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Si7633DP/135DP:Vishay最新低導(dǎo)通電阻MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2008-12-24

產(chǎn)品特性Vishay最新低導(dǎo)通電阻MOSFET

  • 3.3 m? 5.5 m? 的超低導(dǎo)通電阻
  • ±20V 柵源極電壓
  • PowerPAK SO-8 封裝
  • 高容許最大漏電流和最大功率損耗

應(yīng)用范圍

  • 筆記本電腦
  • 工業(yè)/通用系統(tǒng)應(yīng)用

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新型20-V 30V p-通道 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si7633DPSi7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝,具有 ±20V 柵源極電壓以及業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。 

現(xiàn)有的同類 SO-8 封裝器件額定電壓下導(dǎo)通電阻僅低至 24 m? ,而Vishay Si7633DP 具有 3.3 m? (在 10 V 時(shí))及 5.5 m? (在4.5 V 時(shí))的超低導(dǎo)通電阻。這些值比最接近的同類 30-V 器件低 27%(在 10 V 時(shí))和 28% (在4.5 V 時(shí)),比最接近的同類 25-V SO-8 器件分別低  28% 15%。30V Si7135DP 的導(dǎo)通電阻為 3.9 m?(在10 V 時(shí))  6.2 m?(在4.5 V 時(shí)),比最接近的同類器件分別低 13% (在 10 V 時(shí))和 19.5% (在4.5 V 時(shí))。 

這次推出的兩款 MOSFET均采用 PowerPAK SO-8 封裝,可容許比其它 SO-8 封裝器件高 60% 的最大漏電流和高 75 % 的最大功率損耗。 

這兩款新型器件可用作適配器切換開關(guān),用于筆記本電腦及工業(yè)/通用系統(tǒng)中的負(fù)載切換應(yīng)用。適配器切換開關(guān)(在適配器/墻壁電源和電池電源間切換)一直處于導(dǎo)通狀態(tài),消耗電流。Si7633DP Si7135DP的低導(dǎo)通電阻能耗低,節(jié)省電力并延長兩次充電間的電池可用時(shí)間。

Vishay 還推出了采用 SO-8 封裝的 Si4459ADY 30-V p-通道 TrenchFET 功率 MOSFET。該器件具有 5 m?(在 10 V 時(shí))和 7.75 m?(在4.5 V 時(shí))的導(dǎo)通電阻。此次推出的所有器件 100% 通過 Rg UIS 認(rèn)證,且不含鹵素。 

目前,該新型Si7633DPSi7135DP TrenchFET 功率 MOSFET可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂單的供貨周期為 10 12 周。

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