產(chǎn)品特性：

• 柵-漏極電荷比瑞薩早期的產(chǎn)品約低50%
• 電壓容差范圍廣
• 高性能封裝提升了產(chǎn)品性能

應(yīng)用范圍：

• 服務(wù)器、通信設(shè)備和工業(yè)設(shè)備

瑞薩科技公司（以下簡稱瑞薩）宣布推出12款第10代、面向服務(wù)器、通信設(shè)備和工業(yè)設(shè)備等應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)電源中使用的隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器*1的功率MOSFET產(chǎn)品。新型功率MOSFET在降低開關(guān)損耗*2、提高能效的同時，還具有很寬的電壓容差范圍（40V、60V、80V 和 100V）。上述產(chǎn)品將于2009年12月3日起投入批量生產(chǎn)。

這12款新產(chǎn)品采用的第10代制造工藝在早期的、重點(diǎn)實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻*2的功率MOSFET（主要用于非隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器）上已經(jīng)得到了普遍認(rèn)同。此項(xiàng)工藝在進(jìn)行了優(yōu)化后，更能實(shí)現(xiàn)比瑞薩先前產(chǎn)品低達(dá)50%的柵-漏極電荷（Qgd）*3。而柵-漏極電荷正是在功率MOSFET內(nèi)實(shí)現(xiàn)低開關(guān)損耗的一個重要特性。此外，新產(chǎn)品所采用的高性能封裝（瑞薩科技公司封裝編號：LFPAK）還可降低封裝電阻、改善散熱特性、提升產(chǎn)品性能，從而使隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器提高效率、降低能耗。

新型功率MOSFET具有如下特性：
(1)柵-漏極電荷比瑞薩早期的產(chǎn)品約低50%（電壓容差為100V的RJK1056DPB）
為了降低隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器的能耗，需要柵-漏極電荷（Qgd）較低（這是降低開關(guān)損耗的一個重要因素）的功率MOSFET。這12款新型功率MOSFET采用瑞薩第10代針對該應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化的0.18μm 工藝制造而成。例如，電壓容差為100V的RJK1056DPB，其柵-漏極電荷為7.5nC，約為瑞薩早期產(chǎn)品HAT2173H（14.5nC）的一半。

(2)電壓容差范圍廣（40V、60V、80V 和 100V）
隔離 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的輸入和輸出電壓取決于所使用的功率MOSFET的電壓容差。在隔離元件方面，隔離 DC-DC 轉(zhuǎn)換器由充當(dāng)輸入端的主電源和充當(dāng)輸出端的副電源組成。新型功率 MOSFET 系列包含專門用于滿足一次側(cè)需求、電壓容差為80V 和100V的產(chǎn)品，以及用于滿足二次側(cè)需求、電壓容差為40V和60V的產(chǎn)品。用戶可以選擇最符合其要求的產(chǎn)品。

(3)高性能封裝提升了產(chǎn)品性能
新型功率MOSFET采用瑞薩得到普遍認(rèn)可的LFPAK（瑞薩科技公司封裝編號）*4高性能封裝。它提供了低封裝電阻和出色的散熱特性，能夠防止元件出現(xiàn)過熱的情況。與傳統(tǒng)的SOP-8或類似的封裝相比，該封裝本身就為產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了低損耗。從內(nèi)部直接連接到導(dǎo)線框上，從而降低了封裝電感，保證了高頻操作的實(shí)現(xiàn)。

產(chǎn)品背景資料
近年來，伴隨著計(jì)算機(jī)的不斷普及、服務(wù)器需求的增長、手機(jī)和互聯(lián)網(wǎng)的推廣、通信設(shè)備需求的增加，面向這類設(shè)備的電源隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器的需求也在不斷增長。同時，出于對全球變暖和節(jié)能需求的考慮，隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器和電源的效率提高也越來越重要。這就要求我們降低用于構(gòu)建隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器的功率MOSFET內(nèi)的開關(guān)損耗。

為了滿足這種需求，瑞薩生產(chǎn)了低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品，通過使用槽柵制造工藝和改善封裝等來降低損耗。而這些 MOSFET 可用于各種產(chǎn)品。

新型功率MOSFET利用優(yōu)化的第10代制造工藝來滿足對損耗更低的隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器的需求。它們將柵-漏極電荷（Qgd）（這是開關(guān)損耗的一個關(guān)鍵特性）在瑞薩第8代產(chǎn)品的基礎(chǔ)上降低了50%之多。同時，為了滿足各種應(yīng)用的需求，這些產(chǎn)品提供了4種電壓容差：40V、60V、80V 和 100V。

注釋
1. 隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器：一種主要用于服務(wù)器和通信設(shè)備內(nèi)的電源裝置。一般來說，利用設(shè)備從內(nèi)部將交流電（AC）輸入轉(zhuǎn)化為直流電（DC）參考電壓，然后再將其轉(zhuǎn)化為個別電路部件專用的DC 電壓。從參考電壓到特定DC電壓的轉(zhuǎn)換是利用電源內(nèi)的DC-DC轉(zhuǎn)換器來完成的。輸入和輸出相互隔離的DC-DC轉(zhuǎn)換器叫做隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器。

2. 開關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻：開關(guān)損耗是指功率MOSFET在ON和OFF之間切換時發(fā)生的功率損耗。導(dǎo)通電阻是指功率MOSFET處于導(dǎo)通狀態(tài)時的工作電阻。二者均為確定功率MOSFET性能的主要特性，并且兩者的數(shù)值越低則表示其性能越高。然而，實(shí)際上開關(guān)損耗和導(dǎo)通電阻之間存在著折中，并且一般來說很難同時在這2方面實(shí)現(xiàn)高性能。

3. 柵-漏極電荷（Qgd）：它是功率MOSFET的一種特性，表明從OFF切換到ON（或從ON切換到OFF）時柵極充（放）電量。電荷越小，開關(guān)時間越短，則開關(guān)損耗越低。

4. LFPAK（瑞薩科技公司封裝編號）：LFPAK代表“loss free package”（無損耗封裝）。這種封裝由瑞薩科技公司開發(fā)而成，并且在批量生產(chǎn)領(lǐng)域得到了一致認(rèn)同。在這種封裝中，MOSFET芯片的頂面和底面與線框相連，電流能夠通過它垂直流動。這將封裝電阻降低了一半，從傳統(tǒng)封裝的1m減為現(xiàn)在的0.5m，還可以通過頂面和底面散熱來防止芯片發(fā)生過熱的情況。并且，電感也比采用導(dǎo)線的傳統(tǒng)封裝低，從而能夠?qū)崿F(xiàn)高頻操作。

上述產(chǎn)品名稱、公司名稱或品牌均為其各自所有者的財產(chǎn)。

典型應(yīng)用
隔離DC-DC轉(zhuǎn)換器：服務(wù)器、通信設(shè)備、工業(yè)設(shè)備等

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