【導讀】在上一篇文章“多種DC-DC技術合力應對電源設計的挑戰(zhàn)（一）”中，我們介紹了開關式轉(zhuǎn)換器拓撲的改進和如何改善輕負載條件。在本文中，我們將介紹封裝技術和新材料對電源效率的提升。
新的封裝技術幫助設計人員提高功率密度
另一種增加功率密度的方式是減小所需的PCB面積。其中一種方法便是將組件結(jié)合到DC/DC模塊中。Texas Instruments提供的MicroSiP和MicroSiL電源模塊，在電源轉(zhuǎn)換器中集成了無源元件和集成電路（IC），將IC嵌入到FR4層壓基板上，并在基材上安裝電感器，以此構成單個設備。
完全集成的MicroSiP電源模塊將IC和無源元件集成到一個最高集成級別的設備中。最小的模塊使用BGA封裝形式，其占位面積不足7mm²。
圖1：MicroSiP封裝將集成電路嵌入到基板中，并將無源元件堆在頂部，以組成微型DC-DC轉(zhuǎn)換器（資料來源：Texas Instruments）
MicroSiL設備集成了電感器和調(diào)節(jié)器IC，并使用了外部電容器。該模塊的引腳分配和輪廓類似于QFN封裝。例如，TPS82085電源模塊是同步降壓轉(zhuǎn)換器，可以從3mm×2.8mm的8引腳封裝傳輸3A的電流。
集成可以大幅減少元器件的占位面積，但是需要權衡利弊得失。例如，MicroSiP封裝在控制器的上面放了電感器，并將組件安裝在PCB上。與分立設計相比，這些特性都會增加MicroSiP模塊的高度。
要盡量縮減占位面積，還需要減小電感器的尺寸。線圈電感與其面積和圈數(shù)成正比，所以為了不改變電感，減少面積，就需要增加使用的電線，但同時也會導致增加線圈的DC電阻。
超越硅的設計：SiC和GaN器件
為了追求更高的性能，設計人員開始探索硅之外的其他材料。用SiC和GaN制造的電子元器件開始在一些電力應用中取代硅器件，前二者都屬于寬帶隙（WBG）半導體。
我們先來回顧一下什么是固體帶隙，固體的帶隙用于衡量價帶頂部和導帶底部之間的能量差（eV），是確定材料導電性的主要因素。
硅的帶隙為1.1eV，相比之下，WBG半導體的帶隙分別為3.3V（SiC）和3.4V（GaN），因此，需要更多的能量將電子從價帶傳輸?shù)綄А＿@對于功率半導體而言比較有優(yōu)勢：與硅相比，WBG器件具有更低的導通電阻、更高的擊穿電壓、出色的反向恢復特性，并且可以在更高的開關頻率下工作。
更高的開關頻率允許使用更小的電容器、電感器和變壓器，其尺寸、重量和成本都大為節(jié)省。同時，DC-DC轉(zhuǎn)換效率可以最高提升10%。
Texas Instruments最近發(fā)布了一款LMG5200，將WBG半導體與高級封裝結(jié)合在了一起。LMG5200是半橋功率級，在一個QFN封裝中集成了兩個80V的GaN功率場效應管（FET）和一個高頻GaN驅(qū)動器。LMG5200將與現(xiàn)有產(chǎn)品（如TPS53632）配對使用，服務于各種應用，包括用于計算、工業(yè)和電信應用的同步降壓轉(zhuǎn)換器和48V POL轉(zhuǎn)換器。
總結(jié)
提升電力轉(zhuǎn)換解決方案的效率和功率密度需要采用多學科綜合的方法，借鑒控制器設計、封裝和半導體研究方面的專業(yè)知識。只有集各領域之所長，設計人員才能滿足眾多應用的需求，這些應用從電池驅(qū)動的低功耗可穿戴設備和便攜式設備，到高功率的電信交換機和數(shù)據(jù)中心等，范圍十分廣泛。
本文轉(zhuǎn)載自貿(mào)澤電子。
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