諸如DH、DL、BST和SW之類的開關(guān)電流路徑離開控制器后需妥善安排，避免產(chǎn)生過大寄生電感。這些線路承載的高δI/δt交流開關(guān)脈沖電流可能達(dá)到3 A以上并持續(xù)數(shù)納秒。高電流環(huán)路必須很小，以盡可能降低輸出響鈴振蕩，并且避免拾取額外的噪聲。

 

低值、低幅度信號路徑，如補償和反饋器件等，對噪聲很敏感。應(yīng)讓這些路徑遠(yuǎn)離開關(guān)節(jié)點和電源器件，以免注入干擾噪聲。

 

第二步：布局物理規(guī)劃

PCB物理規(guī)劃(floor plan)非常重要，必須使電流環(huán)路面積最小，并且合理安排電源器件，使得電流順暢流動，避免尖角和窄小的路徑。這將有助于減小寄生電容和電感，從而消除接地反彈。

 

圖2所示為采用開關(guān)控制器ADP1850的雙路輸出降壓轉(zhuǎn)換器的PCB布局。請注意，電源器件的布局將電流環(huán)路面積和寄生電感降至最小。虛線表示高電流路徑。同步和異步控制器均可以使用這一物理規(guī)劃技術(shù)。在異步控制器設(shè)計中，肖特基二極管取代低端開關(guān)。

 

圖2. 采用ADP1850控制器的雙路輸出降壓轉(zhuǎn)換器的PCB布局

 

第三步：電源器件——MOSFET和電容(輸入、旁路和輸出)

頂部和底部電源開關(guān)處的電流波形是一個具有非常高δI/δt的脈沖。因此，連接各開關(guān)的路徑應(yīng)盡可能短，以盡量降低控制器拾取的噪聲和電感環(huán)路傳輸?shù)脑肼暋Ｔ赑CB一側(cè)上使用一對DPAK或SO-8封裝的FET時，最好沿相反方向旋轉(zhuǎn)這兩個FET，使得開關(guān)節(jié)點位于該對FET的一側(cè)，并利用合適的陶瓷旁路電容將高端漏電流旁路到低端源。務(wù)必將旁路電容盡可能靠近MOSFET放置(參見圖2)，以盡量減小穿過FET和電容的環(huán)路周圍的電感。

 

輸入旁路電容和輸入大電容的放置對于控制接地反彈至關(guān)重要。輸出濾波器電容的負(fù)端連接應(yīng)盡可能靠近低端 MOSFET的源，這有助于減小引起接地反彈的環(huán)路電感。圖2中的Cb1和Cb2是陶瓷旁路電容，這些電容的推薦值范圍是1 μF至22 μF。對于高電流應(yīng)用，應(yīng)額外并聯(lián)一個較大值的濾波器電容，如圖2的CIN所示。

 

散熱考慮和接地層

 

在重載條件下，功率MOSFET、電感和大電容的等效串聯(lián)電阻(ESR)會產(chǎn)生大量的熱。為了有效散熱，圖2的示例在這些電源器件下面放置了大面積的銅。

 

多層PCB的散熱效果好于2層PCB。為了提高散熱和導(dǎo)電性能，應(yīng)在標(biāo)準(zhǔn)1盎司銅層上使用2盎司厚度的銅。多個 PGND層通過過孔連在一起也會有幫助。圖3顯示一個4層 PCB設(shè)計的頂層、第三層和第四層上均分布有PGND層。

 

圖3. 截面圖：連接PGND層以改善散熱

 

這種多接地層方法能夠隔離對噪聲敏感的信號。如圖2所 示，補償器件、軟啟動電容、偏置輸入旁路電容和輸出反饋分壓器電阻的負(fù)端全都連接到AGND層。請勿直接將任何高電流或高δI/δt路徑連接到隔離AGND層。AGND是一個安靜的接地層，其中沒有大電流流過。

 

所有電源器件(如低端開關(guān)、旁路電容、輸入和輸出電容等)的負(fù)端連接到PGND層，該層承載高電流。

 

GND層內(nèi)的壓降可能相當(dāng)大，以至于影響輸出精度。通過一條寬走線將AGND層連接到輸出電容的負(fù)端(參見圖4)，可以顯著改善輸出精度和負(fù)載調(diào)節(jié)。

 

圖4. AGND層到PGND層的連接

 

AGND層一路擴(kuò)展到輸出電容，AGND層和PGND層在輸出電容的負(fù)端連接到過孔。

 

