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電動(dòng)汽車(chē)充電電池性能退化原因何在
電池的性能退化一方面是使用和老化的自然結(jié)果，另一方面則由于缺乏維護(hù)、苛刻的使用環(huán)境以及不良的充電操作等等加速其劣化。下面將探討充電電池各種難以克服的問(wèn)題、其原因及彌補(bǔ)這些問(wèn)題的方法。
2012-02-14
電動(dòng)汽車(chē) 充電電池
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HOMSEMI中低壓MOSFET全面升級(jí)8英寸0.18μm Trench工藝
2011年12月，廣州成啟半導(dǎo)體有限公司宣布，HOMSEMI中低壓MOSFET全面使用8英寸、0.18μm、Trench工藝晶圓。成啟半導(dǎo)體表示，這次產(chǎn)品升級(jí)已經(jīng)過(guò)一年準(zhǔn)備和試產(chǎn)，將使Power MOSFET的原胞密度提高、RDS（ON）降低、QG降低，提高整機(jī)效率，同時(shí)獲得更好的成本控制能力，這意味著，HOMSEMI成為國(guó)內(nèi)一線分...
2012-02-13
HOMSEMI Power MOSFET Trench MOSFET
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晶閘管在高壓軟起動(dòng)中的選型及應(yīng)用
晶閘管電機(jī)軟起動(dòng)器的出現(xiàn)，彌補(bǔ)了傳統(tǒng)軟起動(dòng)器的各種不足，很好地降低了電機(jī)的起動(dòng)電流，降低了配電容量，延長(zhǎng)了電機(jī)及相關(guān)設(shè)備的使用壽命。起動(dòng)參數(shù)可視負(fù)載調(diào)整，易于維護(hù)。本文介紹晶閘管電機(jī)軟起動(dòng)器工作原理，晶閘管的選型及晶閘管的保護(hù)設(shè)計(jì)。
2012-02-13
晶閘管 電機(jī) 軟起動(dòng) 過(guò)壓 過(guò)流
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線性穩(wěn)壓器的短路保護(hù)電路設(shè)計(jì)
一個(gè)高可靠性的線性穩(wěn)壓器通常需要有限流保護(hù)電路，以防止因負(fù)載短路或者過(guò)載對(duì)穩(wěn)壓器造成永久性的損壞。在限流型保護(hù)電路的基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)改進(jìn)了一個(gè)短路保護(hù)電路，確保短路情況下，關(guān)斷功率MOS管。本文分別定性和定量地分析了這種短路保護(hù)電路的工作過(guò)程和原理，同時(shí)給出基于TSMCO．18μm CMOS工藝的...
2012-02-13
線性穩(wěn)壓器 限流保護(hù)電路 短路保護(hù) 短路保護(hù)電路
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鉛蓄電池再遭嚴(yán)打 鋰電池受益直接出位
去年由于血鉛等各種污染問(wèn)題嚴(yán)重，整個(gè)鉛蓄電池行業(yè)迎來(lái)一場(chǎng)較大的整頓風(fēng)暴，整個(gè)行業(yè)中眾多企業(yè)在行業(yè)整頓中紛紛落馬，市場(chǎng)對(duì)于鋰電池的關(guān)注度瞬間上升，業(yè)內(nèi)極為看好鋰電池等新能源電池的發(fā)展前景，但是由于種種優(yōu)勢(shì)因素的存在，行業(yè)集中度進(jìn)一步提供之后，為僅存的大型鉛蓄電池提供了更佳的競(jìng)爭(zhēng)...
2012-02-13
鉛蓄電池 鋰電池 鋰離子電池 環(huán)保
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我國(guó)LED電源產(chǎn)業(yè)還未成熟 系統(tǒng)化集成化將成發(fā)展趨勢(shì)
由于LED產(chǎn)業(yè)在最近幾年得到了飛躍式發(fā)展，已逐漸從政府機(jī)關(guān)照明方向轉(zhuǎn)向民用照明，得益于國(guó)家近期出臺(tái)一些列鼓勵(lì)發(fā)展LED產(chǎn)業(yè)的政策，但由此也帶來(lái)了很多問(wèn)題，LED驅(qū)動(dòng)電源的問(wèn)題便暴露出來(lái)，。LED 驅(qū)動(dòng)電源市場(chǎng)與下游行業(yè)，特別是大功率LED 路燈的發(fā)展密切相關(guān)，但隨著 LED 各項(xiàng)性能參數(shù)的不斷提升...
2012-02-13
LED產(chǎn)業(yè) LED 路燈 LED驅(qū)動(dòng)電源 LED照明
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安森美半導(dǎo)體推出降低待機(jī)能耗的突破性電源產(chǎn)品
應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN) 持續(xù)開(kāi)發(fā)創(chuàng)新技術(shù)及產(chǎn)品，使公司能夠?yàn)槭袌?chǎng)提供豐富的電源半導(dǎo)體方案。
2012-02-13
安森美半導(dǎo)體 待機(jī)能耗 電源
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78M6631：Maxim推出Teridian三相功率測(cè)量SoC用于電能監(jiān)測(cè)
Maxim Integrated Products, Inc 推出Teridian三相功率測(cè)量片上系統(tǒng)(SoC) 78M6631，用于大功率負(fù)載的電能監(jiān)測(cè)。完全集成的可定制電能測(cè)量系統(tǒng)具有完備的測(cè)量和診斷功能，有效簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、降低成本。78M6631適合各種需要監(jiān)測(cè)三相功率和供電質(zhì)量的應(yīng)用，包括：工業(yè)控制面板、電機(jī)、太陽(yáng)能板逆變器、存儲(chǔ)...
2012-02-10
78M6631 Maxim Teridian SoC 電能監(jiān)測(cè)
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開(kāi)關(guān)電源MOSFET漏源極電壓電磁干擾的仿真分析
本文從干擾源入手，對(duì)時(shí)域開(kāi)關(guān)電壓信號(hào)進(jìn)行電磁干擾特性研究，通過(guò)提取MOSFET時(shí)域電壓信號(hào)的特征參數(shù)，利用傅立葉變換(FFT)法，分析了開(kāi)關(guān)信號(hào)電磁干擾的頻譜情況以及各參數(shù)對(duì)頻譜的影響，通過(guò)Matlab仿真證明了上述分析的正確性及工程實(shí)用性。由于FFT后頻域信號(hào)的幅值差別較大，難以研究，因此本文...
2012-02-10
開(kāi)關(guān)電源 MOSFET 漏源極電壓 電磁干擾
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