產(chǎn)品特性：
- 最大結(jié)溫為 +175°C
- 采用符合 RoHS 的小型封裝
- 提供反向偏置安全運行區(qū)
- 擊穿電壓較高且穩(wěn)定
- 正向壓降極低
- 典型反向漏電流極小
應用范圍：
- 高功率密度SMPS、臺式 PC 適配
- 服務器、汽車驅(qū)動器和控制裝置
- 電信網(wǎng)絡、消費類電子
- 移動電子設備
日前，Vishay宣布推出適用于高溫應用的新型高性能 Schottky 二極管第 5 代硅平臺，以及具有低正向壓降、低反向漏電流和較高的最大結(jié)溫的8款新型器件。
Vishay 新型 Schottky二極管系列采用亞微米溝槽技術，最大結(jié)溫為 +175°C，適用于汽車及其它高溫應用。器件采用符合 RoHS 的小型封裝，以改善成本能耗比，并提供反向偏置安全運行區(qū) (RBSOA)，以滿足嚴格、極具成本效益的設計要求。擊穿電壓較高且穩(wěn)定 (>115 V)，以提供電壓抑制，優(yōu)化功率密度，與前幾代產(chǎn)品相比，該二極管系列的功率密度提升了 30%。即使如此，新型器件價格還最多可比 Vishay 3.1 代和 2.0 代平面型器件便宜 10%。
新型二極管適用于交流至直流、次級整流、反激式、降壓和升壓轉(zhuǎn)換器、半橋、反向電池保護、續(xù)流、D 型放大器和直流至直流模塊應用。一般終端產(chǎn)品包括高功率密度 SMPS、臺式 PC 適配器、服務器、汽車驅(qū)動器和控制裝置、電信網(wǎng)絡、PDP、LCD 和高效音頻系統(tǒng)等消費類電子，以及筆記本、移動電話和便攜式媒體播放器等移動電子設備。
新型器件典型正向壓降極低，范圍由 0.55 V（電流為 8 A）至 0.61 V（電流為 30 A），典型反向漏電流極小，溫度為 125°C 時，范圍由 1 mA 至 5.5 mA，且參數(shù)分布非常緊湊。上述器件堅固耐用，具有抗反向雪崩能力，雪崩時部件可得到完全屏蔽，且開關損耗極小。
目前，第 5 代新型 Schottky 二極管系列樣品和量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為 8 至 10 周。
