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正確理解驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)速度

發(fā)布時(shí)間:2022-05-07 來(lái)源:芯師爺 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】本文主要闡述了在驅(qū)動(dòng)芯片中表征驅(qū)動(dòng)能力的關(guān)鍵參數(shù):驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)時(shí)間的關(guān)系,并通過實(shí)驗(yàn)解釋了如何正確理解這些參數(shù)在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。


概述 

驅(qū)動(dòng)芯片


功率器件如MOSFET、IGBT需要驅(qū)動(dòng)電路的配合從而得以正常地工作。圖1顯示了一個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)一個(gè)功率MOSFET的電路。當(dāng)M1開通,M2關(guān)掉的時(shí)候,電源VCC通過M1和Rg給Cgs,Cgd充電,從而使MOSFET開通,其充電簡(jiǎn)化電路見圖2。當(dāng)M1關(guān)斷,M2開通的時(shí)候,Cgs通過Rg和M2放電,從而使MOSFET關(guān)斷,其放電簡(jiǎn)化電路見圖3。


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圖 1. 功率器件驅(qū)動(dòng)電路


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圖 2. 開通時(shí)的簡(jiǎn)化電路及充電電流


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圖 3. 關(guān)斷時(shí)的簡(jiǎn)化電路及放電電流


驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)能力影響功率器件的開關(guān)速度,進(jìn)而影響整個(gè)系統(tǒng)的效率、電磁干擾等性能。驅(qū)動(dòng)能力太強(qiáng)會(huì)導(dǎo)致器件應(yīng)力過高、電磁干擾嚴(yán)重等問題; 而驅(qū)動(dòng)能力太弱會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)效率降低。因此,選擇一個(gè)適當(dāng)驅(qū)動(dòng)能力的芯片來(lái)驅(qū)動(dòng)功率器件就顯得至關(guān)重要。


衡量驅(qū)動(dòng)能力的主要指標(biāo)


驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)速度


衡量一個(gè)驅(qū)動(dòng)芯片驅(qū)動(dòng)能力的指標(biāo)主要有兩項(xiàng):驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)的上升、下降時(shí)間。這兩項(xiàng)參數(shù)在一般驅(qū)動(dòng)芯片規(guī)格書中都有標(biāo)注。而在實(shí)際應(yīng)用中,工程師往往只關(guān)注驅(qū)動(dòng)電流而忽視上升、下降時(shí)間這一參數(shù)。事實(shí)上,驅(qū)動(dòng)的上升、下降時(shí)間這個(gè)指標(biāo)也同樣重要,有時(shí)甚至比驅(qū)動(dòng)電流這個(gè)指標(biāo)還重要。因?yàn)轵?qū)動(dòng)的上升、下降時(shí)間直接影響了功率器件的開通、關(guān)斷速度。


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圖 4. MOSFET開通時(shí)驅(qū)動(dòng)電壓和驅(qū)動(dòng)電流


圖4顯示了一個(gè)MOSFET開通時(shí)門極驅(qū)動(dòng)電壓和驅(qū)動(dòng)電流的簡(jiǎn)化時(shí)序圖。t1到t2這段時(shí)間是門極驅(qū)動(dòng)的源電流(IO+)從零開始到峰值電流的建立時(shí)間。在t3時(shí)刻,門極電壓達(dá)到米勒平臺(tái),源電流開始給MOSFET的米勒電容充電。在t4時(shí)刻,米勒電容充電完成,源電流繼續(xù)給MOSFET的輸入電容充電,門極電壓上升直到達(dá)到門極驅(qū)動(dòng)的電源電壓VCC。同時(shí)在t4到t5這個(gè)期間,源電流也從峰值電流降到零。


這里有一個(gè)很重要的階段:t1到t2的源電流的建立時(shí)間。不同的驅(qū)動(dòng)芯片有不同的電流建立時(shí)間,這一建立時(shí)間會(huì)影響驅(qū)動(dòng)的速度。


測(cè)試對(duì)比


以下通過實(shí)測(cè)兩款芯片SLM2184S和IR2184S的性能來(lái)說(shuō)明驅(qū)動(dòng)電流建立時(shí)間對(duì)驅(qū)動(dòng)速度的影響。


表格1對(duì)比了SLM2184S和IR2184S的各項(xiàng)測(cè)試。雖然SLM2184S的峰值源電流[IO+]和峰值灌電流[IO-]比IR2184S的測(cè)試值偏小,但是SLM2184S的電流建立時(shí)間遠(yuǎn)比IR2184S的建立時(shí)間更短。


表格1:SLM2184S 和IR2184S驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)時(shí)間對(duì)比

18.png


因此,在負(fù)載電容(比如MOSFET的輸入電容)較小的時(shí)候,SLM2184S的驅(qū)動(dòng)速度并不比IR2184S的驅(qū)動(dòng)速度慢。如在1nF的負(fù)載電容下,兩者的驅(qū)動(dòng)速度基本一致。只有當(dāng)負(fù)載電容較大的時(shí)候,如在3.3nF的情況下,SLM2184S的驅(qū)動(dòng)速度才會(huì)比IR2184S慢。


實(shí)測(cè)


SLM2184S vs IR2184S 驅(qū)動(dòng)測(cè)試對(duì)比


? 圖5~圖16: 實(shí)測(cè)SLM2184S的驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)時(shí)間的波形。

? 圖17~圖28: 實(shí)測(cè)IR2184S的驅(qū)動(dòng)電流和驅(qū)動(dòng)時(shí)間的波形。


SLM2184S驅(qū)動(dòng)測(cè)試


19.png

CH1: 驅(qū)動(dòng)輸入; CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出; CH4: 驅(qū)動(dòng)源電流

