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羅姆超低IR肖特基勢壘二極管降低車載、電源設備的功耗達40%

發(fā)布時間:2012-06-27

產品特性:
  • 與傳統產品相比,損耗約降低40%
  • 小型封裝有助于節(jié)省空間
  • 高溫環(huán)境下亦無熱失控
適用范圍:
  • 車載、電源設備、非常適合電動車(EV)和混合動力車(HEV)等要求更低功耗的電路節(jié)能

日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都)近日面向車載、電源設備,開發(fā)出高溫環(huán)境下亦可使用的超低IR肖特基勢壘二極管“RBxx8系列”。與傳統的車載用整流二極管相比,可降低約40%的功耗,非常有助于電動車(EV)和混合動力車(HEV)等要求更低功耗的電路節(jié)能。

本產品已從1月份開始銷售樣品(樣品價格50~200日元/個),從5月份開始以月產100萬個的規(guī)模進行量產。關于生產基地,前期工序在羅姆ROHM Wako Co., Ltd.(日本岡山縣),后期工序在ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.(馬來西亞),ROHM Integrated Systems (Thailand) Co.,Ltd.(泰國)、ROHM Korea Corporation(韓國)進行。

高溫環(huán)境下使用的車載、電源設備的電路中,由于擔心熱失控,因此普遍采用整流二極管和快速恢復二極管(FRD)。但是由于整流二極管和FRD的VF值較高,因此很難實現EV和HEV所要求的更低功耗。在這種背景下,VF值較低的肖特基勢壘二極管(SBD)在高溫環(huán)境下亦可安全使用的產品的開發(fā)需求逐年高漲。

此次,羅姆通過采用最適合高溫環(huán)境的金屬,實現了業(yè)界頂級低IR化。與傳統的SBD相比,IR降低到約1/100,使高溫環(huán)境下的使用成為可能。
由此,整流二極管和FRD的替換成為可能,VF特性得以大幅改善(與傳統的FRD相比,VF降低約40%)。另外,更低VF可以抑制發(fā)熱,成功實現小型化封裝,有助于不斷電子化、小型化需求高漲的EV、HEV節(jié)省空間。

羅姆今后還會進一步推進整流二極管的替換帶來的低VF化、小型化,不斷為提高車載、電源設備的效率做出貢獻。

<特點>

1)    與傳統產品相比,損耗約降低40%
與一般用于車載的FRD相比,VF降低約40%。有助于降低功耗。
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2)    小型封裝有助于節(jié)省空間
與傳統產品相比,可實現小一號尺寸的封裝設計。

3)    高溫環(huán)境下亦無熱失控
實現了超低IR,因此Ta=150℃也不會發(fā)生熱失控,可在車載等高溫環(huán)境下使用。


<規(guī)格>
<術語解說>

?肖特基勢壘二極管(Schottky-Barrier Diode:SBD)
使金屬和半導體接觸從而形成肖特基結,利用其可得到整流性(二極管特性)的二極管。具有“正向壓降少、開關速度快”的特點。主要用于開關電源等。

?快速恢復二極管(Fast Recovery Diode: FRD)
正向施加的電壓向反向切換時,反向電流瞬間流過。這種電流到零之間的時間―即反向恢復時間快的一種二極管。

?VF ( Forward Voltage)
是指正向電流經過時二極管產生的電壓值。數值越小功耗越少。

?IR(Reverse Current)
是指施加反向電壓時發(fā)生的反向電流。數值越小功耗越少。

?熱失控
反向損耗超過散熱,損耗進一步增加,產品溫度呈指數級上升的狀態(tài)。
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