更加迫切地需要可靠、具有成本效益的電路保護解決方案。TE針對HEV|EV的電路保護方案系統(tǒng)從功率電子、可替代的電源系統(tǒng) 、汽車聯(lián)網(wǎng)進行分享。
2012-06-05
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車用MOSFET如何尋求性能與保護的最佳組合
工程師在為汽車電子設計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設計任何電源應用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結(jié)點溫度升高，從而引發(fā)可靠性和其它問題。在極端環(huán)境下(如引擎蓋下面的汽車電子應用)，溫度的迅速上升會使MOSFET意外導通，致使閾值電壓接近零伏。
2012-05-29
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提供更低成本的完全自保護的MOSFET功率器件
汽車電子系統(tǒng)中使用的功率器件必須能抵受極為嚴峻環(huán)境的考驗：它們必須能承受關(guān)閉瞬流和負載切斷電源故障引起的高壓毛刺；若環(huán)境工作溫度超過120℃，器件結(jié)溫則將隨之而來升高；線束中的眾多連接器位于方便組裝和維修的位置，這可能造成器件電氣連接的間斷。由于新的負載需要的功率越來越大，所以即使在正常的條件下工作，器件承受的壓力也明顯加大。
2012-05-16
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Vishay PowerPAIR? MOSFET榮獲2012中國年度電子成就獎
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司的SiZ710DT 20 V n溝道PowerPAIR?功率MOSFET榮獲功率器件/電壓轉(zhuǎn)換器類別的2012中國年度電子成就獎。
2012-04-28
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IPD:瑞薩電子推出14款具有增強保護功能的新款智能功率器件
全球領先的先進半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社近日宣布推出14個針對汽車應用的新型智能功率器件，包括μPD166023在內(nèi)的該系列產(chǎn)品面向外部車燈驅(qū)動(如頭燈和霧燈)，電加熱座椅和電機驅(qū)動等典型車身應用。
2012-04-26
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日本知名半導體制造商羅姆亮相“第十一屆慕尼黑上海電子展”
日本知名半導體制造商羅姆（ROHM）于2012年3月20日-22日參加了業(yè)內(nèi)最具影響力的綜合性電子展覽會“慕尼黑上海電子展”。此次，羅姆在“相乘戰(zhàn)略”注1、“功率器件戰(zhàn)略”注2、“LED戰(zhàn)略”注3、“傳感器戰(zhàn)略”注4這四大戰(zhàn)略的立足點上展示了符合中國市場的、滿足客戶需求的眾多產(chǎn)品與技術(shù)，展現(xiàn)了羅姆集團強大的綜合技術(shù)實力。
2012-03-22
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高壓變頻器的散熱與通風設計
高壓變頻器在正常工作時，熱量來源主要是隔離變壓器、電抗器、功率單元、控制系統(tǒng)等，其中作為主電路電子開關(guān)的功率器件的散熱、功率單元的散熱設計、及功率柜的散熱與通風設計最為重要。
2012-02-21
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RJQ6020/1/2DPM:瑞薩電子宣布推出低損耗SiC功率器件系列
全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）復合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個碳化硅二極管和多個功率晶體管，組成電源轉(zhuǎn)換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個功率半導體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電（如空調(diào)）、PC服務器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。
2012-02-13
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三菱電機獎學金頒獎禮暨三菱功率器件研討會在四大高校舉行
2011年12月12日至17日，三菱電機分別走訪了清華大學、浙江大學、合肥工業(yè)大學以及華中科技大學，聯(lián)合各大高校舉行了三菱電機獎學金頒獎儀式和三菱電機功率模塊技術(shù)研討會，引起了各大高校的熱烈反響。
2012-01-18
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提高同步整流應用的系統(tǒng)效率和功率密度
基于系統(tǒng)效率和功率密度發(fā)展趨勢示意圖，我們可以清晰的看出，在最近的十年間系統(tǒng)的效率和功率密度有了巨大的提升，尤其以服務器和通信電源為顯著。這一巨大的提升是如何實現(xiàn)的呢？它主要是通過嘗試新的拓撲結(jié)構(gòu)，引進新技術(shù)高性能的功率器件，同時通過良好的系統(tǒng)設計來保證，以上幾點我們會在接下來的內(nèi)容中給出進一步的討論
2011-11-21
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恩智浦與華為攜手成立射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實驗中心
恩智浦半導體與華為技術(shù)有限公司攜手成立的首個射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實驗中心正式落戶上海。恩智浦射頻功率產(chǎn)品部總經(jīng)理Reiner Beltman 和華為技術(shù)有限公司無線產(chǎn)品線中射頻與基站平臺部部長酈舟劍出席了實驗中心的開幕慶典，宣布即日起實驗中心正式投入使用。這標志著恩智浦和華為技術(shù)有限公司的業(yè)務聯(lián)系與技術(shù)合作進入了新的階段，恩智浦在射頻功率器件領域的領導地位獲得廣泛認可。
2011-10-08
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高頻脈沖交流環(huán)節(jié)逆變器控制策略
為克服高頻脈沖交流環(huán)節(jié)逆變器存在的電壓過沖現(xiàn)象，本文提出和研究了單極性、雙極性移相控制策略。兩類控制策略可分別使得逆變器功率器件實現(xiàn)ZVS或ZVZCS軟開關(guān)，仿真和實驗結(jié)果表明了控制策略的可行性。
2011-09-06
- 意法半導體與高通達成無線物聯(lián)網(wǎng)戰(zhàn)略合作
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