圖5:SLM2184S的驅(qū)動(dòng)源電流

負(fù)載電容100nF


20.png

CH1: 驅(qū)動(dòng)輸入; CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出; CH4: 驅(qū)動(dòng)源電流

圖6:SLM2184S的驅(qū)動(dòng)源電流上升速度

負(fù)載電容100nF


21.png

CH1: 驅(qū)動(dòng)輸入; CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出; CH4: 驅(qū)動(dòng)灌電流

圖7:SLM2184S的驅(qū)動(dòng)灌電流

負(fù)載電容100nF


22.png

CH1: 驅(qū)動(dòng)輸入; CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出; CH4: 驅(qū)動(dòng)灌電流

圖8:SLM2184S的驅(qū)動(dòng)灌電流上升速度

負(fù)載電容100nF


23.png

CH1: 驅(qū)動(dòng)輸入; CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出; CH4: 驅(qū)動(dòng)源電流

圖9:SLM2184S的驅(qū)動(dòng)上升速度

負(fù)載電容1nF


24.png

CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出

圖10:SLM2184S的驅(qū)動(dòng)上升速度

負(fù)載電容1nF


25.png

CH1: 驅(qū)動(dòng)輸入; CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出; CH4: 驅(qū)動(dòng)灌電流

圖11:SLM2184S的驅(qū)動(dòng)下降速度

負(fù)載電容1nF


26.pngCH2: 驅(qū)動(dòng)輸出

圖12:SLM2184S的驅(qū)動(dòng)下降速度

負(fù)載電容1nF


27.png

CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出

圖13:SLM2184S的驅(qū)動(dòng)上升速度

負(fù)載電容2.2nF


28.png

CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出

圖14:SLM2184S的驅(qū)動(dòng)上升速度

負(fù)載電容3.3nF


29.png

CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出

圖15:SLM2184S的驅(qū)動(dòng)下降速度

負(fù)載電容2.2nF


30.png

CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出

圖16:SLM2184S的驅(qū)動(dòng)下降速度

負(fù)載電容3.3nF


IR2184S驅(qū)動(dòng)測(cè)試


1650802881518049.png

CH1: 驅(qū)動(dòng)輸入; CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出; CH4: 驅(qū)動(dòng)源電流

圖17:IR2184S的驅(qū)動(dòng)源電流

負(fù)載電容100nF


1650802865221217.png

CH1: 驅(qū)動(dòng)輸人; CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出; CH4: 驅(qū)動(dòng)源電流

圖18:IR2184S的驅(qū)動(dòng)源電流上升速度

負(fù)載電容100nF


1650802853238446.png

CH1: 驅(qū)動(dòng)輸入; CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出; CH4: 驅(qū)動(dòng)灌電流

圖19:IR2184S的驅(qū)動(dòng)灌電流

負(fù)載電容100nF


1650802829357464.png

CH1: 驅(qū)動(dòng)輸入; CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出; CH4: 驅(qū)動(dòng)灌電流

圖20:IR2184S的驅(qū)動(dòng)灌電流上升速度

負(fù)載電容100nF


1650802817417642.png

CH1: 驅(qū)動(dòng)輸入; CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出; CH4: 驅(qū)動(dòng)源電流

圖21:IR2184S的驅(qū)動(dòng)上升速度

負(fù)載電容1nF


1650802804728635.png

CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出

圖22:IR2184S的驅(qū)動(dòng)上升速度

負(fù)載電容1nF


1650802785680742.png

CH1: 驅(qū)動(dòng)輸入; CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出; CH4: 驅(qū)動(dòng)灌電流

圖23:IR2184S的驅(qū)動(dòng)下降速度

負(fù)載電容1nF


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CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出

圖24:IR2184S的驅(qū)動(dòng)下降速度

負(fù)載電容1nF


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CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出

圖25:IR2184S的驅(qū)動(dòng)上升速度

負(fù)載電容2.2nF


1650802743647821.png

CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出

圖26:IR2184S的驅(qū)動(dòng)上升速度

負(fù)載電容3.3nF


1650802730163855.png

CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出

圖27:IR2184S的驅(qū)動(dòng)下降速度

負(fù)載電容2.2nF


1650802717156204.png

CH2: 驅(qū)動(dòng)輸出

圖28:IR2184S的驅(qū)動(dòng)下降速度

負(fù)載電容3.3nF


測(cè)試總結(jié)


從以上實(shí)驗(yàn)測(cè)試可以看到,驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)速度不僅取決于驅(qū)動(dòng)電流的大小,還受到諸如驅(qū)動(dòng)電流建立時(shí)間、MOSFET的輸入電容等因素的影響。有些驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)電流雖然比較大,但由于它的電流上升和下降速度很慢,并沒有很好地發(fā)揮大驅(qū)動(dòng)電流的作用,甚至在大部分應(yīng)用場(chǎng)合下驅(qū)動(dòng)速度(tr和tf)不如驅(qū)動(dòng)電流小的驅(qū)動(dòng)芯片。因此,在選擇驅(qū)動(dòng)芯片的時(shí)候,不僅要關(guān)注驅(qū)動(dòng)電流的大小,也要關(guān)注在一定負(fù)載電容下的上升、下降時(shí)間。當(dāng)然最為妥當(dāng)?shù)霓k法是根據(jù)實(shí)際選擇的功率管測(cè)量驅(qū)動(dòng)端的波形,從而判斷是否選擇了合適的驅(qū)動(dòng)芯片。



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