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大功率晶閘管參數(shù)解析之開關(guān)特性
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關(guān)、SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動(dòng)態(tài)特性，控制特性，保護(hù)以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘自英飛凌英文版應(yīng)用指南AN2012-01《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。
2021-09-08
晶閘管 參數(shù)解析 開關(guān)特性
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新興汽車開關(guān)應(yīng)用
自動(dòng)駕駛汽車人工智能的發(fā)展正逐漸改變?nèi)藗兊鸟{乘體驗(yàn)。全自動(dòng)駕駛車輛將為汽車駕駛艙帶來徹底的變革。實(shí)際上，我們已經(jīng)看到具備半自動(dòng)駕駛功能的汽車的出現(xiàn)。功能性和舒適性是推動(dòng)汽車內(nèi)部變化的主要因素。考慮到車輛內(nèi)的功能越來越多，對于聯(lián)系駕駛員和駕駛艙新環(huán)境之間的用戶界面，設(shè)計(jì)師和工程...
2021-09-08
汽車開關(guān) 應(yīng)用
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貿(mào)澤聯(lián)手安森美推出全新資源平臺，分享BLDC電機(jī)控制新品與技術(shù)見解
2021年9月7日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與推動(dòng)節(jié)能創(chuàng)新的半導(dǎo)體解決方案知名供應(yīng)商安森美(onsemi)合作，創(chuàng)建了一個(gè)全新內(nèi)容平臺，用于介紹無刷直流 (BLDC) 電機(jī)控制資源、產(chǎn)品和技術(shù)見解。安森美在MOSFET和其他電源、傳感和保護(hù)設(shè)備領(lǐng)域處于...
2021-09-07
貿(mào)澤 安森美 BLDC電機(jī)控制
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在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢，但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2021-09-07
SiC FET 導(dǎo)通電阻 溫度變化
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負(fù)壓脈沖高？教你3招制伏
隨著5G通信與新能源車的普及，人們對高效率電源的需求越來越多。而提升電源轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵因素就在于開關(guān)電源中的功率部分。
2021-09-07
負(fù)壓脈 5G通信 電源效率
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開關(guān)電源中的局部放電
局部放電（partial discharge，簡稱PD）現(xiàn)象，通常主要指的是高壓電氣設(shè)備絕緣層在足夠強(qiáng)的電場作用下局部范圍內(nèi)發(fā)生的放電，某個(gè)區(qū)域的電場強(qiáng)度一旦達(dá)到其介質(zhì)擊穿場強(qiáng)時(shí)，該區(qū)域就會出現(xiàn)放電現(xiàn)象。這種放電以僅造成導(dǎo)體間的絕緣局部短（路橋）接而不形成導(dǎo)電通道為限。每一次局部放電對絕緣介質(zhì)都...
2021-09-07
開關(guān)電源 局部放電
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板子上的MOSFET莫名炸機(jī)，多半是這個(gè)原因！
MOSFET、IGBT是開關(guān)電源最核心也是最容易燒壞的器件！其原因大多是過壓或過流導(dǎo)致功耗大增，從而使器件損壞，甚至可能會伴隨爆炸。而SOA安全工作區(qū)測試，就是保障其安全工作的重要測試項(xiàng)目！
2021-09-07
MOSFET 炸機(jī) 開關(guān)電源
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新能源汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)結(jié)構(gòu)與工作原理
驅(qū)動(dòng)電機(jī)是電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的核心部件，是車輛行駛的主要執(zhí)行機(jī)構(gòu)，其特性決定了車輛的主要性能指標(biāo)，直接影響車輛動(dòng)力性、經(jīng)濟(jì)性和舒適性。它是把電能轉(zhuǎn)換為機(jī)械能的一種設(shè)備，它利用勵(lì)磁線圈，產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場形成磁電動(dòng)力旋轉(zhuǎn)力矩。導(dǎo)線在磁場中受力的作用，使電機(jī)輸出轉(zhuǎn)矩。
2021-09-07
新能源汽車 驅(qū)動(dòng)電機(jī) 工作原理
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X-FAB與派恩杰達(dá)成長期戰(zhàn)略合作，共同推動(dòng)全球SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展
2021年9月6日，模擬晶圓代工龍頭企業(yè)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）和國產(chǎn)SiC功率器件供應(yīng)商派恩杰聯(lián)合對外宣布，雙方就批量生產(chǎn)SiC晶圓建立長期戰(zhàn)略合作關(guān)系，此前雙方已經(jīng)合作近三年時(shí)間。
2021-09-06
X-FAB SiC功率器件 派恩杰
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