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微芯推出降壓PWM和MOSFET器件,支持高效的DC/DC電源設計

發(fā)布時間:2012-11-22 責任編輯:easonxu

【導讀】微芯推出高電壓模擬降壓PWM控制器及其首個功率MOSFET器件系列,可在4.5 - 30VDC的寬范圍內工作,開關頻率為300 kHz,并提供工廠可調節(jié)的死區(qū)設置,支持高效的DC/DC電源轉換設計,涵蓋了廣泛的消費電子和工業(yè)應用。


全球領先的整合單片機、模擬器件和閃存專利解決方案的供應商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布,推出全新電源轉換控制器系列及其首個功率MOSFET器件系列。該全新脈寬調制(PWM)控制器與配套的低品質因數(shù)(FOM)MOSFET產品系列組合支持高效的DC/DC電源轉換設計,涵蓋了廣泛的消費電子和工業(yè)應用。這兩個全新系列彰顯了Microchip對于其實現(xiàn)更高電壓、更高效率及行業(yè)趨向的更小電源轉換系統(tǒng)這一承諾的顯著進步。

微芯推出高電壓模擬降壓PWM控制器及其首個功率MOSFET器件
圖1:微芯推出高電壓模擬降壓PWM控制器及其首個功率MOSFET器件

MCP19035是一個基于模擬信號的小型PWM控制器產品系列,集成了同步MOSFET驅動器,具有出色的瞬態(tài)性能。MCP19035器件可在4.5 - 30VDC的寬范圍內工作,開關頻率為300 kHz,并提供工廠可調節(jié)的死區(qū)設置,有助于設計人員優(yōu)化眾多MOSFET器件的性能。在與Microchip的MCP87xxx MOSFET或任何低FOM的MOSFET組合時,MCP19035系列能夠實現(xiàn)高效的(>96%)DC/DC電源轉換解決方案。

MCP19035原理圖
圖2: MCP19035原理圖

MCP87xxx系列高速MOSFET具有非常低的FOM,采用業(yè)界標準的5×6 mm和3.3×3.3 mm PDFN封裝。新推出的MCP87022、MCP87050和MCP87055器件分別可提供2.2 mΩ、5.0 mΩ和5.5 mΩ的導通電阻。這些全新MOSFET有助于實現(xiàn)高效的電源轉換設計。

Microchip模擬與接口產品部營銷副總裁Bryan J. Liddiard表示:“MCP19035系列PWM控制器擴大了設計工程師使其應用達到電源轉換要求可選擇的范圍。其廣泛的工作范圍和集成的高功率同步驅動器能夠支持那些需要一個基于模擬信號的快速控制器的高效、高功率密度解決方案。這些器件與Microchip首款高速MOSFET產品相結合,可實現(xiàn)效率超過96%的快速、高效電源轉換解決方案。”
 
MCP87xxx MOSFET系列與Microchip現(xiàn)有的專注于SMPS的PIC單片機及dsPIC33“GS”數(shù)字信號控制器產品組合也相輔相成。Microchip的MCP14700同步MOSFET驅動器非常適合驅動高速、低FOM的MOSFET。當由單片機驅動時,兩者可構成一個靈活的高性能電源轉換解決方案。
 
開發(fā)工具支持

適用MCP19035系列的MCP19035 300 kHz評估板(部件編號ADM00434)現(xiàn)可通過Microchip銷售代表和microchipDIRECT訂購。該評估板包含Microchip的全新MOSFET。與MCP87xxx MOSFET系列一同發(fā)布的一款基于Excel的損耗計算器及其用戶指南也已面市。

封裝及供貨

MCP19035和MCP87xxx系列現(xiàn)已提供樣片并投入量產。MCP19035系列采用3×3 mm 10引腳DFN封裝。MCP87022和MCP87050采用5×6 mm 8引腳PDFN封裝,MCP87055采用3.3×3.3 mm 8引腳PDFN封裝。
 

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