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Si7192DP:Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2008-03-26

產(chǎn)品特性:Si7192DP:Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET

  • PowerPAK SO-8 封裝
  • 4.5V 柵極電壓時(shí)有2.25 毫歐最大導(dǎo)通電阻
  • 導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積為 98

應(yīng)用范圍:

  • 穩(wěn)壓器模塊、服務(wù)器
  • 使用負(fù)載點(diǎn)功率轉(zhuǎn)換的眾多系統(tǒng)

日前,Vishay推出新型第三代 TrenchFET功率 MOSFET 系列中的首款器件,該器件具有破紀(jì)錄的導(dǎo)通電阻規(guī)格及導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積。

新型 TrenchFET第三代 Si7192DP是一款采用 PowerPAK SO-8 封裝的 n 通道器件,在 4.5V 柵極驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)具有 2.25 毫歐的最大導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是直流到直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中針對(duì) MOSFET 的關(guān)鍵優(yōu)值 (FOM),該值為 98,是任何采用 SO-8 封裝的 VDS= 30V、VGS= 20 V 器件的新業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)。與分別為實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通損失及低開(kāi)關(guān)損失而優(yōu)化的最接近競(jìng)爭(zhēng)器件相比,這些代表了市場(chǎng)上最佳的現(xiàn)有規(guī)格。更低的導(dǎo)通電阻及更低的柵極電荷分別可轉(zhuǎn)變成更低的傳導(dǎo)損失及更低的開(kāi)關(guān)損失。

Vishay Siliconix Si7192DP 將在同步降壓轉(zhuǎn)換器以及二級(jí)同步整流及 OR-ing 應(yīng)用中作為低端 MOSFET。其低導(dǎo)通及開(kāi)關(guān)損失將使穩(wěn)壓器模塊 (VRM)、服務(wù)器及使用負(fù)載點(diǎn) (POL) 功率轉(zhuǎn)換的眾多系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)功效更高且更節(jié)省空間的設(shè)計(jì)。

目前,Si7192DP 控制器的樣品和量產(chǎn)批量已可提供,大宗訂單的供貨周期為 10~12 周。

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