123,123

電源管理

南方芯源推出數(shù)字控制HID燈安定器方案

2008年8月，Samwin推出數(shù)字控制HID燈安定器方案，該方案采用數(shù)字控制，符合目前數(shù)字化的發(fā)展潮流。芯片控制技術可使出廠調試的工作量大大減少，且恒流精度達到35W ±0.5W，外圍器件少，可靠性高。

2008-08-30

HID燈安定器數(shù)字控制

VO3526：Vishay 新型1A輸出電流整合功率光敏可控硅

Vishay推出一款可輸出 1A 電流來驅動電阻及電感負載的整合功率光敏可控硅，從而拓寬了其光電子產(chǎn)品系列。由于消除了對外部功率 TRIAC 的需求，該器件可降低設計成本并節(jié)省板面空間。

2008-08-27

VO3526 可控硅

SKSE系列：ALPS新TACT Switch Sidepush 雙動式開關

ALPS開發(fā)出可實現(xiàn)手機搭載相機及數(shù)碼相機的自動聚焦功能的TACT Switch Sidepush雙動式“SKSE系列”，并于今年9月出廠樣品。

2008-08-22

SKSE 開關 SWITCH

南方芯源在西安成立研發(fā)中心西安芯派

2008年8月18日，Samwin公司投資發(fā)起設立的西安芯派科技有限公司正式成立，主要從事MOSFET全新溝通工藝，電源管理IC及射頻技術應用三個方面的產(chǎn)品研發(fā)。該中心的成立將進一步提高Samwin產(chǎn)品的技術先進度。

2008-08-20

西安芯派 Samwin MOSFET 南方芯源

SiB41*DK / SiB911DK：Vishay PowerPAK SC-75封裝功率MOSFET系列

Vishay宣布推出采用 PowerPAK SC-75 封裝的 p 通道功率MOSFET系列，該系列包括額定電壓介于 8V～30V 的多個器件，這些是采用此封裝類型的首批具有上述額定電壓的器件。

2008-08-20

SiB911DK、SiB415DK、SiB411DK、SiB413DK、SiB419DK、SiB417DK SiB417EDK SiB414DK SiB412DK 場效應管 MOSFET

BTAxxx系列：安森美半導體隔離型三端雙向可控硅開關元件

安森美半導體擴充高性能三端雙向可控硅開關元件(TRIAC)產(chǎn)品系列，推出12款新的TRIAC，提供8、12和16安培(A)的可用額定功率，具有35和50毫安(mA)的門觸發(fā)電流(Igt)。這BTAxxx系列器件非常適合于講究隔離電壓、且安全是首要考慮的工業(yè)和控制應用。

2008-08-18

可控硅 TRIAC BTAxxx BTBxxx 工業(yè)和控制應用

298D系列：Vishay便攜應用固體鉭芯片電容器系列小封裝產(chǎn)品

Vishay宣布擴展其 298D系列 MicroTan? 固體鉭芯片電容器，推出0402 封裝尺寸的298D。此電容器充分利用已獲專利的MAP（多陣列封裝）裝配技術以擴展產(chǎn)品系列，現(xiàn)已可在超薄小型0402 K封裝中提供4.7μF-4V至10μF-4V的電容電壓。

2008-08-15

298D 鉭電容器便攜應用

微封裝晶體管和二極管：安森美半導體便攜應用產(chǎn)品

安森美半導體擴充分立器件封裝系列，推出新微封裝的晶體管和二極管。新增加的封裝拓展了公司的微封裝晶體管和二極管系列，配合當今空間受限型便攜應用的嚴峻設計需求。

2008-08-12

晶體管二極管 NZ9F 低正向壓降肖特基二極管齊納二極管便攜應用

EPCOS推出消費和工業(yè)電子應用表貼鋁電解電容器

愛普科斯(EPCOS) 推出新型表貼鋁電解電容器，其電容量范圍介于0.1μF至1500μF，適用于4V DC至100 V DC的電壓。此新型電容器適用于消費和工業(yè)電子領域，是鉭電容器的價格合適的替代品。

2008-08-01

鋁電解電容器

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