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具備出色的線性模式性能和極低的RDS(on)值的MOSFET

發(fā)布時間:2013-01-27 責任編輯:alexwang

【導讀】憑借在功率MOSFET領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,恩智浦半導體近日推出了其NextPower Live產(chǎn)品組合,設計出專門用于“熱插拔”環(huán)境的全新線性模式的功率MOSFET系列。NextPower Live系列同時提供出色的線性模式性能和極低的RDS(on)值,該獨特組合展示了恩智浦在該領(lǐng)域的技術(shù)能力。
 
針對熱插拔應用設計的新一代功率MOSFET
圖題 針對熱插拔應用設計

運行于全天候網(wǎng)絡世界的大部分基礎(chǔ)設施(從云計算和移動電話到ATM和交通管理)由永久性處于工作(開啟)狀態(tài)的機架式系統(tǒng)組成。正因如此,驅(qū)動這些系統(tǒng)的電路板和元件必須能夠?qū)崿F(xiàn)“熱插拔”工作,以實現(xiàn)在無需關(guān)閉設備電源的條件下即可進行產(chǎn)品升級和維護。恩智浦NextPower Live MOSFET旨在為這樣的系統(tǒng)提供了最佳的性能。
 
在應用過程中,為應對更換板卡插入工作系統(tǒng)時的沖擊電流,需要MOSFET具有強大的線性工作區(qū)域和很寬的安全運行區(qū)域(SOA)來防止電涌;但是,在過去需要使用RDS(on)較高且效率極低的老一代MOSFET,現(xiàn)在恩智浦NextPower Live系列已克服了該難題,只要系統(tǒng)安全安裝并運行,即可提供很強的線性模式性能以及實現(xiàn)高效(Rdson 很低)。
 
恩智浦半導體MOSFET業(yè)務經(jīng)理Chris Boyce表示:“我們生活在計算和通信基礎(chǔ)設施不間斷的一個永無停歇的世界之中,享受始終連接、始終在線且沒有中斷的社會,這就需要特殊類型的元件能夠處理關(guān)鍵任務的應用需求 。過去,基礎(chǔ)設施所有者被迫使用可應對被安裝到某個活動環(huán)境的老一代MOSFET,但系統(tǒng)卻引入的高電阻值的MOSFET,它造成了過多的功率損耗且提高了機架的整體溫度。我們的NextPower Live MOSFET將改變了這一切,讓其在無中斷可靠加電后以極低的RDS(on)值工作,并實現(xiàn)高效率,目前其他解決方案都無法提供可與之相比擬的性能參數(shù)。”
 
NextPower Live產(chǎn)品組合兼具30V設備(針對工作電壓為12V DC的刀片服務器等應用)和100V設備(針對工作電壓為標稱48V DC的電信應用)。具有這兩種電壓范圍的MOSFET采用D2PAK封裝和LFPAK56(兼容Power-SO8)封裝,現(xiàn)已上市。恩智浦半導體還在針對以太網(wǎng)供電(PoE)等其他相關(guān)線性模式應用開發(fā)NextPower Live MOSFET。
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