如圖1所示，變壓器是反激變壓器，變壓器符號直接找的，所以同名端不對，但電路是對的。此反激電路用途為給次級的大電容充電，輸入220v直流，需要給6800uF*4的電容充電到500v。電路由分立元件組成，由驅動芯片驅動開關IGBT，次級電流減小到0后再次開通IGBT。

那么問題來了，圖2中的初級電流波形太難看，開通和關斷時沖擊電流太大，且震蕩嚴重，變壓器參數(shù)初級100uH,匝數(shù)比1:3，變壓器初級并聯(lián)電容25nF，是如何造成的呢?

測試方法的方法是：次級開路，初級測并聯(lián)電容，頻率100kHZ。

使用到的變壓器繞發(fā)是：

變壓器初級6匝，初級6匝中間密繞，1.5mm特氟龍線;次級18匝，次級0.5mm特氟龍線繞滿一層，貼近骨架在最里層。
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可以確定的是，波形是沒有錯誤的，波形的異常是由IGBT拖尾造成的，換MOSFET即可。下面的表格中總結了MOSFET和IGBT的開關時間。


第一個表格是MOSFET的開關時間，第二個表格是IGBT的開關時間，只有關斷延時時間長一些，其他三個時間差不多，那么這些關斷延時是否對初級電流的波形產生了影響?實際上，這些時間是電流降到額定10%的時間，實際上還有一條細長尾巴，并且由于電流較小，所以這條尾巴就越發(fā)明顯。

在更換了MOSFET的型號之后，測量出來的波形如下圖所示：

從圖3中我們可以看到MOS管開啟和關斷時震蕩仍然很大，關斷后的電流還有比較大的起伏。這是因為管子沒有開起來的緣故，Vgs12V電阻6.2歐，按照pdf手冊應該是可以開起來的，但是由于IC有內阻，導致Id沒有升起來。

有人也許會問，C內阻大點是應該發(fā)熱比較嚴重，不至于引起這么大的震蕩吧?

電源是給高壓大電容充電的，輸入220V直流，初級峰值電流10A。電流在圖上可以看到，振蕩部分遠大于10A，采樣電阻10毫歐，震蕩峰值有30-40A，所以要選這么大管子。

如果是用幾個微秒的掃描時間去測量一個工頻電路基本都會顯示類似的震檔波形，其實這個波形是不真實的東西。只是一個無關緊要的瞬間斷續(xù)電流的信號，如果用示波器兩通道把這個電流波形與正弦電壓波同時測量顯示出來，就比較容易看明白了。

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