新聞事件：
- Vishay登陸中國（成都）電子展并開設(shè)專場技術(shù)講座
事件影響：
- 提供一次國際技術(shù)專家與西部工程師直面溝通的良好機遇
- 專家講解最新節(jié)能設(shè)計產(chǎn)品及解決方案
9月7日，全球最大的分立半導體和無源電子元件廠商Vishay登陸成都，在電子元件技術(shù)網(wǎng)舉辦的“第四屆新型節(jié)能設(shè)計技術(shù)研討會”中開設(shè)Vishay專場技術(shù)講座（成都嬌子國際會議中心三層蜀風廳），由Vishay專家講解最新節(jié)能設(shè)計產(chǎn)品及解決方案，這是一次國際技術(shù)專家與西部工程師直面溝通的良好機遇。
此次Vishay專場技術(shù)講座，Vishay派出了強大的專家陣容，不同領(lǐng)域技術(shù)專家分別探討電容、電阻、電感、光隔離器、功率器件在工業(yè)電源、機車電源系統(tǒng)、電機控制、逆變器、變頻器等領(lǐng)域的應用。
講座亮點：
Vishay電容器部門區(qū)域市場技術(shù)經(jīng)理黃勇做演講
1）電容器在工業(yè)電源系統(tǒng)中的應用：主要探討電容在工業(yè)電源、太陽能發(fā)電、機車電源等一些領(lǐng)域上的應用與選型。
Vishay電阻電感部門區(qū)域市場技術(shù)經(jīng)理呂愛強做演講
2）新能源技術(shù)中電阻及電感的應用和選擇：新能源技術(shù)對電阻等元器件的要求；新能源技術(shù)中電流檢測的解決方案；厚膜功率電阻在變頻器中的應用；模塊電源中功率電感的選擇和應用。
Vishay光電耦合器件部應用工程經(jīng)理蔡明復
3）光隔離器及在電機控制，逆變器和隔離電源中的應用：探討光隔離器在電機控制、機車電源、太陽能/風力發(fā)電系統(tǒng)中的應用。
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Vishay二極管部亞洲地區(qū)市場技術(shù)工程師魏武
4）二極管在新能源領(lǐng)域以及節(jié)能設(shè)計中的應用：太陽能逆變器應用對旁路二極管，阻塞二極管，升壓二極管的技術(shù)要求；節(jié)能設(shè)計中,威世TMBS肖特基產(chǎn)品和平面肖特基產(chǎn)品的比較。
為了答謝熱情支持Vishay技術(shù)專場講座的西部工程師，Vishay還現(xiàn)場抽取了價值3000元的智能手機，使得專場活動更加熱烈
Vishay高層為3000元手機大獎獲得者頒獎
節(jié)能設(shè)計已經(jīng)成為工業(yè)電子領(lǐng)域的主題。Vishay推出的全線產(chǎn)品，應對風電太陽能發(fā)電、工業(yè)變頻器、逆變器、電焊機和電機控制等應用中的設(shè)計挑戰(zhàn)。
風電太陽能發(fā)電實現(xiàn)并網(wǎng)的核心組件是變流器，變流器的直流濾波、消減尖峰、交流濾波都需要用到電容器。金屬膜電容器比鋁電容器有更長的壽命，更低的發(fā)熱、更高的紋波電流、更好的穩(wěn)定性、容值和更低ESR的乘積、更低的損耗和更好的轉(zhuǎn)換效率。以直流濾波電路為例，Vishay的方案中，可用4～6金屬膜電容器MKP1848/9替換掉60～80個電解電容器的老式設(shè)計，節(jié)約了大量空間。
MOSFET或IGBT作為變流器控制開關(guān)，使用隔離驅(qū)動器驅(qū)動MOSFET或IGBT可以將大電流隔離，還可以保護控制單元免受高壓大電流的沖擊和避免大功率部分的快速電壓瞬變干擾。Vishay推出的VO3120是光隔離IGBT/MOSFET驅(qū)動器，驅(qū)動能力達1200V /50A，傳播延遲小于400ns，1500V電壓下抗共摸干擾 (CMTI)為25kV/us。
太陽能發(fā)電過程中，太陽能電池板的部分電池組可能會受到陰影遮蔽。如果將每個電池組并聯(lián)一個旁路二極管，該二極管構(gòu)成受遮蔽電池組的旁路，保證系統(tǒng)電流的流通，并且保護電池組免受反向電壓的損害。Vishay軸向肖特基二極管90SQ045、80SQ045、50SQ100專門針對太陽能電池板應用，具有低Vf、低漏電流、最大結(jié)溫為175°C的特點。
風電太陽能發(fā)電以及電動汽車應用中，為了正確的對電池進行管理, 需要對電池電流進行實時監(jiān)測，檢測方案中的關(guān)鍵是電阻，電阻要具有極低阻值才能保證精確度。Vishay的WSBS等系列電阻阻值低到0.00005歐姆，檢測電流超過600A；而且兼具精度高、穩(wěn)定性好的特點。
此外，鉭電容也是Vishay的優(yōu)勢產(chǎn)品之一。T97高可靠性COTS系列鉭電容的額定電壓為63V和75V，是28V以及更高電壓電源應用的絕佳選擇；4 V時容值可達1500 µF，75 V時容值高達10 µF，可以減少電路設(shè)計中器件的引入數(shù)量。TM8 MicroTan 是Vishay下一代鉭貼片式電容器，具有最好的單位體積容量，最適合于軍工航天等空間受限應用。
