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PLL的電源管理設(shè)計(jì)
鎖相環(huán)（PLL）是現(xiàn)代通信系統(tǒng)的基本構(gòu)建模塊PLLs通常用在無線電接收機(jī)或發(fā)射機(jī)中，主要提供"本振"（LO）功能；也可用于時(shí)鐘信號分配和降噪，而且越來越多地用作高采樣速率模數(shù)或數(shù)模轉(zhuǎn)換的時(shí)鐘源。由于每一代PLL的噪聲性能都在改善，因此電源噪聲的影響變得越來越明顯，某些情況下甚至可限制噪聲性...
2011-10-24
鎖相環(huán) PLL 電源管理 VCO LDO
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高效電機(jī)市場推廣需政策扶持
目前，我國正處在能源短缺和利用率低下的雙重壓力之下，如何提高能源利用率是當(dāng)前發(fā)展的重點(diǎn)。眾所周知，只要存在電能和動能轉(zhuǎn)換的地方就有電機(jī)的身影，因此電機(jī)耗電成為能源消耗中的大戶。據(jù)業(yè)內(nèi)專家稱，如果只把每年新增的電機(jī)及其拖動系統(tǒng)更換成高效節(jié)能電機(jī)，每年就可節(jié)電超過1000億千瓦時(shí)，這...
2011-10-24
電機(jī) 高效電機(jī)
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電池溫度智能監(jiān)測系統(tǒng)設(shè)計(jì)
針對采用熱敏電阻測溫和有線溫度測量系統(tǒng)的不足，提出了采用單總線數(shù)字溫度傳感器DS18B20、單片機(jī)和無線收發(fā)模塊等組成智能無線溫度監(jiān)測系統(tǒng)。DS18B20具有體積小，精度高，采用一線總線，可組網(wǎng)等優(yōu)點(diǎn)，短距離無線通信技術(shù)應(yīng)用到多點(diǎn)溫度測量中，實(shí)現(xiàn)了溫度數(shù)據(jù)無線傳輸，該系統(tǒng)擴(kuò)展維護(hù)方便、成本...
2011-10-24
電池 溫度 智能監(jiān)測 溫度傳感器
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判別端子的晶體管測試儀
簡單晶體管測試儀可以判斷出晶體管的類型，并且能幫助檢測出晶體管的發(fā)射極、集電極和基極。其方法是檢查被測晶體管三個(gè)端子T1、T2和T3之間流過的各種可能電流方向的組合。
2011-10-24
計(jì)數(shù)器 晶體管 測試儀 解碼器
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2011年壓電晶體材料市場走勢分析及市場價(jià)格預(yù)測
據(jù)中國市場調(diào)研在線了解，壓電晶體材料有一類十分有趣的晶體材料，當(dāng)你對它擠壓或拉伸時(shí)，它的兩端就會產(chǎn)生不同的電荷。這種效應(yīng)被稱為壓電效應(yīng)。能產(chǎn)生壓電效應(yīng)的晶體就叫壓電晶體。
2011-10-24
壓電 晶體 晶體管 材料行業(yè)
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NEC開發(fā)出壽命大幅延長的錳類鋰離子充電電池
NEC宣布開發(fā)出了將錳類鋰離子充電電池的壽命提高至以往兩倍以上的技術(shù)。此次開發(fā)的技術(shù)是在電解液中添加有機(jī)硫化合物，并與以往的錳類正極、碳負(fù)極的電極相組合。
2011-10-24
NEC 鋰離子 充電 電池
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第三講：非接觸式預(yù)付費(fèi)智能表系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案
本文旨在通過對非接觸式預(yù)付費(fèi)智能表解決方案的介紹，使大家對非接觸式預(yù)付費(fèi)智能表系統(tǒng)有一個(gè)整體的認(rèn)識。主要介紹非接觸式預(yù)付費(fèi)智能表系統(tǒng)工作過程，以及智能卡安全性問題和使用非接觸式預(yù)付費(fèi)智能表系統(tǒng)時(shí)需要考慮的關(guān)鍵問題等。
2011-10-24
非接觸式 預(yù)付費(fèi) 智能表 系統(tǒng)
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電磁感應(yīng)的傳導(dǎo)干擾和輻射干擾
在開關(guān)電源里面，開關(guān)電源變壓器是最大的磁感應(yīng)器件。開關(guān)電源變壓器在電磁轉(zhuǎn)換過程中，工作效率不可能100%，因此，也會有一部分能量損失，其中的一部分能量損失就是因?yàn)楫a(chǎn)生漏磁，或漏磁通。這些漏磁通穿過其它電路的時(shí)候，也會產(chǎn)生感應(yīng)電動勢。本文介紹電磁感應(yīng)產(chǎn)生的傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。
2011-10-21
開關(guān)電源 電磁感應(yīng) 傳導(dǎo)干擾 輻射干擾
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Si8802DB|Si8805EDB：Vishay推出業(yè)內(nèi)最小N溝道和P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率MOSFET所用的MICRO FOOT?封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%，而導(dǎo)通電阻則與之相當(dāng)甚...
2011-10-21
Si8802DB Si8805EDB Vishay MOSFET TrenchFET
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