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BLF888A:恩智浦發(fā)布LDMOS超高頻晶體管適用于廣播發(fā)射機

發(fā)布時間:2010-09-30

BLF888A的產(chǎn)品特性:

  • 支持470 - 860MHz完整超高頻帶DVB-T信號
  • 平均輸出功率120W
  • 效率可達31%以上

BLF888A的應用范圍:

  • 適用于廣播發(fā)射機和工業(yè)


恩智浦半導體NXP SemicONductors N.V.近天宣布推出廣播發(fā)射機和工業(yè)用600W LDMOS超高頻(UHF)射頻功率晶體管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市場上功能最強大的LDMOS廣播發(fā)射機晶體管,支持470 - 860MHz完整超高頻帶DVB-T信號,平均輸出功率120W,效率可達31%以上。21dB高增益、出色的線性度和耐用性(駐波比VSWR> 40:1)使BLF888A成為DVB-T等高級數(shù)字發(fā)射機應用的理想選擇。恩智浦將在2010年9月26日至10月1日法國巴黎舉辦的歐洲微波展(European Microwave Week)上正式推出BLF888A(展位號:194)。

恩智浦50V高壓LDMOS工藝技術(shù)和先進的熱管理概念為BLF888A帶來了卓越的性能表現(xiàn),實現(xiàn)了前所未有的功率密度和0.15K/W超低熱阻新突破。借助BLF888A晶體管,廣播設備制造商可以對現(xiàn)有以及新裝的發(fā)射機系統(tǒng)實施優(yōu)化,提高產(chǎn)品性能,降低總擁有成本。此外,BLF888A與BLF881驅(qū)動器晶體管優(yōu)化整合可以滿足全系列功率放大器產(chǎn)品需求。

恩智浦半導體公司射頻功率產(chǎn)品營銷總監(jiān)Mark Murphy表示:“BLF888A是一款非常特別的產(chǎn)品,實現(xiàn)了耐用性、寬帶功率與工作效率的優(yōu)化整合。過去設計人員只能對這些參數(shù)進行優(yōu)化平衡,始終無法提出最佳解決方案?,F(xiàn)在有了BLF888A,全球廣播發(fā)射機工程師可以放心優(yōu)化自己的射頻系統(tǒng)性能,無需再擔心功率晶體管問題。”

BLF888A提供兩個封裝版本:螺栓式封裝(BLF888A)和無耳式封裝(BLF888AS),新封裝使PCB設計更加緊湊。另外,BLF888AS還能在更低的結(jié)溫條件下焊接。

恩智浦每年射頻器件出貨量超過40億件,是高性能射頻領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),恩智浦領(lǐng)先的LDMOS技術(shù)和先進的封裝概念創(chuàng)造了一流的射頻功率晶體管,為各種廣播技術(shù)對大功率和耐用性器件需求提供了完美解決方案。

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