【導(dǎo)讀】高效率、低EMI降壓型穩(wěn)壓器廣泛見諸于汽車、工業(yè)、醫(yī)療和電信環(huán)境,用于依靠多種輸入源為各式各樣的應(yīng)用供電。特別是在電池供電型應(yīng)用中,大量時(shí)間處于待用模式,因而要求所有的電氣電路以低靜態(tài)電流工作,旨在延長電池運(yùn)行時(shí)間。
LT8606/LT8607/LT8608 是一個(gè)單片式降壓型穩(wěn)壓器系列,專為具有寬輸入電壓范圍、低EMI水平和小解決方案尺寸的應(yīng)用而優(yōu)化。該系列的所有器件均采用耐熱性能增強(qiáng)型10引腳MSE封裝和8引腳2 mm x 2 mm DFN封裝,因而可安放在狹小的空間里。如表1所示,它們的不同之處在于輸出電流能力。
表1. LT860x系列特性對比
在必須保持低空載電流的電池供電型應(yīng)用中,LT8606/LT8607/LT8608的低IQ是不可或缺的。這些器件具有突發(fā)模式 (Burst Mode?) 特性,即使在調(diào)節(jié)輸出電壓的情況下,其從輸入源消耗的靜態(tài)電流也僅為2.5 μA,從而盡可能長地保持電池待用時(shí)間。3 V~42 V的寬輸入電壓范圍可滿足工業(yè)和汽車應(yīng)用的苛刻要求,此類應(yīng)用的顯著特征是缺少穩(wěn)定的高質(zhì)量電壓源。這三款器件采用10引腳MSE封裝,而且還擁有擴(kuò)展頻譜操作能力,以滿足超低EMI輻射要求。
電路說明和功能
圖1示出了一款基于10引腳LT8607穩(wěn)壓器的5 V輸出電源。輸入電壓擴(kuò)展至高達(dá)42 V,輸出被設(shè)定為5 V(在750 mA),并具有2 MHz的開關(guān)頻率。構(gòu)成這款完整的解決方案僅需少量的額外組件,包括電感器L1和幾個(gè)無源組件。如圖2所示,此電路能實(shí)現(xiàn)92.5%的峰值效率。
圖1. 高效率LT8607 12 V至5 V同步降壓型轉(zhuǎn)換器。
圖2. 基于LT8606/LT8607/LT8608的12 VIN至5 VOUT降壓型轉(zhuǎn)換器的效率 與負(fù)載電流關(guān)系曲線。
突發(fā)模式操作可改善輕負(fù)載效率
對于電池供電型應(yīng)用來說,在輕負(fù)載運(yùn)行和無負(fù)載待用模式期間,高效率和低閑置電流是非常重要的特性。LT8606/LT8607/LT8608的2.5 μA靜態(tài)電流和突發(fā)模式操作選項(xiàng)是這些要求的理想解決方案。在輕負(fù)載和無負(fù)載情況下,基于LT8606/LT8607/LT8608的轉(zhuǎn)換器逐漸地降低開關(guān)頻率,從而降低開關(guān)功耗,并保持低輸出電壓紋波。圖3給出了圖1所示解決方案的輕負(fù)載效率。
圖3. 圖1所示電路的效率和功耗與負(fù)載電流的關(guān)系曲線。
高開關(guān)頻率和超低EMI輻射
在汽車、工業(yè)、計(jì)算和電信環(huán)境中,除了效率之外,還要求具備EMI/EMC合規(guī)性。使用較高的開關(guān)頻率雖可減小解決方案尺寸,但代價(jià)則往往是增加EMI輻射。LT8606/LT8607/LT8608的集成型MOSFET、內(nèi)置補(bǔ)償電路和2.2 MHz工作頻率最大限度縮減了解決方案尺寸,但是它們也實(shí)現(xiàn)了卓越的EMI性能,這是因?yàn)椴捎昧讼冗M(jìn)的工藝技術(shù)。開關(guān)頻率的擴(kuò)展頻譜模式操作能夠進(jìn)一步降低EMI輻射。圖4給出了圖1所示解決方案的CISPR 25 EMI測試結(jié)果。
圖4. 圖1所示電路的CISPR 25輻射EMI性能。
結(jié)論
LT8606/LT8607/LT8608是簡單易用的單片式降壓型穩(wěn)壓器,具有集成化功率MOSFET和內(nèi)置補(bǔ)償電路。這些器件專門針對那些要求寬輸入電壓范圍和低EMI噪聲的應(yīng)用而優(yōu)化。這些器件的2.5 μA靜態(tài)電流和突發(fā)模式操作選項(xiàng)使其成為電池供電型降壓轉(zhuǎn)換器的理想解決方案,可顯著延長電池待用時(shí)間。200 kHz至2.2 MHz的開關(guān)頻率范圍使得它們適合大多數(shù)低功率至微功率應(yīng)用。集成型MOSFET連同高達(dá)2.2 MHz的開關(guān)頻率能力極大地縮小了解決方案總尺寸。CISPR 25掃描結(jié)果顯示了它們出色的輻射EMI性能,因而符合最嚴(yán)格的EMI標(biāo)準(zhǔn)。
LT8606
● 寬輸入電壓范圍:3.0V 至 42V
● 超低靜態(tài)電流突發(fā)模式 (Burst Mode?) 操作:
○ <3μA IQ (調(diào)節(jié) 12VIN 至 3.3VOUT)
○ 輸出紋波 <10mVP-P
● 高效率 2MHz 同步操作:
○ >92% 效率 ( 0.35A,12VIN 至 5VOUT)時(shí)
● 最大連續(xù)輸出電流:350mA
● 最短快速導(dǎo)通時(shí)間:35ns
● 可調(diào)及可同步頻率范圍:200kHz 至 2.2MHz
● 擴(kuò)展頻譜頻率調(diào)制用于實(shí)現(xiàn)低 EMI
● 允許使用小的電感器
● 低壓差
● 峰值電流工作模式
● 精確的 1V 使能引腳閾值
● 內(nèi)部補(bǔ)償
● 輸出軟起動(dòng)和跟蹤
● 小尺寸散熱增強(qiáng)型10引腳MSOP封裝或8引腳2mm × 2mm DFN封裝
免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系小編進(jìn)行處理。
推薦閱讀:
從L1到L5:自動(dòng)駕駛升級(jí),三種關(guān)鍵傳感器應(yīng)該如何選?
淺談驅(qū)動(dòng)芯片的絕緣安規(guī)標(biāo)準(zhǔn)
開關(guān)電源的輸出端反灌電壓產(chǎn)生與防護(hù)