-
安捷倫率先推出適用于功率電路設(shè)計的功率器件分析儀
安捷倫率先推出首款適用于功率電路設(shè)計的功率器件分析儀Agilent B1506A。B1506A 能夠在不同工作條件和 -50 °C 至 +250 °C 溫度范圍內(nèi)對功率器件參數(shù)——Ron、漏電流、Ciss、Coss、Crss 和柵極電荷，進行全面自動表征，覆蓋高達 1500 A 和 3 kV 的電流和電壓范圍。
2014-05-13
-
對于IGBT系統(tǒng)的電路保護新型與傳統(tǒng)型的較量
IGBT作為功率器件廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電力電子系統(tǒng)等領(lǐng)域。為使我們設(shè)計的系統(tǒng)能夠更安全、更可靠的工作，對IGBT的保護顯得尤為重要。那么新型保護電路與傳統(tǒng)的保護電路又有那些根本上的不同呢？
2014-03-26
-
可調(diào)直流穩(wěn)壓電源的工作原理
可調(diào)直流穩(wěn)壓電源是采用當前國際先進的高頻調(diào)制技術(shù)，其工作原理是將開關(guān)電源的電壓和電流展寬，實現(xiàn)了電壓和電流的大范圍調(diào)節(jié)，同時擴大了目前直流電源供應(yīng)器的應(yīng)用。直流穩(wěn)壓電源[1]的控制芯片是采用目前比較成熟的進口元件，功率部件采用現(xiàn)國際上最新研制的大功率器件，可調(diào)直流穩(wěn)壓電源設(shè)計方案省去了傳統(tǒng)直流電源因工頻變壓器而體積笨重。與傳統(tǒng)電源相比高頻直流電源就較具有體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點，同時也為大功率直流電源減小體積創(chuàng)造了條件，此電源又稱高頻可調(diào)式開關(guān)電源。可調(diào)直流穩(wěn)壓電源保護功能齊全，過壓、過流點可連續(xù)設(shè)置并可預(yù)視，輸出電壓可通過觸控開關(guān)控制。今天我就對其說一下可調(diào)直流穩(wěn)壓電源的工作原理，希望大家都能好好的瀏覽以下的內(nèi)容。
2013-12-19
-
線性LED驅(qū)動IC對比：盤點幾款大功率LED線性驅(qū)動
如果你認為線性功率IC功耗太大，不好用，技術(shù)落后，那么你就錯了！本文將幾款I(lǐng)C與高速轉(zhuǎn)換型DC-DC類型IC進行對比分析，講解線性功率器件IC設(shè)計的一些注意要點，并盤點了幾款線性恒流IC以方便大家選型。
2013-11-20
-
隔離驅(qū)動IGBT功率器件設(shè)計技巧八大問
IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保護以避免欠壓、米勒效應(yīng)、缺失飽和、過載、短路造成的損害。本文通過Avago參與的八大問答討論隔離驅(qū)動IGBT等功率器件的技巧。
2013-08-13
-
富士通推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品，品質(zhì)因數(shù)降半
富士通半導(dǎo)體日前宣布，推出可耐壓150 V的基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半?；诟皇客ㄐ滦虶aN功率器件，用戶可以設(shè)計出體積更小，效率更高的電源組件。
2013-07-23
-
SiC和GaN，新興功率器件如何選？
新興的SiC和GaN功率器件市場未來10年預(yù)計增長18倍，主要需求市場是電源、光伏逆變器和工業(yè)電機驅(qū)動。SiC肖特基二極管已經(jīng)有10年以上歷史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出現(xiàn)，GaN功率器件更是剛剛才在市場上出現(xiàn)。他們誰會成為未來新興功率器件市場的主角？我們現(xiàn)在應(yīng)該選用他們嗎？
2013-06-19
-
孰優(yōu)孰劣:氮化鎵場效應(yīng)晶體管VS硅功率器件?
工程師常常認為當應(yīng)用需要更高電壓時，使用氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優(yōu)勢。但是，如果只是考慮開關(guān)品質(zhì)因數(shù)，相比先進的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優(yōu)勢好像減弱了。GaN場效應(yīng)晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的性能到底怎樣？且聽本文細細分解。
2013-05-16
-
電源轉(zhuǎn)換新時代的來臨：IR開始商業(yè)裝運GaN器件
IR在業(yè)內(nèi)率先商業(yè)付運可大幅提高現(xiàn)有電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的GaN功率器件，預(yù)示著電源效率革命性改善新時代的到來。相比當今最先進的硅功率器件技術(shù)，氮化鎵技術(shù)平臺能夠?qū)⒖蛻舻碾娫磻?yīng)用的性能指數(shù)(FOM)提升10倍。
2013-05-15
-
硅功率MOSFET前景堪憂？
30年前硅功率MOSFET的出現(xiàn)使市場快速接受開關(guān)電源，硅功率MOSFET成為很多應(yīng)用的必選功率器件。近些年來，MOSFET不可避免地進入到性能瓶頸期；然而與此同時，增強型GaN HEMT器件在開關(guān)性能和整個器件帶寬有突破性改善，迅速占領(lǐng)市場。硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)走到盡頭了嗎？
2013-05-15
-
第三講：基于MOSFET的高能效電源設(shè)計
通過結(jié)合改進的電源電路拓撲和概念與改進的低損耗功率器件，開關(guān)電源行業(yè)在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在經(jīng)歷革新性發(fā)展。MOSFET是中低電壓電源應(yīng)用的首選功率器件，可以提高溝槽密度，并無需JFET阻抗元件，因此能夠使特征導(dǎo)通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量損耗，極大的提高了電源能效。
2013-05-14
-
通過建立優(yōu)化模型和目標函數(shù)實現(xiàn)電化學整流電源電聯(lián)接
電化學整流電源是一種高耗能設(shè)備，提高整流效率、降低額外損耗是這類電力電子變換裝置的一個重要的課題。隨著大功率器件制造水平的提高以及壓接工藝技術(shù)的改進，均流問題也不再突出，所以從效率、損耗方面進行優(yōu)化設(shè)計是必要的。
2013-01-07
- 意法半導(dǎo)體與高通達成無線物聯(lián)網(wǎng)戰(zhàn)略合作
- 艾邁斯歐司朗ALIYOS? LED-on-foil技術(shù)重新定義汽車照明 兼顧前沿設(shè)計與便捷功能性
- 貿(mào)澤電子發(fā)布全新電子書 深入探討電機控制設(shè)計上的挑戰(zhàn)
- 英飛凌推出XENSIV? PAS CO2 5V傳感器，用于提高樓宇能效和空氣質(zhì)量
- 貿(mào)澤開售ROHM TLR377GYZ CMOS運算放大器
- Littelfuse推出行業(yè)首創(chuàng)超大電流SMD保險絲系列
- 英諾賽科推出30V VGaN，電壓范圍再拓展
- 沒有優(yōu)質(zhì)探頭，示波器 ADC 分辨率再高也無意義
- 基于GPU器件行為的創(chuàng)新分布式功能安全機制為智能駕駛保駕護航
- IGBT 脈沖測量方法的優(yōu)點?正確選擇脈沖測量
- 分享一個低功耗設(shè)計思路，適合90%的視覺系統(tǒng)工程師
- “深化德國技術(shù)精髓，深耕中國市場”——上海國際嵌入式展暨大會論文征集啟動
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