圖2顯示了另一種連接AGND和PGND層的技術(shù)，AGND層通過輸出大電容負(fù)端附近的過孔連接到PGND層。圖3顯示了PCB上某個位置的截面，AGND層和PGND層通過輸出大電容負(fù)端附近的過孔相連。

 

電流檢測路徑

 

為了避免干擾噪聲引起精度下降，電流模式開關(guān)調(diào)節(jié)器的電流檢測路徑布局必須妥當(dāng)。雙通道應(yīng)用尤其要更加重視，消除任何通道間串?dāng)_。

 

雙通道降壓控制器ADP1850將低端MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(ON)用作控制環(huán)路架構(gòu)的一部分。此架構(gòu)在SWx與 PGNDx引腳之間檢測流經(jīng)低端MOSFET的電流。一個通道中的地電流噪聲可能會耦合到相鄰?fù)ǖ乐?。因此，?wù)必使 SWx和PGNDx走線盡可能短，并將其放在靠近MOSFET的地方，以便精確檢測電流。到SWx和PGNDx節(jié)點的連接務(wù)必采用開爾文檢測技術(shù)，如圖2和圖5所示。注意，相應(yīng)的 PGNDx走線連接到低端MOSFET的源。不要隨意將PGND 層連接到PGNDx引腳。

 

圖5. 兩個通道的接地技術(shù)

 

相比之下，對于ADP1829等雙通道電壓模式控制器，PGND1和PGND2引腳則是直接通過過孔連接到PGND層。

 

反饋和限流檢測路徑

 

反饋(FB)和限流(ILIM)引腳是低信號電平輸入，因此，它們對容性和感性噪聲干擾敏感。FB和ILIM走線應(yīng)避免靠近高δI/δt走線。注意不要讓走線形成環(huán)路，導(dǎo)致不良電感增加。在ILIM和PGND引腳之間增加一個小MLCC去耦電容 (如22 pF)，有助于對噪聲進(jìn)行進(jìn)一步濾波。

 

開關(guān)節(jié)點

 

在開關(guān)調(diào)節(jié)器電路中，開關(guān)(SW)節(jié)點是噪聲最高的地方，因為它承載著很大的交流和直流電壓/電流。此SW節(jié)點需要較大面積的銅來盡可能降低阻性壓降。將MOSFET和電感彼此靠近放在銅層上，可以使串聯(lián)電阻和電感最小。

 

對電磁干擾、開關(guān)節(jié)點噪聲和響鈴振蕩更敏感的應(yīng)用可以使用一個小緩沖器。緩沖器由電阻和電容串聯(lián)而成(參見圖 6中的RSNUB和CSNUB)，放在SW節(jié)點與PGND層之間，可以降 低SW節(jié)點上的響鈴振蕩和電磁干擾。注意，增加緩沖器可能會使整體效率略微下降0.2%到0.4%。

 

圖6. 緩沖器和柵極電阻電阻

 

柵極驅(qū)動器路徑

 

柵極驅(qū)動走線(DH和DL)也要處理高δI/δt，往往會產(chǎn)生響鈴振蕩和過沖。這些走線應(yīng)盡可能短。最好直接布線，避免使用饋通過孔。如果必須使用過孔，則每條走線應(yīng)使用兩個過孔，以降低峰值電流密度和寄生電感。

 

在DH或DL引腳上串聯(lián)一個小電阻(約2 Ω至4 Ω)可以減慢柵極驅(qū)動，從而也能降低柵極噪聲和過沖。另外，BST與SW 引腳之間也可以連接一個電阻(參見圖6)。在布局期間用0 Ω柵極電阻保留空間，可以提高日后進(jìn)行評估的靈活性。增加的柵極電阻會延長柵極電荷上升和下降時間，導(dǎo)致 MOSFET的開關(guān)功率損耗提高。

 

總結(jié)

 

了解電流路徑、其敏感性以及適當(dāng)?shù)钠骷胖茫窍?PCB布局設(shè)計噪聲問題的關(guān)鍵。ADI公司的所有電源器件評估板都采用上述布局布線指導(dǎo)原則來實現(xiàn)最佳性能。評估板文件UG-204和UG-205詳細(xì)說明了ADP1850相關(guān)的布局布線情況。

 

注意，所有開關(guān)電源都具有相同的元件和相似的電流路徑敏感性。因此，以針對電流模式降壓調(diào)節(jié)器的 ADP1850為例說明的指導(dǎo)原則同樣適用于電壓模式和/或升壓開關(guān)調(diào)節(jié)器的布局布線。
（來源：亞德諾半導(dǎo)體）