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雷達發(fā)射機的調(diào)制器電路設計
調(diào)制器是雷達發(fā)射機中的一個比較重要的組成部分，其主要作用是給雷達發(fā)射機的行波管提供正負偏電壓、燈絲電壓以及調(diào)制脈沖。本文將對雷達發(fā)射機的調(diào)制器電路設計進行分析，目的是使雷達維修人員能夠更快速準確地找到并排除雷達調(diào)制器的常見故障...
2010-11-23
雷達發(fā)射機 調(diào)制器 脈沖
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MRFE6VP6300H：飛思卡爾推出R FLDMOS功率管用于推拉式或單端配置
飛思卡爾半導體推出一款R FLDMOS功率管，工作頻率為1.8至600MHz，最適于在CO2激光器、等離子體發(fā)生器和磁共振成像（MRI）掃描儀等應用中所遇到的具有潛在破壞性的阻抗失配條件下使用。新MRFE6VP6300HFET是世界首款50V LDMOS晶體管，在電壓駐波比（VSWR）為65:1的負載中提供300W CW的全額定輸出功率。
2010-11-16
MRFE6VP6300H 飛思卡爾 功率管
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RFID芯片的攻擊技術(shù)分析
本文以采用磁耦合和CMOS工藝的RFID產(chǎn)品為例，簡要介紹了此類芯片的構(gòu)成，在列舉各種破壞性/非破壞性攻擊手段的基礎上，從軟/硬件角度分析現(xiàn)有的各種安全措施如何在設計階段應對這些攻擊，或使攻擊變得難以實施，以及如何避免不良的設計...
2010-11-15
RFID 智能卡 IC卡 RFAFE
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MEMS傳感器市場前景廣闊
傳感器是能感受規(guī)定的被測量，并能按照一定的規(guī)律轉(zhuǎn)換成可用輸出信號的器件或裝置。傳感器作為現(xiàn)代科技的前沿技術(shù)，被認為是現(xiàn)代信息技術(shù)的三大支柱之一。有市場報告顯示，預計2010年全球傳感器市場可達600億美元以上。我國傳感器市場的增長 率超過15%，預計2009年為430億元。
2010-11-03
MEMS傳感器 汽車電子 消費電子
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電子標簽產(chǎn)業(yè)將迎來跳躍式增長契機
日前，國務院辦公廳發(fā)布《關(guān)于進一步加強乳品質(zhì)量安全工作的通知》：2011年底前，完成嬰幼兒配方乳粉和原料乳粉電子信息追溯系統(tǒng)建設和相關(guān)標準、法規(guī)的制定，并逐步在乳品行業(yè)推行電子信息追溯系統(tǒng)。
2010-10-09
電子標簽 RFID 電子信息追溯系統(tǒng)
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Freescale推出3款功率晶體管滿足Doherty放大器體系結(jié)構(gòu)的特殊要求
飛思卡爾半導體推出3款新型RF LDMOS功率晶體管，提供在無線基站收發(fā)器里使用Doherty多載波功率放大器（MCPA）要求的超高輸出電平。
2010-10-08
Freescale RF LDMOS 晶體管 Doherty
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通信網(wǎng)中的時間同步問題分析
目前通信網(wǎng)中的各種設備之間的時間誤差非常大。通信網(wǎng)的計費，運營管理，事件記錄和故障判別需要統(tǒng)一的時間標準?，F(xiàn)代通信網(wǎng)設備日益采用計算機平臺，日益IP化。采用軟交換技術(shù)，時間同步采用TCP/IP時間協(xié)議NTP協(xié)議成為趨勢。本文為你講述通信網(wǎng)中的時間同步問題分析
2010-10-06
通信網(wǎng) 時間同步 授時技術(shù)
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BLF888A：恩智浦發(fā)布LDMOS超高頻晶體管適用于廣播發(fā)射機
恩智浦半導體NXP SemicONductors N.V.近天宣布推出廣播發(fā)射機和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市場上功能最強大的LDMOS廣播發(fā)射機晶體管，支持470 - 860MHz完整超高頻帶DVB-T信號，平均輸出功率120W，效率可達31%以上。21dB高增益、出色的線性度和耐用性（...
2010-09-30
恩智浦 晶體管 廣播發(fā)射機
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ABI Research預測2010年的RFID市場將超過60億美元
據(jù)市場調(diào)研和分析公司ABI Research稱，從現(xiàn)在看來，RFID市場似乎即將要走出經(jīng)濟衰退造成的影響，預計明年整個RFID市場將超過60億美元。
2010-09-28
RFID 市場 增長
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