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電動汽車快速充電系列文章之三：常見拓撲結(jié)構(gòu)和功率器件及其他設(shè)計考慮因素
在上一節(jié)中，已經(jīng)介紹了快速DCEV充電基礎(chǔ)設(shè)施的標準配置，以及未來可能的典型基礎(chǔ)設(shè)施。下面介紹當今快速DCEV充電器中使用的典型電源轉(zhuǎn)換器拓撲結(jié)構(gòu)和AC-DC和DC-DC的功率器件的概況。
2021-08-03
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SiC功率器件篇之SiC SBD
SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。
2021-05-20
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功率器件和被動元件點亮第97屆中國電子展，CEF下半年成都上海再相見
2021年4月11日，為期三天的第97屆中國電子展在深圳會展中心圓滿落幕，展會與第九屆中國電子信息博覽會（CITE2021）同期舉辦，現(xiàn)場有超1500家參展商參展，共發(fā)布近萬件新產(chǎn)品、新技術(shù)，全方位、多角度展示我國電子信息產(chǎn)業(yè)的最新發(fā)展成果。同時，博覽會期間還舉辦了近100場同期活動，吸引了超過10萬名專業(yè)觀眾到場參觀，500余萬觀眾線上觀展。據(jù)主辦方介紹，展會以“創(chuàng)新驅(qū)動 高質(zhì)量發(fā)展”為主題，展覽展示、論壇會議和現(xiàn)場活動三大板塊聯(lián)動，三位一體，亮點紛呈。
2021-04-19
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瑞能半導體將攜IGBT和碳化硅等功率器件新品亮相2021慕尼黑上海電子展覽會
中國上海 - 2021年4月7日 — 2021慕尼黑上海電子展覽會即將于4月14日至16日在上海新國際博覽中心舉辦。慕尼黑上海電子展作為電子行業(yè)展覽，是行業(yè)內(nèi)重要的盛事。本屆慕尼黑上海電子展覽會將匯聚近千家國內(nèi)外優(yōu)質(zhì)電子企業(yè)，涵蓋從產(chǎn)品設(shè)計到應用落地的上下游產(chǎn)業(yè)，展示內(nèi)容包括了半導體、傳感器、物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)、汽車電子及測試等。
2021-04-08
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集成柔性功率器件的應用理解
什么是集成柔性功率器件?它有什么作用?工業(yè)電子產(chǎn)品的發(fā)展趨勢是更小的電路板尺寸、更時尚的外形和更具成本效益。由于這些趨勢，電子系統(tǒng)設(shè)計人員必須降低印刷電路板(PCB)的尺寸和成本。
2020-10-28
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功率器件的前世今生
電力電子器件(Power Electronic Device)，又稱為功率半導體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率(通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上)電子器件。由于早期主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面，因此得名“電力電子器件”。
2020-10-22
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碳化硅肖特基二極管的設(shè)計與優(yōu)化
碳化硅（SiC）具有寬禁帶、高熱導率等優(yōu)良的材料特性，在中高壓功率半導體器件制造中得到了廣泛的應用。目前，肖特基二極管、mosfet和jfet是市場上最流行的SiC功率器件。特別是sic schottky二極管已經(jīng)成功地應用于電力領(lǐng)域近20年。最早的SiC肖特基二極管采用純肖特基勢壘二極管（SBD）結(jié)構(gòu)。后來，這種結(jié)構(gòu)演變成一種結(jié)勢壘肖特基（JBS）具有低反向泄漏電流。最新的結(jié)構(gòu)被稱為合并PN肖特基（MPS），表現(xiàn)出大幅增加的浪涌電流處理能力。
2020-10-21
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工業(yè)設(shè)備逆變器的絕佳CP：智能功率模塊
智能功率模塊(Intelligent Power Module, IPM)是一種先進的功率開關(guān)器件，適應了當今功率器件的發(fā)展方向—模塊化、復合化和集成化(PIC)，在電力電子領(lǐng)域得到了越來越廣泛的應用。
2020-09-09
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致工程師系列之五：優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動器設(shè)計
現(xiàn)代寬禁帶功率器件(SiC, GaN)上的開關(guān)晶體管速度越來越快，使得測量和表征成為相當大的挑戰(zhàn)，在某些情況下幾乎不可能實現(xiàn)。隔離探測技術(shù)的出現(xiàn)改變了這種局面，通過這一技術(shù)，設(shè)計人員終于能夠放心地測量以前回避的半橋和門驅(qū)動器波形。
2020-08-31
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一文掌握 GaN 器件的直接驅(qū)動配置！
在設(shè)計開關(guān)模式電源時，主要品質(zhì)因數(shù)（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關(guān)頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關(guān)損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著降低損耗的潛力。
2020-08-07
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SiC吸引力為何如此的大？在電力電子上又有哪些應用？
據(jù)預測，采用 SiC 的功率模塊將進入諸如可再生能源、UPS 電源、驅(qū)動器和汽車等應用。風電和牽引應用可能會隨之而來。 到 2021 年，SiC 功率器件市場總額預計將上升到 10 億美元 [1]。在某些市場，如太陽能，SiC 器件已投入運行，盡管事實上這些模塊的價格仍然比常規(guī)硅器件高。是什么使這種材料具有足夠的吸引力，即使價格更高也心甘情愿地被接受？
2020-07-30
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安森美將為丹佛斯提供用于逆變器牽引模塊的大功率器件
2020年7月7日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)和丹佛斯宣布，公司將為丹佛斯硅動力(Danfoss Silicon Power)供應大功率IGBT和二極管，應用于快速增長的電動汽車市場的逆變器牽引模塊。
2020-07-07
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